CN114695054B 可配置的法拉第屏蔽体及其操作方法、等离子体处理装置 （北京屹唐半导体科技股份有限公司）

司US2006174834A1,2006.08.10本公开提供了可配置的法拉第屏蔽体及其体的至少一部分至少在第一位置和第二位置之2多个肋状体，所述肋状体中的每个肋状体沿所述圆锁定构件，至少在第一位置和第二位置之间可移动，以经由所将所述可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分移动到第一位置，3在所述可配置的法拉第屏蔽体的所述至少一部分处于所述将所述可配置的法拉第屏蔽体的所述至少一部分从所述第一将所述可配置的法拉第屏蔽体的所述至少一部分移动到所述第一位置包括将所述可将所述可配置的法拉第屏蔽体的所述至少一部分从所述第一位置移动到所述第二位置包括将所述可配置的法拉第屏蔽体的所述锁定构件从所述第一位置移动到所述第二位蔽体包括施加射频功率以将所述可配置的法拉第屏蔽体电容耦合到与围绕所述可配置的可配置的法拉第屏蔽体，定位于所述等离子体室的外侧，其中，所述可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分至至少一个锁定构件，至少在所述第一位置和所述第二位置之个导电带中的对应导电带将所述多个肋状体中的每个肋状体选择性地耦合到所述第一射4第一锁定构件，至少在所述第一位置和所述第二位置之间第二锁定构件，至少在所述第一位置和所述第二位置之间5[0002]本本申请要求于2020年12月28日提交的名称为“可配置的法拉第屏蔽体程等离子体室中生成的等离子体的中性物质(例如自由基)穿过隔栅进入处理室以处理工[0005]本公开的实施例的方面和优点将在以下描述中部分阐述，或者可以从描述中获[0007]另一方面，提供了一种操作等离子体处理装置的可配置的法拉第屏蔽体的方可配置的法拉第屏蔽体的至少一部分处于第一位置时向可配置的法拉第屏蔽体施加射频6[0012]图2描绘了根据本公开的示例性实施例的在第一位置具有可移动构件的可配置的[0013]图3描绘了根据本公开的示例性实施例的不带锁定构件的图2的可配置的法拉第[0015]图5描绘了根据本公开的示例性实施例的在第二位置具有可移动构件的可配置的[0017]图7描绘了根据本公开的示例性实施例的在第三位置具有可移动构件的可配置的[0019]图9描绘了根据本公开的示例性实施例的处于第一位置的可配置的法拉第屏蔽体[0020]图10描绘了根据本公开的示例性实施例的处于第二位置的可配置的法拉第屏蔽[0021]图11描绘了根据本公开的示例性实施例的电浮动的等离子体处理装置的可配置[0023]图13描绘了根据本公开的示例性实施例的电接地的等离子体处理装置的可配置[0024]图14描绘了根据本公开的示例性实施例的控制操作可配置的法拉第屏蔽体的方7而易见的是，在不脱离本公开的范围或精神的情况下可以对实施例进行各种修改和变化。[0029]在一些实施方式中，锁定构件可以围绕轴线旋转并且沿着[0030]根据本公开的示例性实施例的可配置的法拉第屏蔽体可以提供许多益处和技术[0032]现在参考附图，图1描绘了根据本公开的示例性实施例的示例性等离子体处理装8子体处理装置100可以包括被配置为将处理室110与等离子体室120分开平行。第一栅板132可以具有带有多个孔的第一栅图案(firstgridpattern)。第二栅板[0034]带电粒子(例如离子)可以在它们通过隔栅组件130中的每个栅板132、134的孔的路径中的壁上重组。中性物质(例如自由基)可以相对自由地通过第一栅板132和第二栅板[0035]如图所示，等离子体处理装置100可以包括被设置在处理室110内的工件支撑件圈142可以通过合适的匹配网络146电耦合到RF功率发生器[0037]处理气体可以从气体供应部150和气体分配通道151或其他合适的气体引入机构以包括接地的法拉第屏蔽体128，其定位成减少感应线圈142与远程等离子体102的电容耦[0038]等离子体处理装置100可操作以在等离子体室120中生成远程等离子体102(例如远程等离子体)。此外，等离子体处理装置100可操作以在处理室110中生成直接等离子体如电容耦合的等离子体源(例如与接地屏蔽[0039]更具体地，等离子体处理装置100包括具有在工件支撑件112中的偏置电极160的偏置源。偏置电极160可以经由合适的匹配网络164耦合到RF功率发生器162。当偏置电极160通过RF能量激励时，直接等离子体104可以在处理室110中由经过滤混合物或处理气体9DC偏置可被施加到工件114以加速来自第一等离子体502和/或第二等离子体504的某些物系统，其被配置为例如经由气体分配通道151或其他分配系统(例如喷头)将工艺气体输送体流量控制器来控制进料气体管线159，以将期望量的气体作为工艺气体输送到等离子体室120中。气体输送系统可用于输送任何合适的工艺气体。示例性工艺气体包括含氧气体(例如32F2363200的第一RF接地平面220和可配置的法拉第屏蔽体200的第二RF接地平面222之间。此外，在一些实施方式中，可配置的法拉第屏蔽体200可以包括第一介电间隔件230和沿着轴向A232可以沿轴向A被耦合在第二RF接地平面222和多个状体耦合至RF接地平面(例如第一RF接地平面220)，使得可配置的法拉第屏蔽体200电接定构件250可将多个导电带240中的每个导电带的第二部分244压靠在第一介电间隔件230定构件250将多个导电带240中的每个导电带的第三部分246压靠在第一RF接地平面220上。[0048]在一些实施方式中，可配置的法拉第屏蔽体件200可以包括第二锁定构件(未示蔽体200可以完全电接地，使得多个肋状体210中的每个肋状体经由多个导电带240中的对[0049]在一些实施方式中，锁定构件250在第一位置和第二位置之间的移动可通过用户制锁定构件250的移动，其中在定位于等离子体处理装置的处理室内的工件上执行这些数[0050]现在参考图9和图10，根据本公开的示例性实施例，提供了具有在至少第一位置(图9)和第二位置(图10)之间可移动的锁定构件310的可配置的法拉第屏蔽体300。在一些个导电带330中的每个导电带的第一端可被耦合到锁定构件310，而多个导电带330中的每限定的腔体324的外侧，使得锁定构件310不接触(例如触碰)被设置在腔体324内的可配置[0053]现在参考图11至图13，根据本公开的示例性实施例，提供了等离子体处理装置[0056]等离子体处理装置400可以包括定位于感应线圈142和处理室410的外表面414之[0057]可配置的法拉第屏蔽体430可以沿轴向A在至少第一位置(图11和图12)和第二位第屏蔽体430处于第一位置时，可配置的法拉第屏蔽体430可以沿着轴向A与顶板440间隔屏蔽体430处于第二位置时，可配置的法拉第屏蔽体430的基部432可以接触(例如触碰)顶一位置，用户则可以在顶板440和可配置的法拉第屏蔽体430的基部432之间插入间隔件置可以包括被配置成驱动可配置的法拉第屏蔽体430沿着轴向A在第一位置和第二位置之430处于第一位置(图11和12)时，气隙将被限定在顶板440和可配置的法拉第屏蔽体430的供的公开内容将理解，在不偏离本公开内容的范围的情况下，方法500的各个步骤可被调射频接地平面去耦合，使得可配置的法拉第屏蔽体在用于工件的等离子体处理工艺(例如二位置可以包括将可配置的法拉第屏蔽体的锁定构件从第一位置移动到第二位置。例如，在一些实施方式中，将锁定构件从第一位置移动到第二位置可以包括沿轴线移动(例如平第二位置可以包括将整个可配置的法拉第屏蔽体沿轴线(例如轴向)从第一位置移动到第得可以操作电动机以将可配置的法拉第屏蔽体移