电力设备与新能源行业光伏“泛半导体”专题：底层材料与工艺同源设备及材料龙头打开第二成长曲线

图表11：TOPCon池艺与导芯工在个环具较的似性 9图表12：光湿工可形倒字形面 10图表13：RCA清主过多酸与洗除面污染 10图表14：半体膜积分类 11图表15：TOPCon池多个均通薄沉形成 11图表16：NMOS与PMOS互联样要膜积艺 11图表17：离注的杂范较散入加准 11图表18：TBC常路含三激环节 12图表19：光分涂—曝光—影刻—胶五步骤 12图表20：建关财稳健光设及料头（产债） 13图表21：光企泛导体务局理 13图表22：公半体务与伏业头进 14图表23：徐间持宸微备17.8115图表24：公半体道设已成蚀薄沉积主产矩阵 15图表25：2025年司导体显业占提至8 16图表26：2025年导及显业毛达46 16图表27：公于2019开始发TGV光孔术 16图表28：公推了板级晶级TGV光备 17图表29：芯受翘的现在装热程同样会生 17图表30：TGV激打为激改与学蚀个环节 18图表31：超激方更适先封小径要求 18图表32：2025年司导体进装显业已形营入35万元 19图表33：公于2018开始局导业，项研铝线 19图表34：公非伏备包半体锂两行业 20图表35：2025年司导体务比升217 20图表36：2025年司导体务利为20.74.................................................20图表37：公半体品包括切倒磨”备对应材 21图表38：福特子料业时轴 22图表39：感干结构 22图表40：蚀工中光干作原理 23图表41：电工中光干作原理 23图表42：全感干市场下应产划（亿，） 23图表43：福特光膜产布局 23图表44：先封对宽/距求高 24图表45：mSAP及SAP艺示图 24图表46：福特光膜销持增长 25图表47：近福特光干收持增长 25图表48：公半体合材于2024年有测试 25图表49：公已成对SKE下白膜业门BlankMask的购项 26图表50：包图信的掩版将路形过曝转到游业基板晶上 26图表51：半体域空白膜市中超70 27图表52：公高能PSPI材已于2025完发 27图表53：PSPI可用再布层绝材料 28图表54：奥德有铸技7.8228图表55：欧科业立足晶产链标为公主业） 29图表56：石坩是制单硅的耗器皿 30图表57：半体埚术指显高光坩埚 30图表58：2022年球导体英埚争局 31图表59：集电工流程多环使电特种体蓝实部） 32图表60：2025年司子特收显增长 33图表61：相标估表（/，元倍） 34为什么大量光伏企业成功布局泛半导体业务？第一性原理：PNPN，P（N（PN图表1：光照下PN结中的电子-空穴对分离产生电压中国物理学会期刊网公众号PNMOSFET分别成PP或者PNNPNNMOSP图表2：NMOS的源极和漏极为N硅 图表3：NMOS在施加正电压后会成N沟道以导通ChenmingHu,MOSTransistor,Chapter6 ChenmingHu,MOSTransistor,Chapter6图表4：改良西门子法主要包含三氯氢硅制备、精馏及还原沉积三个环节ProductionofPolysiliconusingaModifiedSiemensProcess5N-7N纯度，即而导体多硅求到9N-12N甚更纯度且属杂总甚至图表5元素光伏硅料半导体硅料磷、砷、锑≤2ppba磷≤0.3ppb，砷<0.001ppb，锑<0.001ppb硼、铝≤0.8ppba硼<0.1ppb碳≤600ppba100-1000ppb钛、钼、钨、钴≤30ppbw0.1-1.0ppb，铬<0.01ppb，0.1-0.5ppb0.1ppb，锌<0.1ppb，0.001ppb氧-100-400ppb其他贵金属杂质 - 金<0.00001其他贵金属杂质 - 金<0.00001ppb，银0.001ppbT70CiyfenopEes1010BSF2017PERCCZ图表6：CZ直拉法是当前主流的单晶硅制备工艺PVATePla官网28-328/12使用36英寸坩埚以适配G299.94（5）以上。图表7：半导体拉晶在多个技术指标上要求均高于光伏光伏半导体真空度＜3Pa＜1Pa拉晶速度3-6mm/min0.09-7.9mm/min坩埚石英砂纯度99.995直径控制≤0.3mm≤0.1mm晶棒长度约2.0m可达4.0m专利CN101798704A，ferrotec官网，ACMI硅基新材料公众号2023NPN图表8：光伏单晶炉头部制造企业通过引入磁拉工艺实现低氧控制奥特维连城数控晶盛机电SC-1600第一代直拉式单晶炉SC-1600-Ⅲ低氧型第三代单晶炉KX380PV-1600+光伏单晶生长炉KX420平台先进N型智能单晶炉第四代智能化单晶炉第五代光伏单晶炉氧含量baseline-40~60- 6ppm- ＜5ppm少子寿命baseline+15~20- 更高--电池效率baseline+0.1~0.2----技术-独有炉台结构设计+热场工艺-兼容CCz，兼容磁场方案- 超导磁场SNEC2026图表9：单晶硅棒制得硅片均要经过切割、倒角、研磨、清洗等工艺SKsiltron官网um/CMP0.09μm0.12μm图表10：CMP通过化学氧化和机械研磨去除表面材料HORIBA官网图表11：TOPCon电池工艺与半导体芯片工艺在多个环节具有较高的相似性湿法叠加PEO法制备TOPCon太阳电池SiOx层的性能研究》，祺芯半导体公众号，爱蛙科技公众号Si(100Si(111HF-HNO₃图表12：光伏湿法工艺可形成倒金字塔形绒面Pyramidsizecontrolandmorphologytreatmentforhighefficiencysiliconheterojunctionsolarcells（（）（（）RCASMH-lat，图表13：RCA清洗主要通过多轮酸洗与碱洗去除表面污染迈博瑞微电子事业部公众号ALDTOPConCVDALDCVDPVDkALD图表14：半导体薄膜沉积分类设备 典型薄膜 主要应用位置CVD

Poly-Si、Si₃N₄、SiO₂、SiOC、W

多晶硅栅/栅相关薄膜、STI、层间绝缘、硬掩膜、钨塞填充ALD HfO₂、Al₂O₃、ZrO₂、TiN、TaN

高k栅介质、超薄阻挡层、电容介质、高深宽比结构保形覆盖CVDandDielectricThinFilmveecoLamResearchAtomicLayerDepositionforSemiconductorAPPLIEDMATERIALS/FinFET、GAA3DNAND图表15：TOPCon电池中多个均通过薄膜沉积形成 图表16：NMOS与PMOS的互联同样需要薄膜沉积工艺 Fundamentals,presentstatusandfutureperspectiveofTOPConsolarcells:Acomprehensivereview》国金证券研究所注：标蓝的结构由薄膜沉积工艺形成。

CMOSVLSIDESIGN注：标蓝的结构由薄膜沉积工艺形成PVD PVD Cu、Al、Ti、Ta、TiN、TaN 金属导线、粘附层、金属阻挡层、金属种子层BC、TOPCon图表17：离子注入的掺杂范围较扩散注入更加精准模具信息公众号图形化：在硅片或薄膜表面“有选择地去除材料”或打开局部接触窗口，从而决定不同功能区域出现的位置。MOSFETBCNMOSFETBCP/NIBC结构中BSF100μm和250μmEUV8nm图表18：TBC常规路线包含三道激光环节普乐科技图表19：光刻分为涂胶—曝光—显影—刻蚀—去胶五个步骤Micron官网成功布局泛半导体业务的光伏企业有哪些特质？的氧碳含量、均匀的电阻率，半导体行业对图形尺度和精度的要求较光伏存在数量级差异，对企业的技术积累与研发能力提出了较高要求。图表20：建议关注财务稳健的光伏设备及材料龙头（资产负债率）环节标的1Q232Q233Q234Q231Q242Q243Q244Q241Q252Q253Q254Q251Q26光伏设备迈为股份61%68%70%70%69%70%68%68%67%66%64%63%65%奥特维72%75%77%76%73%72%68%71%69%73%73%73%73%帝尔激光45%52%53%55%53%52%48%48%46%44%42%41%39%奥来德15%17%15%20%18%20%19%20%21%30%29%23%25%捷佳伟创68%73%77%78%76%75%76%77%72%73%67%65%64%62%57%50%46%47%拉普拉斯79%79%82%81%62%60%60%61%海目星78%78%77%78%77%78%75%70%72%74%79%82%83%84%ST京机70%73%74%72%70%69%67%67%67%67%晶盛机电60%60%58%56%52%49%46%43%37%35%34%34%32%金辰股份63%68%71%72%59%58%55%54%49%48%48%46%43%英杰电气48%52%49%45%43%43%39%39%39%38%35%34%34%银浆聚和材料23%27%33%34%39%46%46%42%46%50%59%58%60%帝科股份75%75%78%80%81%82%82%79%82%80%82%82%83%苏州固锝18%18%19%25%27%33%32%27%25%20%20%18%18%胶膜福斯特31%31%31%28%28%27%24%22%21%21%20%20%20%海优新材63%59%63%59%58%51%48%50%48%50%51%56%36%赛伍技术40%40%41%39%41%41%38%39%38%40%39%39%40%明冠新材16%22%23%16%15%12%10%6%6%6%7%7%8%鹿山新材57%55%55%52%53%51%50%38%39%36%36%30%28%坩埚/热场欧晶科技43%42%43%49%48%50%48%52%52%53%53%58%57%金博股份13%13%14%15%14%14%13%17%16%18%18%23%25%天宜上佳24%29%34%39%41%40%39%42%42%43%43%63%64%替代和先进封装等方向打开第二成长曲线。图表21：光伏企业泛半导体业务布局梳理泛半导体业务领域 布局时间 市场地位半导体高选择比刻蚀和原子层沉积（ALD）设备凭借差异化设计，实迈为股份 半导体设备奥特维 半导体设备帝尔激光 TGV玻璃通孔设

2019年前后切入半导体封装设备，20212021发，正式进入半导体行业2019TGV发

现了关键技术突破，已完成多批次客户交付，成功进入多家国内头部逻辑和存储器芯片生产厂。公司铝线键合机、AOIAOI20252.5达107。TGV成晶圆级和板级玻璃基板通孔设备的出货，实现了晶圆级和板级TGV福斯特 感光干膜

2015年开展电子材料等新材料项2025年公司感光干膜销量1.89亿平，国内市占率提升至15，成功目建设 进入深南电路、东山精密、景旺电子、生益电子、南亚电子、健鼎泛半导体业务领域 布局时间 市场地位科技、鹏鼎控股、迅达科技集团（TKEPB聚和材料

空白掩膜版、光刻胶

2024年开发半导体接合材料，2025SKE膜版项目

SKE将纳入子公司统一管理。奥来德 PSPI材料

2022年柔性AMOLED用PI基板材已实现PSPI材料稳定批量供货，同时顺利完成国内头部面板企业的欧晶科技 半导体石英坩埚联泓新科BCBTCL中环 半导体硅片

料研发完成2025半导体石英坩埚项目，战略重心转向半导体20227方布局电子特气，2024资绵阳达高特公司前身是天津市中环半导体公1969先专注半导体业务

产品性能测试与产线适配验证。36东、内蒙古、四川等区域客户达成合作并供货，同时持续推动半导体石英坩埚产品在头部客户的验证和推广5.5N电、上海新昇等行业领先企业；达高特已打破国外垄断实现BCB产品量产销售8-12速低功耗硅基材料研发与生产项目等多个重点项目，已成为国内产品结构最全、规模最大的半导体硅片生产厂商之一，20255722各司告 梳理设备企业2019ALD20259图表22：公司半导体业务与光伏主业齐头并进公司公告，迈为股份公众号202212InternationalASMALD3D2nm图表23：徐来间接持有宸微设备17.81股份Caymus主要6；Estela3nm以下逻辑芯片和300层以上3DNAND的关键设备。ALDReliamTiN、TiAlTiAl0.6TiN0.5以内。图表24：公司半导体前道设备已形成刻蚀与薄膜沉积双主线产品矩阵高选择比刻蚀设备 原子层沉积设备代表机型 Caymus Estela Reliam代表机型 Caymus Estela Reliam核心应用 SiO₂去除工

多晶硅、锗硅、钼金属选择性去除

TiN、TiAl高精度薄膜沉积市场地位

6类国产设备市占率第一

损伤 材料 粒控制优异高压版本为国内唯一供应钼金属刻蚀为国内唯一均匀性TiAl＜0.6、TiN＜0.5（国产最优技术亮点损伤 材料 粒控制优异高压版本为国内唯一供应钼金属刻蚀为国内唯一均匀性TiAl＜0.6、TiN＜0.5（国产最优技术亮点设备实物图键设备 艺设备实物图迈为股份2018-2024，2025年公司营业收入实现81.526.62升至8第曲进速放阶。图表25：2025年公司半导体及显业务占比提升至8 图表26：2025年半导体及显示业毛利率达46TGV图表27：公司于2019年开始研发TGV激光微孔技术公司公告，帝尔激光官网TGV202235TGV2024IGBT/SiC图表28：公司推出了面板级和晶圆级TGV激光设备板级TGV激光微孔设备 晶圆级TGV激光微孔设加工对象 大幅面玻璃基板 不同材质的玻璃基板高精度微孔（圆孔、方孔、埋孔、通孔）/产品定位 大面积通孔加工高精度平台，中英文控制系统，定技术路径制化成套光路系统

微槽加工精密控制系统，激光改质技术材料兼容性 适用于多种玻璃材料 支持石英、硼硅、钠钙、铝硅等玻璃材质材料兼容性 适用于多种玻璃材料 支持石英、硼硅、钠钙、铝硅等玻璃材质加工质量

玻璃改质快速、准确、高效，工艺效果稳定可靠

深孔径深比高达1:100，最小孔径≤5μm。孔侧壁光滑、无裂痕定位能力 支持Mark、外轮廓等视觉定位模式 良好的定位及重复精度设备实物图定位能力 支持Mark、外轮廓等视觉定位模式 良好的定位及重复精度帝尔激光官网图表29：芯片受热翘曲的现象在封装加热过程中同样也会发生马里兰大学官网注：(a)环氧塑封料在模塑温度下的有效固化收缩引起翘曲；(b)由将封装从固化温度加热至回流温度引起翘曲。7023TGVTGV激光改性+化学蚀刻图表30：TGV激光打孔分为激光改性与化学刻蚀两个环节武汉锐科激光公众号CO2CO210.6μmCO2CO2TGV图表31：超快激光方案更适配先进封装小孔径的要求CO₂激光方案超快激光方案加工方式热烧蚀，直接打孔激光改性+湿法蚀刻核心特点工艺成熟、速度快、成本较低精度高、热损伤小、孔质量好适用孔型较大孔径、低密度TGV小孔径、高深宽比、高密度TGV流程更复杂，设备和工艺成本较高流程更复杂，设备和工艺成本较高热影响区大，易发生裂纹、崩边、孔壁粗糙问题主要问题适用场景 可用于TGV，但更适合成本/效率优先场景更适合先进封装玻璃基板精细TGV加工Applications,materials,andfabricationofmicroglasspartsanddevices:Anoverview》，艾邦半导体网公众号，武汉锐科激光公众号，2025年半导体及显示业务开始形图表32：2025年公司半导体先进封装及显示业务已形成营业收入35万元AOI2018；2021CMP；2025SEMICON12AOIAOI；2026AOI图表33：公司于2018年开始布局半导体业务，立项研发铝线公司公告，奥特维科技公众号AOI/PACK图表34：公司非光伏设备包括半导体与锂电两大行业奥特维官网201792202570，储20220.1320252.28图表35：2025年公司半导体业务比提升217 图表36：2025年公司半导体业务利率为20.74 ,国金券究所 ,国金券究所公司泛半导体设备订单稳步增长，已具备泛半导体“切、倒、磨”一体化解决方案能力，产品已实现切割设备、切割耗材、硅片及切割加工服务业务全覆盖。201820218812GC-BD804682025812；3C图表37：公司半导体产品包括“切、倒、磨”设备及对应耗材高测股份官网2026520266AI“+设备+服务”的一体化交付20192020年，公司投资成立创微微电子，主导半导体设备业务，聚焦集成电路湿法工艺设备研6–12SiC/GaN、MEMS2024SiCFabFab2026352016“”SICLPCVD材料企业2015年公司决定开展FCCL2.1620182000（PCBPCB图表38：福斯特电子材料业务时间轴福斯特公司公告PCBIC图表39：感光干膜结构初源新材招股书图表40：蚀刻工艺中感光干膜作用原理初源新材招股书图表41：电镀工艺中感光干膜作用原理初源新材招股书HDIICIC21.8AI，FROST&SULLIVAN2025-20297.4202929.0图表42：全球感光干膜市场按下游应用产品划分（亿元，）FROST&SULLIVAN、初源新材招股书PCBFPCAILDIBGACSP用途系列厚度（用途系列厚度（il）特点FE-52000.8/1.0/1.2适合湿压，通用型干膜FE-53000.8/1.0/1.2/1.5高解析高填充，适合软硬结合板FA-11000.8/1.0/1.2高解析高附着FPC专用干膜

LDI

FT-2600DIFT-3600A

1.2/1.5/1.8/2.0 高解析高填充，适合软硬结合板1.2/1.5/2.0 正负片通用HDI次外层

FD-9100系列 1.0/1.1/1.2 强盖孔、高解析FD-9200系列 0.8/1.0 超高解析、附着干膜光刻胶

mSAP L/SFD-800性能参数封装基板用高感度、高解析、底部残足小、电镀FD-800性能参数封装基板用高感度、高解析、底部残足小、电镀

污染性好、干膜侧壁形状良好公司官网AICoWoSCoWoPPCB/BGACSPLDIFD-800/20/20μm。图表44：先进封装对线宽/线距提高 图表45：mSAP及SAP工艺示意图福特网 福特网2025年公司感光干膜销量达18,908.89万平方米，同比增长18.67，国内市占率提升至15，（TKEPCB（AIHDIPCBPCBAI图表46：福斯特感光干膜销持增长 图表47：近年福斯特感光干膜收持续增长福特司告 福特司告2015图表48：公司半导体接合材料于2024年已有送样测试2025910SPC680SKE（BlankMask）100952026331BlankMaskSKEBlankMaskDUV-ArFDUV-KrF202642026114IPO2线，再增加2万片产能。228图表49：公司已完成对SKE旗下空白掩膜版业务部门BlankMask的收购事项图表50：包含图形信息的掩膜版可将电路图形通过曝光转移到下游行业的基板或晶圆上合明科技官网20201372024171722029268202911.2。图表51：半导体领域在空白掩膜版市场中占比超70公司公告PSPI公司是国内OLED上游产业链的重要供应商，长期深耕OLED产业链上游核心环节，聚焦OLED关键功能材料与蒸发源设备的研发、生产及销售。2022AMOLEDPIOLEDPSPIPSPI2025图表52：公司高性能PSPI材料已于2025年完成开发公司公告，奥来德官网（PSPI）OLEDAMOLEDPSPI（RDPSIPSPI（~3PSPI（B2.5PSPIRCRDLPSPI图表53：PSPI可以用于再布线层的绝缘材料NanosystemsJP官网当前玻基板RDL中用的流缘质为AB（味素层市高达9以ABFABFPSPIPSPIPSPI7.8295图表54：奥来德持有邃铸科技7.82股份PSPIPSPI欧晶科技