2024 系统级封装（SiP）术语

GB/T44801—2024

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

通用术语

3…………………1

材料和基板术语

4…………………………2

工艺和封装术语

5…………………………4

参考文献

……………………10

索引

…………………………11

Ⅰ

GB/T44801—2024

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第二十九研究所中国科学院微电子研究所清华大学

:、、、

复旦大学天水七四九电子有限公司池州华宇电子科技股份有限公司

、、。

本文件主要起草人季兴桥于慧慧贾松良万里兮陆吟泉伍艺龙罗建强卢茜彭勇李彦睿

:、、、、、、、、、、

曾策徐榕青向伟玮董乐来晋明李习周屈新萍潘玉华代晓丽吕英飞李悦黎孟吕拴军高峰

、、、、、、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T44801—2024

系统级封装SiP术语

()

1范围

本文件界定了系统级封装在生产制造工程应用和产品试验等方面与材料工艺组装封装

(SiP)、、、、

相关的通用术语和专用术语

。

本文件适用于与系统级封装相关的生产科研教学和贸易等方面的应用

、、。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件

。

3通用术语

31

.

系统级封装systeminpackageSiP

;

将多种功能的芯片封装或它们的组合集成于单个封装内的系统或子系统它可任选地包含无源元

、,

件微机电系统光学元器件其他封装和器件

、(MEMS)、、。

注一般是单个封装内集成了一个系统或子系统

:SiP。

32

.

封装上系统systemonpackageSoP

;

将元器件封装系统或子系统集成到一个封装内

、、。

注是单个封装内集成了多个系统或子系统无源元件以薄膜形式集成在基板内是它的特点

:SoP,。

33

.

片上系统systemonchipSoC

;

在单个芯片上集成一个完整的系统或子系统

。

注一般包含微处理器及其模拟核或数字核或存储器或片外存储控制接口等

:IPIP。

34

.

异质异构集成heterogeneousintegration

通过微纳制造工艺实现不同材料不同工艺不同结构不同功能单元的集成

,、、、。

35

.

混合集成电路hybridintegratedcircuit

由半导体集成电路与膜集成电路任意结合或由任意这些电路与分立元件结合而形成的集成电路

,。

来源

[:GB/T12842—1991,2.1.11]

36

.

多芯片模块multi-chipmoduleMCM

;

多芯片组件

一种混合集成电路其内部装有两个或两个以上超大规模集成电路裸芯片

,。

37

.

多芯片封装multi-chippackageMCP

;

包含多个集成电路的封装

。

1

GB/T44801—2024

38

.

多芯片集成电路multi-chipintegratedcircuitMCIC

;

含两个或多个芯片的半导体集成电路

。

来源

[:GB/T2900.66—2004,521-10-10]

4材料和基板术语

41

.

热界面材料thermalinterfacematerialTIM

;

用于散热装置与发热器件之间降低它们接触热阻的导热材料

。

注热界面材料能为导热脂导热胶相变材料焊料等

:、、、。

42

.

底填料underfillmaterial

用于倒装底部与基板之间填充间隙的有机聚合物材料

。

43

.

各向异性导电胶anisotropicconductiveadhesive

垂直方向能导电水平方向不能导电的粘接胶

。

44

.

各向同性导电胶isotropicconductiveadhesive

垂直和水平方向都能导电的粘接胶

。

45

.

金刚石铜diamondcopper

金刚石颗粒和铜的复合材料

。

注通常金刚石体积分数为热导率热膨胀系数为-6

:40%~70%,550W/(m·K)~900W/(m·K),6×10/℃~

-6密度33抗弯强度一般用于大热耗器件半导体激光器射频

8×10/℃,5g/cm~6g/cm,200MPa~400MPa,、、

和微波封装热沉等

。

46

.

金刚石铝diamondaluminum

金刚石颗粒和铝的复合材料

。

注通常金刚石体积分数为热导率热膨胀系数为-6

:40%~70%,500W/(m·K)~700W/(m·K),7×10/℃~

-6弯曲强度一般用于大热耗器件半导体激光器射频和微波封装热沉等

10×10/℃,200MPa~300MPa,、、。

47

.

高硅铝合金highsiliconaluminum

硅含量在以上采用粉末冶金或喷射成型制成的硅和铝的复合材料

40%,。

注通常密度33热导率热膨胀系数为-6

:2.4g/cm~2.6g/cm,120W/(m·K)~140W/(m·K),7.5×10/℃~14×

-6用于高密度组件的封装外壳

10/℃,。

48

.

铝基碳化硅AluminumsiliconcarbideAlSiC

;

采用铝作为基体碳化硅作为增强体制成的复合材料铝与碳化硅之间有明显的界面界面冶金结

,,,

合并且没有不良界面反应

。

注铝基碳化硅充分发挥了碳化硅的低膨胀高导热和金属铝导电导热等优势具有高导热性与芯片相近的热膨

:、,、

胀系数低密度高硬度高刚度和高抗弯强度等特性

、、、。

2

GB/T44801—2024

49

.

封装基板packagesubstrate

为裸芯片或封装器件无源元件等元器件提供电气连接保护支撑散热有源无源器件埋入等功

、、、、、/

能的基板

。

注封装基板由硅基板陶瓷基板有机基板金属基板等组成

:、、、。

410

.

一体化基板integralsubstrate

既作为电路布线基板又作为电路封装外壳一部分的功能基板

,。

411

.

有机基板plasticsubstrate

由聚合物填充料添加剂等材料制作的基板实现多层层压打孔布线安装元器件等功能

、、,、、、。

412

.

硅基板siliconsubstrate

由硅材料制作的基板实现打孔布线安装元器件等功能

,、、。

注硅基板具有工艺兼容布线密度高与芯片热膨胀系数匹配热导热率高等优点

:、、、。

413

.

低温共烧陶瓷LTCC基板lowtemperatureco-firedceramicsubstrate

()

基体材料通常为氧化铝和玻璃的混合体在最高温度约为的环境中使生瓷与金属

,800℃~950℃

电子浆料共同烧结形成刚性高密度多层互连陶瓷基板

,。

414

.

高温共烧陶瓷HTCC基板hightemperatureco-firedceramicsubstrate

()

基体材料通常为氧化铝或氮化铝等在最高温度约为的环境中使生瓷与金属电

,1450℃~1650℃

子浆料共同烧结形成刚性高密度多层互连陶瓷基板

,。

415

.

微波印制基板microwaveprintedsubstrate

在微波基材的覆铜板上加工制成的印制板

,。

416

.

液晶高分子聚合物LCP基板liquidcrystalpolymersubstrate

()

一种高分子材料基板在熔融态时呈现液晶性可采用印制电路板加工工艺制作电路图形可实现

,,,

无源元件有源器件的埋置和集成

、。

注具有优异的耐热性能成型加工性能介电常数低损耗小热稳定性高机械强度大吸湿率低综合性能

:LCP、、、、、、、

优异适合应用于高频宽频超薄要求的系统封装中

,、、。

417

.

玻璃基板glasssubstrate

由玻璃材料制作的基板实现打孔布线安装元器件等功能

,、、。

418

.

金属基覆铜基板metalbasecoppercladelaminatesubstrate

由金属层铝铝合金铜等金属薄板绝缘介质层和铜箔复合制成的金属覆铜板可在上面制作印

(、、)、,

制电路

。

419

.

氧化铝陶瓷AlO基板aluminaceramicsubstrate

(23)

以氧化铝陶瓷为主体的基板常用于厚膜薄膜集成电路

,/。

3

GB/T44801—2024

420

.

氮化铝陶瓷AlN基板aluminumnitrideceramicsubstrate

()

以氮化铝陶瓷为主晶相的基板常用于厚膜薄膜集成电路

,/。

421

.

氧化铍陶瓷BeO基板berylliumoxideceramicsubstrate

()

以氧化铍为主要成分的基板常用作大功率电路散热

,。

422

.

碳化硅SiC基板siliconcarbidesubstrate

()

以碳化硅为主要成分的基板常用于功率电子电路中

,。

5工艺和封装术语

51

.

热压键合thermo-compressionbondingTCB

;

在特定温度和压力下将相同或不同材料的接触界面结合为一体的键合

,。

注一般用于铜铜金金之间的直接键合优点是键合电阻低

:-、-,。

52

.

金属共晶键合metaleutecticbonding

利用金属间合金反应在较低温度下通过低温共晶相变而实现的键合

,。

53

.

晶圆键合waferbonding

通过硅膜或者带玻璃的硅膜或金属膜将两个晶圆整体表面相连接的一种技术

。

注通过物理和化学作用将两个晶圆紧密结合起来界面产生反应形成共价键结合成一体

:,。

54

.

临时键合temporarybonding

利用辅助圆片的支撑完成功能晶圆的减薄再布线凸点制备三维集成等工艺过程最后通过解键

、、、,

合工艺去除辅助圆片的工艺

。

55

.

混合键合hybridbonding

在高洁净环境中将两个待键合的芯片或晶圆进行常温预键合和高温退火键合界面金属相互扩散

,,

实现电气互连键合介质实现机械支撑的工艺

,。

注混合键合不需要突起的凸点能将互连间距缩小到以下获得更高的载流能力和互连密度

:,10μm,。

56

.

侧面互连法sideinterconnectionmethod

将芯片或叠层以后在叠层体的一个侧面或多个侧面上制作金属互连方法

MCM,。

57

.

面阵互连法surfacearrayinterconnectionmethod

互连焊点以阵列形式分布在芯片表面上的互连方法

。

58

.

自由空间光互连法freespaceopticalinterconnectmethod

一种短距离互连方法光线在自由空间传播实现相同或不同封装芯片间的信息直接连接无需任何

,,

4

GB/T44801—2024

其他中间介质实现大尺寸并行光学开关

,。

59

.

可控塌陷芯片焊接controlledcollapsechipconnectionC4

;

采用回流焊接方法把植有焊料球的倒装芯片或器件焊接在基板上焊球熔化塌陷后的支撑

,BGA,

高度可控

。

510

.

高频感应钎焊highfrequencyinductionbrazing

利用电磁场感生涡流并产生焦耳热实现的焊接

。

511

.

底部填充underfill

在倒装芯片底部与基板之间为了加固芯片与基板的结合利用液体毛细作用填充底填料的工艺

。

512

.

陶瓷多芯片组件multichipmodule-ceramicMCM-C

;

采用高密度厚膜多层布线陶瓷基板制成的一种多芯片组件

。

513

.

沉积/薄膜多芯片组件multichipmodule-depositedthinfilmMCM-D

;

在硅基陶瓷或金属基板上采用高密度薄膜多层布线基板制成的多芯片组件

、。

514

.

层压基板多芯片组件multichipmodule-laminateMCM-L

;

采用高密度多层印制电路板制成的多芯片组件

。

515

.

共烧/沉积型混合多芯片组件MCM-depositedorganicthinfilmoncofiredceramicMCM-C/D

;

在共烧多层陶瓷基板表面制作有高密度薄膜多层布线薄膜与厚膜陶瓷一体化混合多层互连基板

,,

所制成的多芯片组件

。

516

.

硅基板多芯片组件multichipmodule-siliconMCM-Si

;

采用硅基板制作薄膜多层布线所制成的多芯片组件

。

517

.

挠性基板上芯片chip-on-flexCoF

;

在挠性基板上直接安装半导体裸芯片

。

518

.

玻璃基板上芯片chip-on-glassCoG

;

在玻璃基板上直接安装半导体裸芯片

。

519

.

芯片尺寸封装chipsizepackageCSP

;

封装面积与芯片面积之比不大于的封装

1.2∶1。

520

.

晶圆级封装waferlevelpackagingWLP

;

在划片前完成的封装直接在晶圆上进行大部分或全部封装和测试然后再切割成单独的器件即

。,,

在晶圆划片前完成器件的封装

。

来源

[:IEC62047-1:2016,2.6.10]

5

GB/T44801—2024

521

.

晶圆级芯片尺寸封装waferlevelchipscalepackageWLCSP

;

直接在整片晶圆上进行大部分或全部封装和测试然后再切割成单独的芯片封装面积与芯片面积

,,

之比不大于的封装

1.2∶1。

522

.

倒装芯片flipchipFC

;

包含有电路元件的一种无引线单片结构通过适当数量的凸焊点使其电气或机械互连到电路上

,,。

此外也把芯片面朝下用焊料进行焊接

,。

523

.

铜柱copperpillar

用于倒装芯片与基板之间互连的柱状铜凸点

。

524

.

金凸点goldbump

用于倒装芯片与基板之间互连的镀金或金球凸点

。

525

.

焊料凸点solderbump

用于倒装芯片与基板之间互连的焊接凸点

。

526

.

埋置embedded

在基板基板有机基板硅基板内埋入电容电阻电感或有源器件

(LTCC、、)、、。

527

.

芯片堆叠diestack

将多个裸芯片在垂直方向上重叠安装在一起

。

528

.

再布线层redistributionlayerRDL

;

在晶圆或封装基板中为满足芯片引脚的重新排布要求而增加的布线层

。

529

.

扇出FO型封装fanoutpackage

()

采用将裸芯片的端口向外重新布局引出的一种封装

RDLI/O。

注1扇出示例见图

:1。

注2通常用晶圆级封装技术或者板级封装技术实现

:。

6

GB/T44801—2024

标引序号说明

:

芯片

a———;

扇出区域模塑

b———;

芯片

c———I/O;

d———RDL;

焊球

e———。

图1扇出示例

530

.

扇入FI型封装faninpackage

()

采用将裸芯片的端口向内重新布局的一种封装

RDLI/O。

注扇入示例见图

:2。

标引序号说明

:

芯片

a———;

芯片

b———I/O;

c———RDL;

焊球

d———。

图2扇入示例

531

.

转接板interposer

在芯片与芯片芯片与基板之间增加的用于互连和提升堆叠便利性的中间互连片

、。

注转接板材料通常为硅玻璃或者有机化合物

:、。

532

.

封装堆叠packageonpackagePoP

;

将多个已封装器件或组件在垂直方向上重叠安装在一起

。

注封装堆叠示例见图

:3。

7

GB/T44801—2024

标引序号说明

:

芯片

a———;

模塑

b———;

基板

c———;

焊球

d———。

图3封装堆叠示例

533

.

封装内堆叠packageinpackagePiP

;

将一个或多个封装与另外的封装通过倒装堆叠方式安装到基板上形成一个新的封装

、。

注封装内堆叠示例见图

:4。

标引序号说明

:

芯片

a———;

内模塑

b———;

外模塑

c———;

焊球

d———;

基板

e———;

焊球

f———。

图4封装内堆叠示例

534

.

2.5D集成2.5Dintegration

将一个或多个裸芯片组装在含有转接板上面的集成

。

535

.

3D集成threedimensionalintegration

将多个有源芯片或模块通过垂直互连技术形成三层及以上堆叠的集成

。

536

.

芯片堆叠晶圆chiptowaferC2W

;

将芯片在晶圆上直接堆叠互连

。

537

.

晶圆堆叠wafertowaferW2W

;

将晶圆与晶圆直接堆叠互连

。

8

GB/T44801—2024

538

.

芯粒chiplet

将现有的大芯片按功能切分成能够复用的小芯片然后再进行二维集成

IP,。

注芯粒是一个复用模式以裸片的形式提供

:IP,。

539

.

封装天线antennainpackageAiP

;

通过封装材料与工艺将天线与含有芯片的封装一体化集成

,。

540

.

片上天线antennaonchipAoC

;

通过半导体材料与工艺将天线与其他电路集成在同一芯片上

,。

541

.

陶瓷通孔throughceramicviaTCV

;

陶瓷基板上下表面电气互连的通道

。

542

.

硅通孔throughsiliconviaTSV

;

硅基板或芯片上下表面电气互连的通道

。

来源

[:IEC62047-1:2016,2.6.10]

543

.

玻璃通孔throughglassviaTGV

;

玻璃基板上下表面电气互连的通道

。

544

.

晶圆级系统封装waferlevelsysteminpackageWLSiP

;

以晶圆级封装工艺为基础实现的系统级封装

。

545

.

陶瓷焊球阵列ceramicballgridarrayCBGA

;

采用陶瓷作为封装材料在其基板底部制作焊球阵列

,I/O。

546

.

陶瓷焊柱阵列ceramiccolumngridarrayCCGA

;

采用陶瓷作为封装材料在其基板底部制作焊柱阵列

,I/O。

547

.

塑封焊球阵列plasticballgridarrayPBGA

;

采用塑料作为封装材料在有机基板底部制作焊球阵列

,I/O。

548

.

高密度多层互连highdensitymultilayerinterconnectingHDMI

;

在硅陶瓷玻璃或有机基板上制成的高密度多层互连线路

、、。

549

.

集成无源元件integrationpassivedeviceIPD

;

将电阻电感电容等无源元件集成在基板内

、、。

注采用相关工艺技术将电阻电感电容等无源元件集成的电子器件

:、、。

550

.

多项目晶圆multiprojectwafer

可容纳多个具有相同工艺的集成电路并实现同时流片的单片晶圆

。

9

GB/T44801—2024

参考文献

膜集成电路和混合膜集成电路术语

[1]GB/T12842—1991

[2]IEC62047-1:2016Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—Part1:Terms

anddefinitions

10

GB/T44801—2024

索引

汉语拼音索引

硅基板………412

B.

硅基板多芯片组件…………516

.

玻璃基板……417硅通孔………542

..

玻璃基板上芯片……………518

.H

玻璃通孔……543

.

焊料凸点……525

C.

混合集成电路…………………35

.

侧面互连法……56混合键合………55

..

层压基板多芯片组件………514

.J

沉积/薄膜多芯片组件………513

.

集成无源元件………………549

D.

金刚石铝………46