CN114830310B 晶圆堆叠结构及其测试方法、高宽带内存及其制备方法 （华为技术有限公司）

2022.06.17PCT/CN2020/0729202020.01.19WO2021/142816ZH2021.07.22晶圆(10)和多层存储晶圆(20)通过总线(30)连接，总线(30)记录晶圆堆叠结构中各存储晶圆单元(201)在晶圆堆叠结构中的连接状态进行调2获取待测的三维层数地址，所述三维层数地址用于分别指示多层根据所述三维层数地址，探针通过所述逻辑晶圆的层级地址端根据所述探测信息，输出修复指示信息，所述修复指示信息用于指4.根据权利要求3所述的晶圆堆叠结构的测试方法，其特征在于，所述探测信息还包根据各切割单元的存储区域内失效的存储单元的数量、以及各所述在所述切割单元可修复时，确定可修复的所述切割单元中可修复存储单元的位置信7.一种高宽带内存的制备方法，其特征在于，获取测试机输出的探测信息，所述探测信息用于指示根据三3根据所述探测信息调整所述切割单元在所述晶圆堆叠结构中的连辑晶圆的切割单元以及堆叠的各所述存储晶圆的根据各切割单元的存储区域内失效的存储单元的数量、以及各所述根据可修复存储单元的位置信息定位所述可修复存储单元，旁路4与高效能图形加速器或网络装置结合使用，在2013年由JEDEC(JointElectronDevice焊球(Micro-bump)工艺实现多层DRAM芯片与Logic(逻辑)芯片堆叠和层级互连，相对于平[0004]WafertoWafer的堆叠方式，通常将多层级晶圆全部堆现有技术中对于每单层级的晶圆的良率通常能做到90％左右，但随着晶圆堆叠层数的增单元良率测试为劣品无法进行去除和替换，因此导致良品高宽带内存的生产成本大幅增56余存储单元是否能够满足对应替换失效的存储单元的数量来确定切割单元是否为可修复7晶圆上的层级地址端口用于传输各存储晶圆的层级地址。本申请实施例的晶圆堆叠结构，逻辑芯片上包括有与多层存储芯片之间通过总线传输层级地址的[0026]图2为本申请实施例提供的一种晶圆堆叠结构通过测试机的探针进行测试的示意[0035]图11为本申请实施例提供的一种由晶圆堆叠结构切割获得高宽带内存的形成关8[0045]制备高宽带内存的堆叠方式，通常包括DietoDie(D2D，芯片与芯片堆叠)和其上的每一层的存储晶圆的所在层级无法获知，所以对于切割后获得的高宽带内存来说，9作为劣品被丢弃，因此导致WafertoWafer的堆叠方式制备的良品高宽带内存的生产成本测试晶圆堆叠结构，通常采用测试机对晶圆堆叠结构进行的测试包括直流测试和功能测序，探测头通过测试的探针与待测晶圆连接，实现与待测晶圆中每一个测试点位(切割单通过总线30对存储晶圆20进行数据的传输和存储。图2为本申请实施例提供的一种晶圆堆[0050]图3为本申请实施例提供的一种晶圆堆叠结构的测试方法的流程图，如图3所一层的存储晶圆20上包含有多个切割单元201，用于作为每个切割后的高宽带内存中该层元201的二维地址的二维地址端口，数据总线包括用于传输测试数据信息的测试数据输入[0060]以某一层存储晶圆20的测试为例，存储晶圆20上各切割单元201的物理位置通过根据各个切割单元201的信息指示该层存储晶圆20中各个切割单元级的良品切割单元201可在形成的高宽带内存中正常进行数据存取，即相当于减层并缩减息获取切割单元201中每一个存储单元的连通和数据可存取状态，确定每一个存储单元的的存储单元的数量大于预设的冗余的存储单元的数量，则可通过探测信息指示切割单元供依据以供后续制备方法中相应的步骤，对切割单元201与位于相邻层级的其他切割单元储晶圆20中切割单元201的优劣的相应信息即可。本申请实施例提供了一种晶圆堆叠结构层数地址，三维层数地址用于分别指示多层存储晶圆中每一层存储晶圆对应的层级地址；[0064]可选地，对于以行地址和列地址共同指示切割单元201在其所在的存储晶圆20上存储单元的数量以及失效的存储单元的位置信息，切割单元201的标识用于指示切割单元[0065]图5为本申请实施例提供的一种晶圆堆叠结构的测试方法的流程图之二，在步骤未必在切割单元201切割后的实际使用中发挥数据存取的作用，需根据具体的走线连接而[0068]在切割单元201的制备过程中，无法保证存储区域的多个存储单元都能够在制备在对切割单元201中的失效的存储单元进行修复时，能够根据失效的存储单元的数量和所通过包括指示有可修复位置信息的修复指示信息，能够对待修复的切割单元201进行寻址电性测试时被判定失效，则还可以通过冗余区域的冗余存储单元做替换以进行修复[0079]根据切割单元201中失效的存储单元数量与冗余存储单元数量的比对，若切割单[0080]图8为本申请实施例提供的一种晶圆堆叠结构的测试方法的流程图之五，步骤S1031根据各切割单元的存储区域内失效的存储单元的数量、以及各切割单元中冗余存储割后形成的高宽带内存结构中对应被标记为劣品标识的切割单元201形成的存储芯片，则[0090]根据探测信息对于一确定层级的存储晶圆20中各个切割单元201优劣的指示，在[0091]对于指示为劣品的切割单元201在晶圆堆叠结构中的连接状态的改变调整方式包以及层级地址以确定晶圆堆叠结构中唯一的存储晶圆20上的切割单元201)在逻辑晶圆10总线30连接，逻辑晶圆10的切割单元101上包括有层级地址端口，逻辑晶圆10的切割单元形成的高宽带内存的俯视方向仅包括一个逻辑晶圆10的切割单元101或者一个存储晶圆20[0095]在一种实施方式中，每个切割单元201在设计时划分有相互隔离的存储区域以及[0096]要实现上述的替换以对失效的存储单元的切割单元201进行修复，首先需要获知201的标示也可以是其他的能够指示切割单元201在存储晶圆20上唯一确定的物理位置的[0097]由于切割单元201在设计时预设有冗余区域，冗余区域内设置的冗余存储单元与域的冗余存储单元是否能够满足对应替换失效的存[0107]对于探测信息中指示某一存储晶圆20上的某一切割单元201未通过测试且根据其修复，则该切割单元201不可修复，指示该切割单元201的位置并标记该切割单元201为劣备工艺步骤，然后在修复设备中根据测试机输出的探测信息对可修复的切割单元201进行次堆叠的逻辑晶圆10和多层存储晶圆20，逻辑晶圆10和多层存储晶圆20通过总线30连接，寻址被指示为劣品的切割单元201所在的存储晶圆20的层级，并获取其在该存储晶圆20中线上还记录有每层存储晶圆20中每个切割单元201的二维地址，堆叠完成后进行电性测试并对存储晶圆20上可修复的切割单元201进行修复。完成晶圆堆叠结构的切割后形成的其劣品的存储单元21中存取数据，使得该高宽带内存能够实现理论上的减层(由于实际物理[0121]本申请实施例提供了一种晶