CN114762186B 一种天线及其制作方法 （京东方科技集团股份有限公司）

2020.11.11PCT/CN2020/1278532020.11.10WO2022/099473ZH2022.05.19JP2012085145A,2012.04.26US2020243974A1,2020.07.30口在第二基底上的正投影与辐射单元在第二基2所述开口在所述第二基底上的正投影与所述辐射单元在所述第二基底上的正投影至少部所述天线包括辐射区域和围绕所述辐射区域设置的周边区域；所述所述第二电极结构与所述参考电极层采用不同导所述辐射单元在所述第二基底上的正投影的对称中心，与所述开口在3在第二基底上制备参考电极层，并在参考电极层上形成开通过灌晶口向第一基板和第二基板之间灌注液晶分子形456[0053]图2为本公开实施例提供的天线的第一基板的辐射单元和第一电极结构的一种实[0054]图3为本公开实施例提供的天线的第二基板的参考电极层的一种实施例的俯视[0055]图4为本公开实施例提供的天线的第二基板的第二电极结构的一种实施例的俯视[0057]图6为本公开实施例提供的天线的制作方法的一种实施例的制作流程图之一(第[0058]图7为本公开实施例提供的天线的制作方法的一种实施例的制作流程图之二(第[0059]图8为本公开实施例提供的天线的制作方法的一种实施例的制作流程图之三(对7的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其可能相应地改变。底11靠近第二基板2一侧。第二基板2包括第二基底21和参考电极层22,参考电极层22设置分重合，参考图5，图5中虚线框表参考电极层22的开口221在第二基底21上的正投影的位收外部信号线传输的射频信号，再将射频信号通过参考电极层22上的开口221馈向辐射单围决定了天线的工作频率范围，频率连续可调的天线能够覆盖更宽的频率范围(即频段)，8第二基底21背离参考电极层22一侧，即参考电极层22和馈电单元4设置在第二基底21相对天线的谐振频率，辐射单元12接收的电压和参考电极层22接收的电压可以来自同一电压第一电极结构13设置在第一基底11靠近第二基板2一侧，第一电极结构13与辐射单元12电板7和/或第二接线板可以包括多种类型的接线板，例如柔性电路板(FlexiblePrinted7上可以具有至少一个第一焊盘，第一电极结构13的一端连接第一焊盘(即与第一焊盘邦能够改变辐射单元12与参考电极层22之间的电场的大小，从而能够调节介质层3中的液晶9单元4设置在第二基底21上与参考电极层22相对的一侧，因此能够隔绝输入参考电极层22极结构23的边缘的任一位置设置一个第二焊盘，第二接线板8通过连接焊盘与第二电极结一接线板7可以设置在第二基底21的任一侧边上(位于周边区域Q2中的侧边)，多条导电线131的一端连接第一接线板7，多条导电线131的另一端延伸至辐射单元12处与辐射单元12131再将电压传输给与多条导电线131连接的辐射单元12，具体地多条导电线131的长度不可以与参考电极层22采用同一导电材料，则第二电极结构23和参考电极层22可以一体成和/或第二电极结构23可以采用其他导电材料，例如氧化铟锡(IndiumTinOxide，ITO)，二端4b将接收到的电磁波信号通过参考电极层22上的开口221耦合至开口221上方的辐射单元12,因此微带传输线的第二端4b在第二基底22上的正投影，位于参考电极层22上的开口221在第二基底22上的正投影内，从而能够保证微带传输线的第二端4b传输的电磁波信二基底22上的正投影，也与微带传输线的第二端4b在第二基底22上的正投影至少部分重微带传输线的第一端4a延伸至第二基底21的边缘，通过第二基底21边缘的接口(图中未示即辐射单元12的第一对称中心O1)，与开口221在第二基底21上的正投影的对称中心(也即第二基底21上的正投影至少部分重合，为了使馈电单元4传输的电磁波信号能够尽可能地部在第二基底21上的正投影可以与开口221的对称中心O2在第二基底21上的正投影均无交叠，从而能够裸露出第一接线板7上的第一焊盘和第二接线板8上的第二焊保护膜6设置在馈电单元4背离第一基板1一侧，覆盖馈电单元4。保护膜6可以包括多种类第一基底11的介电常数(dk)和介质损耗(df)，或第二基底21的介电常数(dk)和介质损耗点的频率对应的电磁波的真空波速C/中心频点的频率对应的电磁波的频率f，中心频点的底，则第一基底11的材料可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneglycol[0084]在一些示例中，本公开实施例提供的天线采用缝隙口径耦合的方式传输射频信号，即馈电单元4接收外部信号线输入的射频信号，射频信号经过参考电极层22上的开口能够调节辐射单元12接收到射频信号的能量的大小，可以根据所需的谐振频率设置开口称中心O1在第二基底21上的正投影，与开口221的第二对称中心02在第二基底21上的正投4b延伸至开口221在第二基底21上的正投影内，微带传输线的宽度可以根据天线所需的阻围Δε来分类，介电常数范围Δε即液晶分子处于平行态下介质层3的第一介电常数介电常[0091]第一基底11的厚度100um，且采用PI[0092]第二基底21的厚度100um，且采用PI材料制备，第二基底21的dk为4.72，df为[0094]介质层3包括液晶分子，厚度为100um，液晶分子在平行态下的dk为3.58，df为[0099]第一基底11的厚度100um，且采用PI材料制备，第一基底11的dk为4.72，df为[0100]第二基底21的厚度100um，且采用PI材料制备，第二基底21的dk/df为4.72/[0102]介质层3包括液晶分子，厚度为100um，液晶分子在平行态下的dk为3.59，df为[0107]第一基底11的厚度125um，且采用PET材料制备，第一基底11的dk为3.35，df为[0108]第二基底21的厚度125um，且采用PET材料制备，第二基底21的dk为3.35，df为[0110]介质层3包括液晶分子，厚度为100um，液晶分子在平行态下的dk为3.58，df为线的第一基底11和第二基底21采用了不同的材料(PET材料)，若天线需要透明化，则采用[0115]第一基底11的厚度125um，且采用PET材料制备，第一基底11的dk/df为3.35/[0116]第二基底21的厚度125um，且采用PET材料制备，第二基底21的dk为3.35，df为[0118]介质层3包括液晶分子，厚度为100um，液晶分子在平行态下的dk为3.58，df为[0123]第一基底11的厚度100um，且采用PI材料制备，第一基底11的dk为4.72，df为[0124]第二基底21的厚度100um，且采用PI材料制备，第二基底21的dk为4.72，df为[0126]介质层3包括液晶分子，厚度为100um，液晶分子在平行态下的dk为3.58，df为[0130]需要说明的是，参数S11为输入反射系数，S11＝sqrt(反射回波能量/入射波能[0143]具体地，参见图7(a2)-(b2)，在馈电单元4背离第二高温玻璃基板01一侧涂布[0147]S31、在第一基板1和第二基板2之间制备支撑结构5，并在支撑结构5上制作灌晶好的第一基板1(如图6(d1)所示)和第二基板2(如图7(e2)所示)对盒，利用