《汽车芯片电磁兼容评估方法 第2部分：电源管理芯片》

-ICS43.040.10

CCST36

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

团体标准

T/CSAExxx-xxxx

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

汽车芯片电磁兼容评估方法第2部分：

电源管理芯片

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

EMCAssessmentmethodofautomotivesIC—Part2：PowermanagementIC

（征求意见稿）

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

xxxx-xx-xx发布xxxx-xx-xx实施

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

中国汽车工程学会发布

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

T/CSAExxx-xxxx

前言

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中国汽车芯片产业创新战略联盟提出。

本文件由中国汽车工程学会标准化工作委员会归口。

本文件起草单位：。

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

本文件主要起草人：

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

III

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

T/CSAExxx-xxxx

汽车芯片电磁兼容评估方法第2部分：电源管理芯片

1范围

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

本文件规定了汽车电源管理芯片（以下简称：芯片）的电磁兼容性（EMC）评估要求、EMC评估和评

估报告。

本文件适用于汽车电源管理芯片的电磁兼容性评估。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文

件。

GB/T19951道路车辆电气/电子部件对静电放电抗扰性的试验方法

T/CSAEXXXX.1—202X汽车芯片电磁兼容评估方法第1部分：控制芯片

IEC61967-1集成电路电磁辐射测量第1部分：一般条件和定义（Integratedcircuits-

Measurementofelectromagneticemissions-Part1:Generalconditionsanddefinitions）

IEC61967-4集成电路电磁辐射的测量第4部分：传导发射测量-1Ω/150Ω直接耦合法

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

（Integratedcircuits-Measurementofelectromagneticemissions-Part4:Measurementof

conductedemissions-1Ω/150Ωdirectcouplingmethod）

IEC62132-1集成电路电磁抗扰度测量电磁抗扰度测量第1部分：一般条件和定义（ntegrated

circuits-Measurementofelectromagneticimmunity-Part1:Generalconditionsanddefinitions

(IEC62132-1:2015);Germanversio）

IEC62132-4集成电路电磁抗扰度测量电磁抗扰度测量第4部分射频功率直接注入法

（Integratedcircuits-Measurementofelectromagneticimmunity-Part4:DirectorRFpower

inj刘挺8675ectionmethod）IEC62215集成电路脉冲抗刘挺8675干扰度测量（Integratedcircuits–Meas刘挺8675urementof

impulseimmunity）

IEC62228集成电路收发器的电磁兼容性评估（Integratedcircuit–EMCevaluationof

transceivers）

IEC62433电磁兼容性集成电路建模（Integratedcircuit–EMCICmodelling）

IEC62615静电放电敏感性测试传输线脉冲(TLP)器件级（Electrostaticdischarge

sensitivitytesting-Transmissionlinepulse(TLP)-Componentlevel）

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

3术语和定义

GB/T19951、IEC61967-1、IEC62132-1、IEC62228、IEC62433和IEC62615界定的术语和定义

适用于本文件。

4缩略语

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

下列缩略语适用于本文件。

1

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

T/CSAExxx-xxxx

EMC：电磁兼容性(ElectromagneticCompatibility)

ESD：静电放电(ElectrostaticDischarge)

TEM：横电磁波(模)(TransverseElectromagneticMode)

5EMC评估要求

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

5.1芯片基本信息要求

芯片的基本信息至少应包括输入和输出电压、开关频率，尺寸、封装形式、型号和序列号等。

5.2硬件资源与工作状态

应详细描述与说明所有可能影响电源管理芯片EMC性能的硬件资源及其工作状态。

注1：硬件资源指芯片上可以调用，并用于执行芯片功能的电路和设置。

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

注2：工作状态指完成芯片当前功能时硬件资源所处的典型工作参数情况，如电压、电流、功耗、频率（如有）等。

芯片的工作状态一般定义为稳定输出特定功率的工作状态。

注3：芯片上的硬件资源并不一定应用于芯片当前工作状态。

5.3试验参数与条件

试验参数与条件应符合T/CSAEXXX.1—202X的5.3的要求。

5.4刘挺8675评估设备刘挺8675刘挺8675

评估设备应符合T/CSAEXXX.1—202X的5.4的要求。

5.5引脚要求

5.5.1引脚分类

芯片的引脚应进行全局引脚和局部引脚的区分，按表1进行分类。除另有规定外，全局引脚应进行

电磁刘挺8675敏感性和电磁发射试验，局部引脚可根据需刘挺8675要进行确定。刘挺8675

表1电源管理芯片的待试引脚分类

引脚类别a全局引脚局部引脚

输入电压引脚√/

输出电压引脚√√

反馈引脚√/

控制引脚/√

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

其他引脚根据实际情况

注：“√”代表“属于”，即区分芯片的引脚为全局引脚或局部引脚。

a引脚，功能如控制电源管理芯片开关状态，使芯片处于工作、待机或关断模式、启动时间和过流保护、开

关频率等。

5.5.2待试引脚选择

对于传导类试验项目，按照表2选择待测引脚。

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

表2传导类试验项目待测引脚要求

2

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

T/CSAExxx-xxxx

试验项目

引脚类别

电磁发射电磁敏感性瞬态抗扰度系统级ESD

输入电压引脚需要试验需要试验需要试验需要试验

输出电压引脚需要试验需要试验需要试验需要试验

反馈引脚需要试验需要试验需要试验需要试验

刘挺8675控制引脚可不做试验根据刘挺8675需求试验不需要试验不需刘挺8675要试验

其他引脚根据需求试验根据需求试验根据需求试验根据需求试验

5.6试验板的配置与要求

为使试验结果具有可重复性和可比较性，应配置试验板，不同引脚对应的试验项目的配置方法按照

表3进行。配置试验板时，宜满足下列要求。

a)试验板的配置相关的引脚负载，所有引脚不可悬空。

刘挺8675b)对于辐射类、传导类试验项目，所有刘挺8675非被测引脚试验板的配置可参考IEC619刘挺867567-1和IEC

62132-1。

c)应将耦合网络制作在试验板上。避免在同一引脚上同时制作多个耦合网络。

d)对于传导类试验项目，所有选定的待测引脚都应设计耦合网络，未有标准化耦合网络的待测引

脚，原则上其试验结果不能用于比对试验。

e)不同试验项目应设计对应的试验板，出于成本考虑也可设计兼容多种不同测试项目的试验板；

f)对于不同封装形式的芯片，宜采用不同设计的试验板，不宜采用夹具在同一试验板上进行不同

刘挺8675封装形式的芯片进行电磁兼容评估。刘挺8675刘挺8675

g)试验板的配置可能会影响试验结果，在评估报告中一般需给出试验板上耦合网络的配置。

表3电源管理芯片试验板配置方法

试验项目

引脚类别电磁辐射电磁传导电磁辐射电磁传导

瞬态抗扰度系统级ESD试验

发射发射敏感性敏感性

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

应符合以下要

应符合以下要求：

求：a）负载/偏置根

参考IEC

a）1Ω法/150Ω据芯片配置要

61967-1对参考IEC

法耦合网络配求；

被测引脚62132-1对被测

置参考IEC直接功率注入b）试验板配置

增加负载，引脚增加负载，去耦/耦合网络

输入电压61967-4；法去耦/耦合网主要针对电源

刘挺8675还应对待还应对刘挺8675待测引参考IEC刘挺8675

引脚b）磁场探头法络参考IEC引脚及其他引

测引脚设脚设计去耦网62215；

电磁发射试验62132-4；脚中的全局应

计去耦网络、耦合网络；

实验板上不需用的引脚，其配

络、耦合网

设计耦合网络，置主要根据实

络；

但应预留微带际应用过程设

线测试结构；定，可参考IEC

62228；

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

3

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

T/CSAExxx-xxxx

表3电源管理芯片试验板配置方法（续）

试验项目

引脚类别电磁辐射电磁传导电磁辐射电磁传导

瞬态抗扰度系统级ESD试验

发射发射敏感性敏感性

刘挺8675应符合以下要刘挺8675刘挺8675

求：

a）负载/偏置根

据芯片配置要应符合以下要

求；求：

b）1Ω法/150Ωa）负载/偏置根

法耦合网络参据芯片配置要

输出电压参考IEC耦合网络参考

刘挺8675考IEC刘挺8675求；刘挺8675

引脚61967-1IEC62215；

61967-4；b）直接功率注

c）磁场探头法入法耦合网络

电磁发射试验参考IEC

不需设计板上62132-4；

应符合以下要

耦合网络，但应

求：

预留微带线测

a）负载/偏置根

刘挺8675试结构；刘挺8675刘挺8675

据芯片配置要

参考IEC

求；

62132-1对被测

b）试验板配置

引脚增加负载，

主要针对电源

还应对待测引

引脚及其他引

应符合以下要脚设计去耦网

脚中的全局应

求：络、耦合网络；

用的引脚，其配

a）负载/偏置根

刘挺8675刘挺8675置主刘挺8675要根据实

据芯片配置要应符合以下要

际应用过程设

求；求：

定，可参考IEC

b）1Ω法/150Ωa）负载/偏置根

62228；

法耦合网络配据芯片配置要

参考IEC耦合网络参考

反馈引脚置参考IEC求；

61967-1IEC62215

61967-4；b）直接功率注

c）磁场探头法入法耦合网络

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

电磁发射试验参考IEC

不需设计板上62132-4

耦合网络，但应

预留微带线测

试结构

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

4

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

T/CSAExxx-xxxx

表3电源管理芯片试验板配置方法（续）

试验项目

引脚类别电磁辐射电磁传导电磁辐射电磁传导

瞬态抗扰度系统级ESD试验

发射发射敏感性敏感性

应符合以下要

刘挺8675求：刘挺8675刘挺8675

应符合以下要

a）负载/偏置参

求：

考应符合以下要

a）负载/偏置根

IEC61967-1；求：应符合以下要

据芯片配置要

b）1Ω法/150Ω参考IECa）负载/偏置参求：

求；

法耦合网络参62132-1对被测考a）负载/偏置参

b）试验板配置

控制引脚—考IEC引脚增加负载，IEC62132-1；考

主要针对电源

刘挺867561967-4；还应对刘挺8675待测引b）直接功率注IEC62132-1；刘挺8675

引脚及其他引

c）磁场探头法脚设计去耦网入法耦合网络b）耦合网络参

脚中的全局应

电磁发射试验络、耦合网络；参考IEC考IEC62215

用的引脚，其配

不需设计板上62132-4

置主要根据实

耦合网络，但应

际应用过程设

预留微带线测

定，可参考IEC

试结构

62228；

刘挺8675其他参考IEC刘挺8675刘挺8675

———

引脚61967-1

5.7工作状态、监测与状态判定

5.7.1工作状态要求

评估时，芯片应工作在指定状态。工作状态的定义应在评估报告中描述，可使用文字或代码形式描

述，应给出芯片在该状态下的状态参数。评估的工作状态根据应用场景设定，可以是典型工作状态，也

可以刘挺8675是满载工作状态电磁发射试验时）。刘挺8675刘挺8675

芯片工作状态的配置包括负载和开关频率（开关电源管理芯片时）。负载为阻性模拟负载，开关频

率为典型频率或最高频率。

系统级ESD试验对工作状态无特殊要求。

5.7.2工作状态监测要求

工作状态的监测为物理信号监测，且获得芯片的典型功能和性能指标。

刘挺8675对于输入和输出电压引脚、反馈引脚，应采刘挺8675用示波器监测其干扰波动范围。如：I/O端刘挺8675口引脚射频

干扰信号的幅度，或瞬态干扰信号的幅度。

系统级ESD试验无工作状态监测要求。

5.7.3工作状态判定

对于电磁敏感度试验及瞬态抗扰度试验，根据对芯片的监测情况，判定芯片所允许的正常工作状态

范围。如：端口引脚射频干扰信号的幅度小于100mV。

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

6EMC评估方法

5

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

T/CSAExxx-xxxx

6.1EMC评估试验项目及试验方法

按照T/CSAEXXX.1—202X（汽车芯片电磁兼容评估方法第1部分：控制芯片）中的6.1的方法进行

试验。

6.2电磁发射等级评估

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

按照T/CSAEXXX.1—202X（汽车芯片电磁兼容评估方法第1部分：控制芯片）中的6.2的方法进行

试验。

6.3电磁敏感性等级评估

按照T/CSAEXXX.1—202X（汽车芯片电磁兼容评估方法第1部分：控制芯片）中的6.3的方法进行

试验。

6.4刘挺8675瞬态抗扰度等级评估刘挺8675刘挺8675

按照T/CSAEXXX.1—202X（汽车芯片电磁兼容评估方法第1部分：控制芯片）中的6.4的方法进行

试验。

6.5系统级ESD评估

按照T/CSAEXXX.1—202X（汽车芯片电磁兼容评估方法第1部分：控制芯片）中的6.5的方法进行

试验。

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

7评估报告

为确保试验结果的可读性和可重复性，评估报告至少应包含以下信息：

——电源管理芯片的基本信息（例如工作电压、电流、功率、尺寸、封装形式、型号、串号等）；

——电源管理芯片的电磁兼容性试验项目名称；

——受试引脚（如有）；

刘挺8675——试验板配置及参数；刘挺8675刘挺8675

——试验板上电源管理芯片的运行模式（如执行程序）或工作状态，及对应使用的硬件资源；

——电源管理芯片的监测条件及状态判定准则（正常及异常）；

——试验设备描述，例如名称、制造商，型号，序列号、校准状态等；

——试验环境条件；

——试验结果曲线；

——其他需要说明的信息。

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

6

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

T/CSAExxx-xxxx

目次

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

前言.................................................................................III

1范围.................................................................................1

2规范性引用文件.......................................................................1

3术语和定义...........................................................................1

4缩略语...............................................................................1

5E刘挺8675MC评估要求...........................刘挺8675......................................刘挺8675.........2

5.1芯片基本信息要求.................................................................2

5.2硬件资源与工作状态...............................................................2

5.3试验参数与条件...................................................................2

5.4评估设备.........................................................................2

5.5引脚要求.........................................................................2

5.6试验板的配置与要求...............................................................3

5刘挺8675.7工作状态、监测与状态判定...........刘挺8675......................................刘挺8675........4

6EMC评估方法..........................................................................5

6.1EMC评估试验项目及试验方法........................................................6

6.2电磁发射等级评估.................................................................6

6.3电磁敏感性等级评估...............................................................6

6.4瞬态抗扰度等级评估...............................................................6

6.5系统级ESD评估...................................................................6

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

7评估报告.............................................................................6

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

T/CSAExxx-xxxx

汽车芯片电磁兼容评估方法第2部分：电源管理芯片

1范围

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

本文件规定了汽车电源管理芯片（以下简称：芯片）的电磁兼容性（EMC）评估要求、EMC评估和评

估报告。

本文件适用于汽车电源管理芯片的电磁兼容性评估。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文

件。

GB/T19951道路车辆电气/电子部件对静电放电抗扰性的试验方法

T/CSAEXXXX.1—202X汽车芯片电磁兼容评估方法第1部分：控制芯片

IEC61967-1集成电路电磁辐射测量第1部分：一般条件和定义（Integratedcircuits-

Measurementofelectromagneticemissions-Part1:Generalconditionsanddefinitions）

IEC61967-4集成电路电磁辐射的测量第4部分：传导发射测量-1Ω/150Ω直接耦合法

刘挺8675刘挺8675刘挺8675

（Integratedcircuits-Measurementofelectromagneticemissions-Part4:Measurementof

conductedemissions-1Ω/150Ωdirectcouplingmethod）

IEC62132-1集成电