CN114616730B 发光二极管led晶粒的制造方法 （美商旭明国际股份有限公司）

US2013313562A1,2013.11.28US2019165231A1,2019.05.302022.06.102022.02.25PCT/US2020/0471372020.08.20WO2021/041138EN2021.03.04一种发光二极管LED晶粒的制造方法包含下半导体结构施加粘附力；执行一激光剥离LLO工于与在所述多个半导体结构与该基板的一接口着表面以将此些半导体结构固持在接收板件上2安装所述多个具有晶粒尺寸的半导体结构与该弹执行一激光剥离LLO工艺，借由导引一均匀激光光束通过该基板而到达位于与在所述光束可传输通过该基板并被位于与该基板连接的该接口处的该提供多个具有晶粒尺寸的半导体结构于一蓝宝石执行一激光剥离LLO工艺，借由导引一均匀激光光束通过该基板而到达位于与该基板8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述多个半导体结构包含垂直发光二极管提供多个具有晶粒尺寸的半导体结构于一基板上，每个半导体结构包含一外延堆叠，提供一接收板件，该接收板件具有一弹性体聚合物层，该弹性体聚合安装所述多个具有晶粒尺寸的半导体结构与该弹性体聚合物层该基板与该接收板件执行一激光剥离LLO工艺，借由导引一均匀激光光束通过该基板到达位于该基板上的3形成多个具有晶粒尺寸的半导体结构于该基板上，每个半导体结构包含一外延堆叠，提供具有一弹性体聚合物层的一接收板件，该弹性体聚合物层包含一执行一激光剥离LLO工艺，借由导引一均匀激光光束通过该基板到达位于该基板上的一蓝宝石/GaN接口的一半导体层，以剥离所述多个半导体结构至该弹性体聚合物层之上，形成多个具有晶粒尺寸的半导体结构于该基板上，每个半导体结构包含一外延堆叠，提供一接收板件，该接收板件具有一弹性体聚合物层，该弹性体聚合执行一激光剥离LLO工艺，借由导引一均匀激光光束通过该基板到达位于该基板上的一蓝宝石/GaN接口的一半导体层，以剥离所述多个半导体结构至该弹性体聚合物层之上，形成多个具有晶粒尺寸的半导体结构于该基板上，每个半导体结构包含一外延堆叠，提供一接收板件，该接收板件具有一弹性体聚合物层，该弹性体聚合安装所述多个具有晶粒尺寸的半导体结构与该弹性体聚合物层使其与该接收板件上4执行一激光剥离LLO工艺，借由导引一均匀激光光束通过该基板到达位于该基板上的一蓝宝石/GaN接口的一半导体层，以剥离所述多个半导体结构至该弹性体聚合物层之上，提供多个具有晶粒尺寸的半导体结构于一基板上，每个半导体结构包含一外延堆叠，提供一接收板件，该接收板件具有一弹性体聚合物层，该弹性体聚合执行一激光剥离LLO工艺，借由导引一激光光束通过该基板到达位于该基板上的一蓝提供多个具有晶粒尺寸的半导体结构于一基板上，该基板包含多种化合安装所述多个具有晶粒尺寸的半导体结构于该基板与该执行一激光剥离LLO工艺，借由导引一均匀激光光束通过该基板而到达位于与该基板弹性体聚合物层担任一冲击吸收器及用于支持所述多个半导体结构的一粘着表面的工作；及选择一激光波长及功率，以在该激光剥离工艺期间，使该激光光束可5[0002]本发明要求于2019年8月28日提交的申请号为62/892,644的美国临时专利申请为光二极管(LightEmittingDiode,延或外延(Epitaxial)堆叠。譬如，垂直发光二极管(VerticalLightEmittingDiode,VLED)晶粒可被形成于一蓝宝石基板上，而伴随着借由使用共晶金属而形成的连续的副基[0005]图1A至图1C显示一种将发光二极管(LED)晶粒10(图1C)制造于一基板12上的已知方法。图1A显示数个半导体结构14的形成，而半导体结构14包含一p-GaN层16、多量子阱(MultipleQuantumWell,MQW)层18及一n-GaN层20。图1B显示多个开口部22的蚀刻连接副基板24形成于LED晶粒10上。图1C亦显示在基板12的激光剥离(LaserLift-Off,[0007]本揭露内容是针对一种使用激光剥离(LLO)从一基板剥离出数个半导体结构的方[0008]一种发光二极管(LED)晶粒的制造方法包含提供一基板及形成多个具有晶粒尺寸的半导体结构于基板上的初始步骤。此些半导体结构的配置将取决于被制造的LED晶粒的6[0010]此方法亦包含执行一LLO工艺的步骤，借由导引一均匀激光光束通过基板而到达位于与基板连接的一接口处的半导体层，以剥离此些半导体结构至弹性体聚合物层之上。此方法对于具有小于200μm的宽度及长度的迷[0012]在LLO步骤以后，此方法亦可包含从接收板件移除此些具有晶粒尺寸的半导体结体晶粒保持在接收板件上的一定位置。因为此些具有晶粒尺寸的半导体结构是在不需要LLO与副基板之前与邻近的半导体结构分开，所以可消除借由使用激光切割的一晶粒切割机(diesaw)使每个单一的半导体结构与邻近的结构分开的步骤，借以导致较低的成本及[0013]图1A至图1C为显示使用连接基板而执行的已知技术剥离(LaserLift-Off,LLO)[0017]图2D为显示在此方法的LLO步骤期间，聚焦于此些半导体结构的其中一个的一激7[0020]图4为显示以与由弹性体聚合物层施加的一粘着力呈物理接触的基板与接收板件[0021]图5为显示用以安装处于物理接触状态的基板与接收板件的例示顺序的概要流程[0024]图8为显示供LLO用且具有一旋涂式弹性体聚合物层的接收板件的例示特征的概[0025]图9A为显示此方法的LLO步骤的特征的概要剖面图，其中此些半导体结构可被选此具有晶粒尺寸的半导体结构被装设至基板及LLO区域，于此具有晶粒尺寸的半导体结构[0027]图10为以一覆晶发光二极管(FCLED)晶粒的型式存在的一完成的半导体结构的概并包含形成于基板30上的不同层的化合物些半导体结构32的正确构造将取决于被制造的LE[0030]GaN层34(图2E)可借由使用本技艺已知的技术而被异质-外延性成长于基板30(图8合物层44之间的间距Z1。此外，借由弹性体聚合物层44将一粘着力F施加至此些焊垫电极月3日，名称为“添加可固化硅酮压敏胶粘剂成分及其固化产品(AdditionCurableSiliconePressure-SensitiveAdhesiveCompositionandCuredProductThereof)”，9准分子激光可以是从F2准分子激光(155nm)到ArF准分子激光(198nm)。准分子激光一般使个或多个凹槽或平面以供预先对准用。[0043]利用放置在接收板件42的弹性体聚合物层44的表面上的具有晶粒尺寸的半导体限制层(P-层)64；一N型限制层(N-层)60；一个配置成发光且在此些限制层之间的活性层