CN114730815B 制造多色发光像素单元的方法 （上海显耀显示科技有限公司）

2022.03.09PCT/IB2020/0007342WO2021/048623EN2021.03.18号US2019164945A1,2019.05.30JP2006179573A,2006.07.06以及选择性地刻蚀所述堆叠结构以形成第一发管包括所述第一金属层和所述第一类型的发光2在基板上形成堆叠结构，所述堆叠结构按从下至上的顺序包对所述第二类型的发光层和所述第二金属层进行图案化，直到暴露选择性地蚀刻所述堆叠结构以形成第一发光晶体管和第二发光晶体管，所形成连续覆盖整个所述第一发光晶体管和整个所述第二发光晶体管在所述隔离层中形成第一开口和第二开口，所述第一开口暴露形成连续覆盖所述隔离层、整个所述第一发光晶体管和整个所述第二发光的发光层并且经由所述第二开口接触所述第二发光晶体管中的所述第在所述基板从所述基板从下至上形成所述第一金属层和所述第在第一基底上从所述第一基底从下至上形成所述第二类型的发光层和第二金属接合3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述基板从所述基板从下至上形成所述第一金在第二基底上从所述第一基底从下至上形成所述第一类型的发光层和第四金属接合在所述第一类型的发光层的顶部上形成所述第一金属接合层在所述第一类型的发光层或所述第二类型的发光层中的至少一个中形成在所述第一类型的发光层和所述第二类型的发光层两者中形成其中在所述第一类型的发光层中的所述微间隙结构相对于在所述第二类型的发光层39.根据权利要求8所述的方法，其中电连接所述第二发光晶体管中的所述第一金属层移除所述第二发光晶体管中的所述第二类型的发光层的一部分在所述第二发光晶体管中的所述第二金属层的暴露的顶部部分和侧壁上以及在所述第二发光晶体管中的所述第一类型的发光层和所述第一金属层的发光层的顶部上的第三金属层以及形成在所述第三金属层的顶部上的第三类型的发光层，选择性地蚀刻所述堆叠结构进一步包括选择性地蚀刻所述堆叠结构以形成所述第一在所述基板上从下至上形成所述第一金属层、所述第一类型在基底上从所述基底从下至上形成所述第三类型的发光层和减薄所述第一类型的发光层、所述第二类型的发光层或所述第三在所述第一类型的发光层、所述第二类型的发光层或所在所述第一类型的发光层、所述第二类型的发光层和所述第其中在所述第一类型的发光层中的所述微间隙结构相对于在所述第二类型的发光层其中在所述第二类型的发光层中的所述微间隙结构相对于在所述第三类型的发光层电连接所述第二发光晶体管中的所述第一金属层和所述第二金属层以及电连接所述416.根据权利要求15所述的方法，其中电连接所述第二发光晶体管中的所述第一金属移除所述第二发光晶体管中的所述第二类型的发光层的一部分移除所述第三发光晶体管中的所述第三类型的发光层的一部分在所述第二发光晶体管中的所述第二金属层的暴露的顶部和侧壁上以及在所述第二及在所述第三发光晶体管中的所述第三金属层的暴露的顶部和侧壁上以及在所述第三所述方法进一步包括在所述隔离层中形成第三开口，所述第三开口暴露所述顶部电极层经由所述第三开口接触所述第三发光晶体管中的所述第三类型的发5[0002]本申请要求于2019年9月11日提交的美国专利申[0012]图6是展示根据本公开文本的实施方案的制造在图1中所展示的多色发光像素单[0013]图7至图10是展示根据本公开文本的实施方案的在图6中的方法的步骤中形成的6[0015]图12至图21是展示根据本公开文本的实施方案的在图11中的步骤中形成的结构[0017]图23至图25是展示根据本公开文本的实施方案的在图22中的步骤中形成的结构[0018]图26和图27是展示根据本公开文本的实施方案的在制造第一电连接器的过程中[0019]图28是展示根据本公开文本的实施方案的具有微间隙结构的多色发光像素单元[0020]图29是展示根据本公开文本的实施方案的制造在图3中所展示的多色发光像素单[0021]图30至图34是展示根据本公开文本的实施方案的在图29中的方法的步骤中形成[0023]图36是根据本公开文本的实施方案的形成在三种类型的发光层中的微间隙结构[0025]图38至图40是展示根据本公开文本的实施方案的在图37中的步骤中形成的结构[0027]在下文中，结合图1至图40，通过本公开文本的实施方案来进一步描述本公开文部导电层之间的发光层。所有的发光晶体管共享相同的上部导电层和相同的底部导电层。第M类型的发光层中的任一个与第一类型的发光层不同。本公开文本还提供了一种包括呈7[0030]图1是展示根据本公开文本的实施方案的多色发光像素单元1000的截面视图。参的实施方案中，在第一类型的LED01与第二类型的LED02之间的隔离结构07是隔离沟槽。一区段101-1和第一类型的发光层的第一区段102-1。第一金属层的第一区段101-1构成第结构07还将第一类型的LED01中的第一类型的发光层的第一区段102-1与第二类型的LED接器203可以仅附接到并接触第二类型的LED02中的第二金属层的第一区段201-1和第一和第一金属层的第二区段101-2的侧壁。在第二类型的LED02中的第一金属层的第二区段电连接器203遵循第二类型的LED02的侧壁的表[0032]参照图1，顶部隔离层04和顶部透明导电层05被布置在第一类型的LED01中的第一类型的发光层的第一区段102-1和第二类型的LED02中的第二类型的发光层的第一区段8发光层的第一区段1021和第二类型的发光层的第一区段01中的第一金属层的第一区段101-1和第二类型的LED02中的第一金属层的第二区段1012电连接。由于第一电连接器203与第二类型的LED02中的第一金属层的第二区段101-2连[0034]图2是展示根据本公开文本的实施方案的多色发光像素单元2000的截面视图。参段301-1和第三类型的发光层的第一区段302-1，以及连接第一金属层的第三区段101-3和且具有开口，所述开口暴露第一类型的LED01中的第一类型的发光层102-1的第一区段的一部分、第二类型的发光层的第一区段202-1的一部分以及第三类型的发光层的第一区段[0036]图3是展示根据本公开文本的实施方案的多色发光像素单元3000的截面视图。参[0037]图4是根据本公开文本的实施方案的多色发光像素单元4000的俯视图。多色发光像素单元4000可以是图2中所展示的多色发光像素单元2000或图3中所展示的多色发光像9中所展示的，第一类型的LED01按从下至上的顺序至少包括第一金属层的第一区段101-1和第一类型的发光层的第一区段102-1。第二类型的LED02按从下至上的顺序至少包括第从下至上的顺序至少包括第一金属层的第三区段101-3、第一类型的发光层的第三区段3与基板100电连接。第二类型的LED02中的第一电连接器203将第二金属层的第一区段201-1与第一金属层的第二区段101-2电连接。第三类型的LED03中的第二电连接器303将第三金属层的第一区段301-1与第二金属层的第二区段201-2和第一金属层的第三区段型的LED02中的第一金属层的第二区段101-2和第三类型的LED03中的第一金属层的第三的LED02中的第一类型的发光层的第二区段102-2和第三类型的LED03中的第一类型的发类型的LED03中的第二金属层的第二区段201-2隔离，并且将第二类型的LED02中的第二类型的发光层的第一区段202-1与第三类型的LED03中的第二类型的发光层的第二区段光层的第二区段102-2与第一金属层的第二区段101-2连接，而第二电连接器303用于将第三类型的LED03中的第二类型的发光层的第二区段202-2和第一类型的发光层的第三区段第一电连接器203还将第一类型的发光层的第二区段102-2与第一金属层的第二区段101-2类型的发光层的第二区段102-2与第一金属层的第二区段101-2连接。第二电连接器303还二区段202-2和第二金属层的第二区段201-2与第一金属层的第三区段101-3连接。替代性二区段201-2和第一类型的发光层的第三区段102-3与第一金属层的第三区段101-3连接。部透明导电层05与第一金属层的第一区段101-1之间的电压被施加到红色发光层的第一区第一电连接器203将红色发光层的第二区段102-2与第一金属层的第二区段101-2电连接，使得施加在顶部透明导电层05与第一金属层的第二区段101-2之间的电压仅施加到绿色发接器303将红色发光层的第三区段102-3和绿色发光层的第二区段202-2与第一金属层的第表面以及第三类型的发光层的第一区段302-1[0041]对具有至少三种类型的LED的多色发光像素单元3000中的基板100的详细描述对二类型的发光层202可以具有微间隙结构，或者第三类型的发光层302可以具有微间隙结展示的多色发光像素单元1000至3000中的微间隙结构中的每一个可以是但不限于空气间[0043]图5是展示根据本公开文本的实施方案的多色发光像素单元5000的截面视图。如的微间隙结构06不与第二类型的发光层202中的微间隙结构06竖直对准，并且第二类型的二类型的LED02和第三类型的LED03中的每一个中，在第一类型的发光层102中的微间隙结构被隔离和密封在第一类型的发光层102顶部的第二金属层201与其底部的第一金属层封在第二发光层202顶部的第三金属层301与其底部的第二金属层201之间，并且在第三类型的发光层302中的微间隙结构06被隔离和密封在第三类型的发光层302的顶部的顶部隔被隔离和密封在分别处于相对发光层的顶部和底部M类型的LED至少包括第(M-1)类型的LED中构造的所有发光层和金属层以及第M发光层和第接器的布置可以参照对图1中的第一电连接器203的描述。第一至第(M-1)电连接器连接第一种类型LED的顶部隔离层具有其开口，并且透明导电层覆盖顶部隔离层的表面并被填充[0049]图6是展示根据本公开文本的实施方案的制造图1所示的多色发光像素单元的方第二金属层201布置在第一类型的发光层102与第二发光[0052]图11是展示根据本公开文本的实施方案的在图6中的步骤S601的细节的流程图。图12至图21是展示根据本公开文本的实施方案的在图11中所展示的步骤中形成的结构的形成第一类型的发光层102，并且在第一类型的发光层102的顶部上形成第二金属接合层102中形成微间隙结构06。微间隙结构06是通过但不限于光刻法和刻蚀形成的。在光刻法[0064]返回参照图6至图10，在下文中将进一步描述根据本公开文本的实施方案的在步101进行刻蚀，从而将第一类型的发光区A01中的第一类型的发光层102与第二类型的发光区A02中的第一类型的发光层102进行划分，并且将第一类型的发光区A01中的第一金属层第一金属层的第一区段101-1和第一类型的发光层的第一区段102-1的第一类型的LED01，的第一区段201-1和第二类型的发光层的第二区段202-1的第二类型属层101进行刻蚀的过程是通过光刻法和刻蚀来执行的。刻蚀过程的参数可以根据实际需光区A02中的第二类型的发光层的第一区段202-1的顶部上形成用作第二金属层201的引出[0071]图22是展示根据本公开文本的实施方案的在图6中的步骤S604的细节的流程图。图23至图25是展示根据本公开文本的实施方案的在图22中所展示的步骤中形成的结构的[0073]在步骤S402中，参照图24，在第二类型的发光区A02中的第二金属层的第一区段[0074]图26至图27是展示根据本公开文本的实施方案的在制造第一电连接器203的步骤类型的发光层的第二区段102-2的侧壁和第一金属层的第二区段10[0076]在步骤S4022中，参照图27，在完成步骤S4021之后，在基板100上沉积导电材料第二区段102-2的侧壁上和第一金属层的第二区段101-2的侧壁上形成第一的发光区A02和暴露的基板100的表面。隔离层04在第一类型的发光区A01的第一类型的发光层的第一区段102-1和第二类型的发光区A02的第二类型的发光层的第一区段202-1上具光区A01中的第一类型的发光层的第一区段102-1和第二类型的发光区A02中的第二类型的光像素单元在第一类型的发光层102和第二类型的发光层202中具有微间[0082]图29是展示根据本公开文本的实施方案的制造如图3所示的多色发光像素单元3000的方法的流程图。图30至图34是展示根据本公开文本的实施方案的在图6中所展示的[0083]在步骤S701中，参照图30，在基板100上按从下至上的顺序形成包括第一金属层第三类型的发光层302从下至上堆叠在基板100上。将第一金属层101形成在第一类型的发形成在第三类型的发光层302的底部。将第二金属层201布置在第一类型的发光层102与第二类型的发光层202之间。将第三金属层301布置在第二类型的发光层202与第三类型的发[0084]图35是展示根据本公开文本的实施方案的在图29中的步骤S701的细节的流程S809中形成的结构在附图中未示出。但是本领域技术人员可以参考上述实施方案的步骤S101至S109来理解本实施方案的步骤二金属接合层可以通过但不限于物理气相沉积(诸如蒸并且将第二金属接合层与第一金属接合层接合以形并且然后将第四金属接合层与第三金属接合层接合以形并且然后将第六金属接合层与第五金属接合层接合以形[0098]图36展示了第一类型的发光层102、第二类型的发光层202和第三类型的发光层发光层302和第三金属层301进行图案化的过程还包括：对第一类型的发光层102的顶部进图案化，直到暴露第一类型的发光层202的顶部的一部分为止，由此在第一类型的发光层将第一类型的发光区A01中的第一类型的发光层102与第二类型的发光区A02和第三类型的发光区A03中的第一类型的发光层进行划分，将第一类型的发光区A01中的第一金属层101发光区A02中的第二类型的发光层202与第三类型的发光区A03中的第二类型的发光层进行划分，并且将第二类型的发光区A02中的第二金属层201与第三类型的发光区A03中的第二类型的发光层的第一区段102-1的第一类型的LED01；包括第一金属层的第二区段101-2、发光层的第三区段102-3、第二金属层的第二区段201-2、第二类型的发光层的第二区段202-2、第三金属层的第一区段301-1和第三类型的发光层的第一区段302-1的第三类型的光层的第一区段202-1和第三类型的发光层中的第一区段302-1的顶部上形成用作第二金属层的第一区段201-1的引出电极和第三金属层的第一区段301-1的引出电极的共享顶部[0108]图37是展示根据本公开文本的实施方案的在图29中的步骤S705的细节的流程[0110]在步骤S502中，参照图39，在第二类型的发光区A02中的第二金属层的第一区段区段101-2的侧壁上形成第一电连接器203，并且在第三类型的发光区A03中的第三金属层层的第三区段101-3的侧壁上形成第二考上述实施方案的步骤S4021至S4023来理解步骤S5021至S[0112]在步骤S5021中，在基板100上形成掩模以遮蔽没有第一电连接器203和第二电连接器303的区，由此暴露第二类型的发光区A02中的第二金属层的第一区段201-1的顶部和侧壁、第一类型的发光层的第二区段102-2的侧壁和第一金属层的第二区段101-2的侧壁，层的第三区段102-3的侧壁和第一金属层的第三区段10102-2的侧壁上和第一金属层的第二区段101-2的侧壁上形成第一电连接器203，并且在第第三区段102-3的侧壁上和第一金属层的第三区段101-3的侧壁上形成第二电连102-1、连接至第二类型的发光层的第一区段202-1以及连接至第三类型的发光层302的第[0118]如上所提及的，在根据本公开文本的实施方案的制造多色发光像素单元的方法部发光层)可以发射光，而第M类型的LED中的其他发光层由于设置在其他每个发光层两侧的发光层由于设置在第二类型的发光层两侧的第二类型的金属层和第三类型的金属层相FIG.1FIG.2FIG.3FIG.4FIG.5FIG.6FIG.7FIG.8FIG.9FIG.10