《汽车芯片电磁兼容评估方法 第1部分：控制芯片》编制说明

刘挺8675《汽车芯片电磁兼容评估方刘挺8675法第1部分：控制芯片刘挺8675》编

制说明

一、工作简况

刘挺86751.1任务来源刘挺8675刘挺8675

《汽车芯片电磁兼容评估方法第1部分：控制芯片》团体标准是由中国汽车工

程学会批准立项。文件号中汽学函【2023】248号，任务号为2023-114。本标准由

中国汽车工程学会中国汽车芯片产业创新战略联盟提出，工业和信息化部电子第五

研究所（简称：电子五所）起草牵头，联合安立通讯科技（上海）有限公司、北京

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集创北方科技股份有限公司、北京经纬恒润科技股份有限公司、北京智芯微电子科

技有限公司、恩智浦（中国）管理有限公司、广东高云半导体科技股份有限公司、

广州汽车集团股份有限公司汽车工程研究院、北京国家新能源汽车技术创新中心有

限公司、合肥艾创微电子科技有限公司、湖南进芯电子科技有限公司、华大半导体

有限公司、上海贝岭股份有限公司、上海汽车变速器有限公司、上海芯旺微电子技

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术股份有限公司等20余家行业单位共同制定。

1.2编制背景与目标

1.2.1编制背景

刘挺8675随着汽车电子化、智能化程度不断刘挺8675提高，控制芯片作为控制车辆动力系统刘挺8675、底

盘、车身等核心功能的关键组件，应用场景和数量大幅增加。然而，控制芯片的高

频信号切换（如时钟、PWM）、电源波动、开关器件操作（如MOSFET/IGBT）及布局

布线中的寄生参数耦合，会产生电磁干扰（EMI），可能影响车辆电子系统的稳定性

和安全性。因此，亟需制定统一的EMC评估标准，以确保芯片在严苛的汽车电子环

刘挺8675境中稳定运行。刘挺8675刘挺8675

本文件的编制基于以下行业需求：

1）现有标准（如ISO11452、CISPR25）主要针对整车或模块级EMC测试，缺

乏对控制芯片的专项评估方法。芯片级EMC评估有助于在早期设计阶段发现问题，

刘挺8675降低后期整改成本。刘挺8675刘挺8675

1

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刘挺86752）新能源汽车技术快速迭代带来挑刘挺8675战，高压系统（如48V/800V架构）和刘挺8675高频

数字电路（如ADAS、车载通信）对控制芯片的EMC性能提出了更高要求。芯片需在

高频信号切换、电源波动、开关器件操作等复杂工况中确保EMC性能，从而避免对

BMS、毫米波雷达等敏感设备造成干扰。

刘挺86751.2.2编制目标刘挺8675刘挺8675

本文件旨在为汽车控制芯片的EMC评估提供科学、可操作的规范，具体目标包

括：

1）制定统一的测试方法，规定汽车驱动芯片的基本信息要求、控制芯片的EMC

（如传导发射、辐射抗扰度、静电放电等）测试项目、电磁兼容性（EMC）评估以及

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评估报告。

2）为芯片厂商提供设计参考，引导设计优化（如接地策略、信号完整性分析），

为行业认证提供补充性EMC评估依据。

3）通过标准化的参数定义和测试流程，减少企业与整车厂之间的技术壁垒，促

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进芯片设计、制造与应用的协同，推动产业链高质量发展。

综上，本文件规定了汽车控制芯片的基本信息要求、电磁兼容性（EMC）评估要

求、电磁兼容性（EMC）评估以及评估报告。

本文件适用于汽车控制芯片的电磁兼容评估方法。

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1.3主要工作过程

1.3.1预研阶段

深入研究、全面分析国内外汽车集成电路电磁兼容相关标准规范，确定制定本

标准的先进性和必要性。同时，邀请汽车集成电路电磁兼容相关单位和专家，召开

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标准预研会，讨论标准制定的可行性，初步拟定标准研究范围，研讨标准技术框架

和内容，并编制标准立项申请表、标准初稿等材料。

1.3.2立项阶段

根据标准预研成果，确定标准的研究范围、技术框架和技术内容，邀请汽车用

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集成电路电磁兼容相关单位和专家，组织召开标准讨论会议，根据整车企业、芯片

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刘挺8675企业与零部件企业意见，修改标准立项刘挺8675申请表、标准初稿等材料，并于202刘挺86753年7

月提交中国汽车工程学会进行标准立项申报，2023年10月标准通过立项。

1.3.3起草阶段

2023年11月24日，工业和信息化部电子第五研究所（下称：电子五所）作为

刘挺8675牵头单位，组织召开了中国汽车工程学刘挺8675会团体标准《汽车芯片电磁兼容评估方刘挺8675法第

1部分：控制芯片》的启动会暨第一次标准研讨会，编制组对标准框架和标准主要

技术内容进行了讨论，会上讨论了标准研究背景、国内外相关标准情况、主要技术

内容、研制计划等内容，同时明确了下一步工作计划。针对标准内容展开讨论，形

成如下意见和建议：1）编制组肯定该系列标准的重要性和必要性；2）编制组各参

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编单位愿意在后续工作中积极提供EMC评估试验等内容建议，以共同推动标准实质

性落地；3）编制组同意选用本次3项标准对应的典型芯片开展EMC摸底试验，提高

试验标准的应用价值和合理性；4）编制组肯定了建模技术的价值；5）是否可能针

对不同应用域提出对芯片EMC的不同要求；6）摸底试验芯片建议选用具有一定先进

性和主流的芯片；7）传导注入试验是否用BCI。

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2023年12月26日，电子五所作为牵头单位，联合20余家行业单位，以网络

会议的形式，组织了召开本标准的第二次起草组研讨会。牵头单位对标准编写进展、

标准内容、标准讨论点、试验验证方案进行了介绍，并形成如下计划：2024年1月

8日前，起草组单位反馈标准文本意见表、试验验证材料征求意见表；2）拟定于

刘挺86752024年1月10日前，起草组单位提刘挺8675交试验验证相关材料；拟定于2024年刘挺86751月

15日前，召开试验验证启动会议，相关单位介绍器件应用方案/配置/控制/等问题；

2024年3月1日，电子五所联合20余家行业单位，以网络会议的形式，组织

召开了本标准的第三次起草组研讨会。牵头单位就前期向各起草组单位征集的标准

文本意见进行逐一的研讨交流，反馈相关意见是否采纳，并征求参与单位意见。起

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草组针对标准内容及试验验证方案形成如下计划：拟定于2024年3月7日前，圣邦

微、进芯、兆易、贝岭、艾创微等企业提交三类芯片相关的datasheet/典型应用方

案/器件样品；2）拟定于2024年4月10日前，由牵头单位提供指导，与相关企业

协同设计三类芯片试验开发板，企业同步提供芯片样品相关的配置/控制/调试技术

刘挺8675支持等；3）拟定于2024年5月30日前刘挺8675，相关企业提供试验平台及试验支持，刘挺8675实验

人员由牵头单位进行组织，共同完成三类芯片的EMC试验；4）起草组单位对标准文

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刘挺8675本有相关修改意见的可继续反馈。刘挺8675刘挺8675

1.3.4试验验证

2024年7月到2025年1月份进行了标准相关的试验操作工作，基本测试完成

本标准相关必要的测试试验。

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2025年2月至3月，项目组进行了该系列标准编写工作，并经过内部讨论完善

相关描述和增加相关测试内容。

1.3.5征求意见阶段

2025年5月形成征求意见稿，并提交中国汽车工程学会申请行业公开征求意见。

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二、标准编制原则和主要内容

2.1标准制定原则

在充分总结和比较了国内外相关电磁兼容设计与测试标准、调研了国内外对电

磁兼容分析的试验方法的基础上，参考了GB/T19951《道路车辆电气/电子部件

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对静电放电抗扰性的试验方法》、IEC61967《集成电路150kHz-1GHz电磁辐射的

测量》、IEC62132《集成电路电磁抗扰度测量》等多项标准中的有关内容编写。

本标准规定了汽车控制芯片的基本信息要求、电磁兼容性（EMC）评估要求、电磁兼

容性（EMC）评估以及评估报告。整体适用于汽车控制芯片的电磁兼容评估方法。

刘挺86752.1.1通用性原则刘挺8675刘挺8675

本标准提出的汽车控制芯片电磁兼容性评估方法不仅适用于传统的燃油汽车控

制芯片，同时也适用于电磁环境更加复杂的电动汽车控制芯片，通用性高。2.1.2

指导性原则

刘挺86752.1.2先进性原则刘挺8675刘挺8675

本标准提出的汽车控制芯片电磁兼容评估方法能为汽车控制芯片电磁特性的测

定提供指导作用。目前使用的IEC61967和62132等标准不适用于控制芯片电磁兼

容测试，而本标准提出的方法可以测定控制芯片电磁辐射发射和传导发射等电磁兼

容特性。

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2.1.3协调性原则

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刘挺8675本标准提出的方法与目前使用的国刘挺8675家标准中的方法协调统一。仅作为一种刘挺8675正对

性更强的方法对汽车控制芯片电磁兼容测试评估方法进行补充。

2.1.4兼容性原则

本标准提出的汽车控制芯片电磁兼容评估方法充分考虑了新能源汽车行业里用

刘挺8675到的控制芯片类型，具有普遍适用性。刘挺8675刘挺8675

2.2标准主要技术内容

本标准共分为8章，规定了汽车控制芯片电磁兼容试验评估方法和要求。内容

包括范围、规范性引用文件、术语和定义、缩略语、基本信息要求、EMC评估要求、

刘挺8675EMC评估、评估报告。刘挺8675刘挺8675

2.3关键技术问题说明

为使试验结果具有可重复性和可比较性，应配置试验板，不同引脚对应的试验

项目的配置方法按照表1进行。配置试验板时，应满足以下要求：

刘挺8675a)试验板的配置相关的引脚负载，刘挺8675所有引脚不可悬空：未连接负载的引脚刘挺8675会形

成“天线效应”，在高频（>100MHz）下产生非预期辐射，或通过容性耦合引入

噪声，导致测试结果偏差（实验数据显示悬空引脚可使辐射噪声提升5-10

dBμV/m）。

b)将耦合网络直接集成在试验板上，可消除外部连接线引入的寄生电感（典型

刘挺8675值1-5nH）和电容（0.1-1pF），确刘挺8675保测试信号路径阻抗的一致性（误差<5刘挺8675%）。

c)传导试验依赖精确的阻抗匹配网络（如50ΩLISN），其设计需符合IEC

61000-4-6规定的频率响应曲线（150kHz-230MHz±3dB）。非标准网络会导致

阻抗失配引发信号反射（VSWR>2.0），测试结果无法横向比对；滤波特性不一

致，高频噪声抑制不足（如未使用共模扼流圈时，30MHz以上噪声泄露增加15dB）。

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d)根据ISO/IEC17025标准，计算试验板配置引入的测量不确定度分量（如阻抗

误差贡献度≤3%）。

e)不同封装引脚长度差异导致近场辐射模式变化，共用试验板无法准确模拟真

实场景。外围引脚间距导致信号环路面积大，易受磁场耦合干扰。

控制芯片EMC评估试验项目可根据芯片用户需求或芯片设计方意愿进行选择，试

刘挺8675验项目及试验方法按照表1进行。刘挺8675刘挺8675

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刘挺8675表1控制芯片E刘挺8675MC评估试验项目及方法刘挺8675

试验方法及试验标准

试验项目

辐射类传导类

TEM/GTEM小室法（IEC

1Ω法/150Ω法（IEC61967-4）或

电磁发射61967-2）或

磁场探头法（IEC61967-6）

带状线法（IEC61967-8）

刘挺8675GTEM小室法（IEC62132-2）或刘挺8675刘挺8675

电磁敏感性直接功率注入法（IEC62132-4）

带状线法（IEC62132-8）

瞬态抗扰度/容性耦合注入（IEC62215）

系统级ESD/接触放电

注：对于辐射类试验，GTEM小室法和带状线法可任选一种；对于传导类电磁发射试验，1Ω法

/150Ω法或磁场探头法可任选一种

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2.4标准主要内容的论据

测试应尽可能详细描述与说明所有可能影响控制芯片EMC性能的硬件资源及其

工作状态。

引脚阻抗匹配：高频控制信号的引脚阻抗需与PCB走线特性阻抗（50Ω或100

Ω差分）匹配，减少反射噪声。

刘挺8675引脚噪声隔离设计：敏感模拟引脚刘挺8675与数字引脚需物理隔离，建议间距≥3刘挺8675倍引

脚宽度，并采用地屏蔽环包裹。

地引脚分布：多接地引脚均匀分布于芯片四周，采用“星型接地”结构，减少

地弹噪声与共模干扰。

负载瞬态响应：控制环路带宽不足（如<50kHz）会导致输出电压过冲

（Overshoot），瞬态di/dt引发高频辐射；增加斜率补偿或采用电流模式控制

刘挺8675（CurrentModeControl）。刘挺8675刘挺8675

固定频率PWM：在基频及其谐波处产生集中能量，易超出CISPR32辐射限值；

变频调制（如DCS-Control）：通过频率抖动（±10%）将噪声能量扩散至更宽

频段，降低峰值干扰。

调制深度与占空比：突发模式（BurstMode）或轻载下的低占空比运行（<10%）

会引入瞬态电流突变，导致传导噪声（150kHz~30MHz）幅值升高。

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X/Y电容与共模电感：X电容（μF级）抑制差模噪声，Y电容（nF级）与共模

电感（mH级）联合抑制共模噪声，但Y电容接地路径阻抗过高会削弱效果；

硬件资源应至少包括如下信息：

——电源模块：电压、最大电流等参数；

——内核模块：电压、电流、主频等参数；

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——端口模块：通讯协议等参数；

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刘挺8675——振荡器模块：时钟信号。刘挺8675刘挺8675

典型控制芯片的工作状态包括但不限于：

——工作状态1：使用外部时钟，启用PLL模块，某引脚端口输出PWM电压波

形；

——工作状态2：使用外部时钟，启用内核模块，通过计数功能控制CAN模块

发送数据。

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注1：硬件资源指芯片上可以调用并用于执行芯片功能的电路。

注2：工作状态指完成芯片当前功能时硬件资源所处的典型工作参数情况，如

电压、电流、功耗、频率（如有）、速率等。芯片的工作状态一般定义为稳定或周

期性工作状态，也可专门针对瞬态的工作状态进行测试评估，此时需要在报告中特

别做声明。

刘挺8675注3：不同模块的启用和启用程度刘挺8675可能影响控制芯片电磁兼容水平。刘挺8675

芯片上的硬件资源并不一定应用于芯片当前工作状态，如内部晶振可弃用，而

启用外部晶振。

2.5标准工作基础

编写组主要起草单位工业和信息化部电子第五研究所具备完整的汽车电子电磁

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兼容测试能力。验室拥有良好的软硬件平台等，如与本项目相关的时域还原和电磁

测试平台设计所需的射频硬件，满足IEC61967，IEC62132，IEC62215，IEC62228，

以及SAE、AECQ系列的测试要求，能保障本标准测试的正常运行。在此工作基础上

提出，结合起草组成员单位在该领域的技术积累和经验，对标准进行充分讨论和试

验验证，具有一定的先进性、通用性、科学性和可操作性。

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三、主要试验（或验证）情况分析

3.1控制芯片基本信息与电磁兼容性评估试验项目

表3.1内部模块的工作资源与工作状态

电源模块i内核模块i通信接口iGPIO驱动器i振荡器模块

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电压2.7V~5.5V同电源电压同电源电压2.7V~5.5V/

电流//接口静态电流推挽输出驱动电流/

<1μA（待机模±20mA

式）

主频/时钟/Cortex-M33@USART/CAN/HSI8MHz，HSE

源100MHzFD/LIN等4~16MHz

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刘挺8675功耗宽电压设计，典型运行功耗刘挺8675//低功耗RC振刘挺8675荡器

支持低功耗模<50μA/MHz（IRC40K）

式

工作周期支持BOR/PDR支持睡眠/停机CANFD速率最支持浮空/上拉/下支持PLL倍频至

电压监测模式高5Mbp拉模式100MHz

上升沿///5V耐受型IO，支持/

刘挺8675刘挺8675施密特触发输入，刘挺8675

上升/下降时间可

配置

注：表中i表示模块、总线、接口或GPIO的编号。

表3.2控制芯片的试验项目

电磁发射电磁敏感性瞬态抗扰

刘挺8675辐射类刘挺8675刘挺8675

GTEM小室法GTEM小室法/

试验项目

传导类1欧/150欧法直接功率注入法容性耦合注入

试验项目待测管脚：待测管脚：待测管脚：

3.2GTEM小室法电磁辐射发射试验评估

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3.2.1试验板原理与实物

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图1电磁辐射发射试验板

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图2电磁辐射发射试验系统

3.2.2控制芯片运行模式

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芯片运行模式

输入电压12V，驱动信号为0-5V、频率1kHz、占空比50%的方波信号，试验负

载为卤素灯。

3.2.3控制芯片的监测条件及状态判定准则

刘挺8675采用TEM小室法进行电磁辐射发射刘挺8675试验，试验设备及试验条件参照标准刘挺8675IEC

61967-2。试验负载为卤素灯，用直流电源为试验板提供12V直流电压，用信号发生

器为芯片提供电压0-5V、频率1kHz、占空比50%的方波驱动信号，用接收机扫描芯

片在150kHz-1GHz频段的电磁辐射发射强度。电磁辐射发射等级确定参考Generic

ICEMCTestSpecification标准。

状态判定准则：试验负载是否正常发光。

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3.2.4试验装置

试验设备：

(1)TEM小室

(2)EMI测试接收机

(3)直流电源E36233A

刘挺8675(4)信号发生器DG50672。刘挺8675刘挺8675

3.2.5试验环境条件

试验条件：参照IEC61967-2进行；试验频率范围为150kHz-1GHz。

3.2.6试验结果曲线

电磁辐射发射试验结果见表2，测试结果图片见图3-图11。

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表3.3电磁辐射发射试验结果

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样品名称结果描述图片

MCU芯片电磁辐射发射等级达到ClassI图14-图21

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150kHz-30MHz测试板方向0°底噪30MHz-1GHz测试板方向0°底噪

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图3测试板方向0°的电磁辐射发射底噪

150kHz-30MHz测试板方向0°30MHz-1GHz测试板方向0°

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图4测试板方向0°的电磁辐射发射强度

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150kHz-30MHz测试板方向90°底噪30MHz-1GHz测试板方向90°底噪

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图5测试板方向90°的电磁辐射发射底噪

150kHz-30MHz测试板方向90°30MHz-1GHz测试板方向90°

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图6测试板方向90°的电磁辐射发射强度

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150kHz-30MHz测试板方向180°底噪30MHz-1GHz测试板方向180°底噪

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图7测试板方向180°的电磁辐射发射底噪

150kHz-30MHz测试板方向180°30MHz-1GHz测试板方向180°

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图8测试板方向180°的电磁辐射发射强度

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150kHz-30MHz测试板方向270°底噪30MHz-1GHz测试板方向270°底噪

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图9测试板方向270°的电磁辐射发射底噪

150kHz-30MHz测试板方向270°30MHz-1GHz测试板方向270°

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图10测试板方向270°的电磁辐射发射强度

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图11GenericICEMCTestSpecification电磁辐射发射等级限值

3.3TEM小室法电磁敏感性试验评估

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3.3.1试验板原理与实物

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图12电磁辐射发射试验板

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图13电磁辐射发射试验系统

3.3.2控制芯片运行模式

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

原边VCC输入直流电压5V；副边VDDA和VDDB输入直流电压15V；信号输入引

脚INA输入电压3.3V，50%占空比，相位180度，频率10kHz；信号输入引脚INB

输入电压3.3V，50%占空比，相位0度；DIS引脚接地；DT引脚经10kΩ电阻接地，

产生大约120ns的死区时间。

3.3.3控制芯片的监测条件及状态判定准则

刘挺8675依照IEC61967-8的标准，采用刘挺8675IC带状线TEM小室法对控制芯片驱刘挺8675动器

SGM48220Q进行电磁辐射发射试验，采用隔离电源对芯片原边和副边进行隔离供电，

采用信号发生器产生两路互补方波为两个芯片信号输入引脚提供驱动信号。用信号

分析仪扫描芯片在150kHz~4GHz频段的电磁辐射发射强度，结合现场的环境，在

150kHz~10MHz频段，信号分析仪设置为DC耦合的信号输入，在10MHz~4GHz频段，

信号分析仪设置为AC耦合的信号输入。电磁辐射发射等级确定参考GenericICEMC

刘挺8675TestSpecification标准。刘挺8675刘挺8675

判定准则：通过示波器监测OUTA和OUTB引脚的输出状态

3.3.4试验装置

试验装置：

（1）IC带状线TEM小室

刘挺8675（2）信号分析仪N9010A刘挺8675刘挺8675

（3）直流电源DP832A

（4）信号发生器DG50672

（5）示波器DSOX3024T。

3.3.5试验环境条件

参照IEC61967-8进行；试验频率范围为150kHz-4GHz。

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

3.3.6试验结果曲线

15

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675整体的电磁辐射发射等级达到了C刘挺8675lassIII，下图14为辐射发射和辐射抗刘挺8675扰度

测试的朝向设置，图15-图30为试验结果。

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675图14刘挺8675测试方向刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675图15方向0度，150kHz~10MHz的底刘挺8675噪图16方向0度，10MHz~4GHz的刘挺8675底噪

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675图17方向0度，150kHz~10MHz的噪刘挺8675声图18方向0度，10MHz~4GHz的刘挺8675噪声

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刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

图19方向90度，150kHz~10MHz的底噪图20方向90度，10MHz~4GHz的底噪

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

图21方向90度，150kHz~10MHz的噪声图22方向90度，10MHz~4GHz的噪声

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

图23方向180度，150kHz~10MHz的底图24方向180度，10MHz~4GHz的底噪

噪

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

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刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

图25方向180度，150kHz~10MHz的噪图26方向180度，10MHz~4GHz的噪声

声

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

图27方向270度，150kHz~10MHz的底图28方向270度，10MHz~4GHz的底噪

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

噪

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

图29方向270度，150kHz~10MHz的噪图30方向270度，10MHz~4GHz的噪声

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刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675声刘挺8675刘挺8675

3.41欧/150欧法电磁发射试验评估

3.4.1试验板原理与实物

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675图31电磁刘挺8675传导发射试验板刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

图32电磁传导发射试验系统

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

3.4.2控制芯片运行模式

两个输出通道分别上电运行测试，原边VCC输入直流电压5V；副边VDDA或VDDB

输入直流电压15V；信号输入引脚INA或INB输入电压5V，50%占空比，频率10kHz；DIS

引脚接地。

3.4.3控制芯片的监测条件及状态判定准则

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

依照IEC61967-4的标准，采用1Ω法/150Ω法对隔离型双通道驱动器

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刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675SGM48220Q系列产品进行传导电磁发射刘挺8675试验，采用隔离电源对芯片原边和副边刘挺8675进行

隔离供电，采用信号发生器为芯片信号输入引脚提供驱动信号。用频谱分析仪扫描

芯片在150kHz~1GHz频段的传导电磁发射强度，电磁辐射发射等级确定参考Generic

ICEMCTestSpecifica