CN114676570B 一种仿真模型确定方法、芯片分类方法和相关设备 （海光信息技术股份有限公司）

业区海泰西路18号北2-204工业孵化-A,2008.04.02A,2019.12.13A,2022.02.18A,2021.02.19域的芯片进行仿真，提高仿真模型仿真的准确2获取在各工艺角条件下制作的半导体器件的测试数据，所述半根据所述测试数据与初始仿真模型的仿真数据的相似度，将所述根据所述不同区域的芯片的测试数据，确定的所述初始仿真模型的仿真参数调整值，所述特征数据至少包括晶体管的阈值电压测量值、等效电流测量值和漏电流测量值；根据各工艺角条件下制作的半导体器件的测试数据与所述初始仿真模型的各工艺角的半导体器件的测试数据与所述初始仿真模型的对应工艺角条件下仿真数据的相似度包至少根据任一工艺角条件下确定的所述阈值电压测量值与所述阈值电压仿真值的相将所述半导体器件划分为中心区域和边缘区域，所述中心区域的芯述仿真数据的相似度大于所述边缘区域的芯片的测试数据与所述仿真数据的根据所述芯片对应的最佳仿真模型，确定所述芯片的性能参数与所根据所述芯片的性能参数与所述测量结构的性能参数的函数关系，根据所述第一性能参数的目标值以及所述第一性能参数和第二性能参数的函数关系，3根据所述测量数据以及所述实际仿真数据，确定所述芯片的性能参数与第一获取单元，用于获取在各工艺角条件下制作的半导体器第一处理单元，用于根据所述测试数据与初始仿真模型同区域的芯片的测试数据与所述仿真数据的第二处理单元，用于根据所述不同区域的芯片的测试数据，所述特征数据至少包括晶体管的阈值电压测量值、等效电流测量值和漏电流测量值；根据各工艺角条件下制作的半导体器件的测试数据与所述初始仿真模型的各工艺角一工艺角条件下制作的半导体器件的测试数据与所述初始仿真模型的对应工艺角条件下至少根据任一工艺角条件下确定的所述阈值电压测量值与所述阈值电压仿真值的相将所述半导体器件划分为中心区域和边缘区域，所述中心区域的芯述仿真数据的相似度大于所述边缘区域的芯片的测试数据与所述仿真数据的4第二获取单元，用于获取芯片内测量结构的测量数第三处理单元，用于根据所述芯片对应的最佳仿真模型，确定第四处理单元，用于根据所述芯片的性能参数与所述测量结构的性能参数的函数关第五处理单元，用于根据所述第一性能参数的目标值以根据所述测量数据以及所述实际仿真数据，确定所述芯片的性能参数与16.根据权利要求14所述的芯片分类装置，其特征在于，所述第一性能参数为工作频处理器，执行所述至少一组指令执行如权利要求1至5任一项所述的仿真模型确定方一组指令用于使执行如权利要求1至5任一项所述的仿真模型确定方法，或者如权利要求65[0002]在芯片设计中，通常采用SPICE(SimulationProgramWithIntegrated[0013]根据所述第一性能参数的目标值以及所述第一性能参数和第二性能参数的函数67[0031]图1为晶圆中心区域的PMOS晶体管和边缘区域的PMOS晶体管的电压电流特性曲线[0038]在芯片设计中，晶圆代工采用SPICE模型来表征晶圆生产过程中正常工艺波动对体制造工艺(如FAB工艺)的不均匀性，会导致晶圆中心区域和边缘区域的芯片内器件特性[0044]为了提高生产效率，通常都是在同一个晶圆以及相同工8常根据前述5个工艺角所共同确定的四边形区域表示可接数据的相似度大于边缘区域S2的芯片的测试数据与仿真数9根据各工艺角条件下制作的半导体器件的测试数据与初始仿真模型的各工艺角条件下仿[0058]至少根据任一工艺角条件下确定的阈值电压测量值与阈值电压仿真值的相似度、等效电流测量值与等效电流仿真值的相似度以及漏电流测量值与漏电流仿真值的相似度，确定工艺角条件下制作的半导体器件的测试数据与初始仿真模型的对应工艺角条件下仿工艺角条件下制作的半导体器件的测试数据与初始仿真模型的对应工艺角条件下仿真数[0061]将半导体器件划分为至少两个区域之后，对各个区域的芯片的测试数据进行分如大于初始仿真模型的仿真数据与该区域的芯片的测试数据[0070]由于同一半导体器件如晶圆上不同区域的芯片对应的最得芯片的第一性能参数如工作频率与芯片的第二性能参数如工作电压的函[0074]S404：根据第一性能参数的目标值以及第一性能参数和第二性能参数的函数关[0075]为了减少芯片制造过程中工艺误差的影响，使得芯片的性能与功耗达到最佳平将芯片的工作电压调整到维持预设工作频率的[0085]特征数据至少包括晶体管的阈值电压测量值、等效电流测量[0087]根据各工艺角条件下制作的半导体器件的测试数据与初始仿真模型的各工艺角测试数据与初始仿真模型的对应工艺角条件下[0089]至少根据任一工艺角条件下确定的阈值电压测量值与阈值电压仿真值的相似度、等效电流测量值与等效电流仿真值的相似度以及漏电流测量值与漏电流仿真值的相似度，确定工艺角条件下制作的半导体器件的测试数据与初始仿真模型的对应工艺角条件下仿据的相似度大于边缘区域的芯片的测试数据与仿半导体器件上不同区域的芯片对应的最佳仿[0095]第四处理单元62，用于根据芯片的性能参数与测量结构性能参数与测量结构的性能参数的函数关系包括：根据芯片对应的