CN114824000B 反极性红光发光二极管芯片及其制备方法 （京东方华灿光电(浙江)有限公司）

本公开提供了一种反极性红光发光二极管该反极性红光发光二极管芯片包括依次层叠的明导电层的厚度不小于所述欧姆接触层的粗化2所述欧姆接触层(32)为n型AlGaInP层，所述第二半导体层(23)包括依化层(232)的Al组分含量大于所述n型AlGaInP层的Al组分含量，所述n型AlGaInP粗化层(232)的Al组分含量大于所述n型AlGaInP电流扩展层(231)2.根据权利要求1所述的反极性红光发光二极管芯片，其特征在于，所述透明导电层3.根据权利要求2所述的反极性红光发光二极管芯片，其特征在于，所述欧姆接触层所述透明导电层(31)的厚度为200nm至所述n型AlGaInP粗化层(232)中，Al组分的含量为50％至65Si掺杂浓度不小于5.根据权利要求1至3任一项所述的反极底(11)和所述第一半导体层(21)之间还设有全方位反射镜层，所述全方位反射镜层包括所述第二半导体层(23)的表面，所述AZO层(41)位于所述第一半导体层(21)的表面且覆盖6.根据权利要求5所述的反极性红光发光二极管芯片，所述AZO层(41)的粗糙度Ra<(21)中与所述全方位反射镜层相连的膜层为p型GaP欧姆接触层(211)，所述p型GaP欧姆接8.根据权利要求1至3任一项所述的反极性红光发述第二键合层(44)依次层叠在所述衬底(113在所述第二半导体层远离所述发光层的表面上依次流扩展层和n型AlGaInP粗化层，所述n型AlGaInP电流扩展层的Al组分含量大于所述n型AlGaInP层的Al组分含量，所述n型AlGaInP电流扩展层的Al组分含量大于所述n型AlGaInP4[0003]反极性红光发光二极管芯片通常包括依次层叠的Si衬底、全方位反射镜(Omni-[0004]然而，n型层上仅围绕欧姆接触层的区域上进行粗化处理，光提取的效果提升有反射镜层包括AZO层和多个MgF2块，所述多个MgF2块阵列排布在所述第一半导体层远离所5[0014]另一方面，本公开实施例还提供了一种反极性红光发光体层；在所述第二半导体层远离所述发光层的表面上依次形成欧姆接触层和透明导电层，[0017]本公开实施例提供的反极性红光发光二极管芯片包括依次层叠在衬底上的第一触层的整面进行粗化处理，粗化处理后的欧姆接触层的表面能破坏欧姆接触层处的全反仅满足了欧姆接触层与电极的电性连接，还能最大程度减小制作欧姆接触层时采用的材6[0022]图3是本公开实施例提供的一种反极性红光发光二极管芯片的制备方法的流程第二键合层；[0034]本公开实施例提供的反极性红光发光二极管芯片包括依次层叠在衬底11上的第半导体层21和第二半导体层23中的另一7[0039]其中，欧姆接触层32中，Al组分的含量为10％至30Si掺杂浓度不小于8E18/[0047]其中，粗化深度是指从欧姆接触层开始粗化的表面到完成粗化的表面之间的间[0051]通过将n型AlGaInP电流扩展层231中Al组分的含量设置为较低的含量，并将Si掺[0052]作为示例，n型AlGaInP电流扩展层231中，Al组分的含量为30Si掺杂浓度为8[0058]若n型AlGaInP粗化层232的厚度设置过小，则不利于在第二半导体层23中形成Al[0059]可选地，第二半导体层23还包括n型AlInP限制层233，n型AlInP限制层233、n型AlGaInP电流扩展层231和n型AlGaInP粗化层232依次层叠于发光层2[0064]在发光层22的两个相反的表面分别均设有波导层。通过设置波导层能提高折射[0068]示例性地，p型AlInP限制层213的厚度可以为200nm至300nm；p型GaP欧姆接触层[0070]通过在第一半导体层21的表面设置AZO层41和多个MgF2块42，以形成复合折射率[0072]可选地，第一半导体层21中与全方位反射镜层相连的膜层为p型GaP欧姆接触层[0073]通过将p型GaP欧姆接触层211的C掺杂浓度设置为大于6E19/cm3能使第一半导体[0074]可选地，如图1所示，反极性红光发光二极管还包括第一键合层43和第二键合层9[0076]本公开实施例中，第一键合层43的In层和第二键合层44中的In层相连键合在一[0078]可选地，如图1所示，反极性红光发光二极管芯片还包括第一电极51和第二电极[0079]如图1所示，在透明导电层31的表面还具有露出第一半导体层21中的p型GaP欧姆[0085]其中，第一电极51和第二电极52中Ti层的厚度为50nm至150nm、Al层的厚度为200nm至500nm、Ti层的厚度为50nm至150nm、Al层的厚度为200nm至500nm、Ti层的厚度为300nm、Ti层的厚度为100nm、Al层的厚度为300nm、Ti层的厚度为100nm、Pt层的厚度为[0087]可选地，如图1所示，在衬底11远离第一半导体层21的表面还设有沉积有金属层[0090]图3是本公开实施例提供的一种反极性红光发光二极管芯片的制备方法的流程[0093]步骤103：在第二半导体层23远离发光层22的表面上依次形成欧姆接触层32和透[0095]本公开实施例提供的制备方法制备的芯片包括在衬底11上依次层叠的第一半导技术定义出发