4.2 存储器-国产存储器

国产存储器第4章存储器华南理工大学010302同有科技紫光存储紫晶存储同有科技01闪存：NetStorNCS7000G2F特点：（1）安全稳定

采用磨损均衡算法，数据安全存储周期至少10年（2）性能优良

专用数据传输处理电路和专用控制处理芯片，提升系统性能；采用增强型RAID算法，实现百万级IOPS和<1ms的IO延时（3）灵活方便

支持多种介质和多样化的闪存柜规格（4）海量存储

可同时支持Scaleout模式横向扩展和ScaleUp模式纵向扩展闪存：NetStorNCS9000NVMe5特点：（1）统一存储

采用多控集群架构，支持横向扩展和多样控制，实现统一存储（2）多控集群

实现2到16控的扩展，实现多孔集群架构（3）高可扩展、高性能存储IOPS达到3600万，最大带宽达到360GB/s，响应时间小于70μs（4）数据自动分层

依托数据自动分层技术，实现高效使用（5）高可用性

可用性达99.99%，支持2站点和3站点复制（6）数据在线硬件压缩、重复数据删除提升效率

可利用率具有较大的提升效果并且保证了性能的优势自主可控：ACS10000A特点：（1）全分布式架构及统一命名空间

存储节点采用飞腾FT-1500A全分布式架构，提供多节点的并行操作和服务（2）全接口协议支持及广泛兼容

具有NFS、CIFS、iSCSI全接口模式（3）便捷管理功能及无缝快速扩容

提供清晰简洁的管理界面，通过分布式切片和负载均衡技术实现快速扩容（4）多种数据冗余保护机制及自动故障探测

支持副本、纠删码N+M等多种数据保护机制自主可控：ACS5000特点：（1）全国产化

使用自研软硬件平台，保障数据存储安全（2）功能强大

具备自动精简、cache加速、自动分层等多种存储设备高级功能自主可控：NetStoriSUMA1200特点：（1）全国产化

使用自研软硬件平台，保障数据存储安全（2）数据安全

文件系统采用校验和算法双重验证，可以检测错误并恢复（3）统一存储

支持IP-SAN/FC-SAN存储局域网等多种网络存储形式和结构（4）操作便捷，环保节能

支持全中文图形管理界面，支持主流浏览器存储管理。采用双电源工作形式，减少功率损耗，降低能耗支出自主可控：NetStoriSUMS1200特点：（1）数据安全全条带写入方式避免传统RAID的写漏洞问题，交易型数据写入和COW写入保证写入数据真实、有效、完整，通过数据多副本方式进一步保证数据安全（2）性能优良采用块级加速算法和内置的MRU、MFU算法，保证读取性能（3）无限制容量扩展采用128位文件系统，最大容量支持16EB，等同于无容量限制（4）专业化设计，同时支持异构存储备份归档（5）环保节能降低使用成本（6）操作便捷简化运维管理企业级存储：NetStorNCS7300G3主要特点：（1）统一存储

统筹SAN和NAS功能，同时实现应用系统块级和文件级存储（2）配置灵活

支持横向和纵向扩展，支持iSCSI、FC、CIFS等多种存储接口协议（3）多控集群

采用多控集群架构，支持资源的统一调度管理（4）高速缓存

支持大小256G的高速缓存（5）双活架构

更新双活架构，实现控制器、机柜、站点级别的故障切换（6）数据分层

实现了用户对数据访问效率的需求和成本之间的平衡（7）其他

快速拷贝、存储镜像、远程复制企业级存储：NetStoriSUM420G5主要特点：（1）绿色节能

采用低功耗64位处理器和80plus金牌认证电源，满足节能环保要求（2）功能全面的存储管理

在控制器中嵌入管理软件，无需再添加软件驱动（3）增值软件

提供快照、配置自动化、远程复制等增值软件企业级存储：NetStoriSUM420E主要特点：（1）增值软件

提供定时备份、远程复制、自动精简配置等增值软件（2）简化管理

提供WEB界面实现系统管理，包括应用配置、固件更新、故障排查等功能紫光存储02RawNAND颗粒主要特点：（1）存储智选

采用业界领先的3DTLC闪存芯片，相比2D闪存芯片单位面积下容量大幅提升（2）体积迷你

全系颗粒长宽仅12毫米x18毫米，轻量级固态存储方案之选（3）容量丰富

全系列提供5种容量，32GB，64GB，128GB，256GB和512GB（4）双路可选

提供FBGA132Ball和FBGA252Ball两种封装标准（5）游刃有余

消费级颗粒支持1500次擦写寿命，企业级颗粒支持5000次擦写寿命RawNAND颗粒：消费级颗粒型号容量密度叠片封装类型UNN8GTE1B1AEA132GB256GbSDPFBGA(132Ball)UNN9GTE1B1DEA164GB256GbDDPFBGA(132Ball)UNN0TTE1B1HEA1128GB256GbQDPFBGA(132Ball)UNN1TTE1B1JEA1256GB256GbODPFBGA(132Ball)UNN9GTE1B1AEA164GB512GbSDPFBGA(132Ball)UNN0TTE1B1DEA1128GB512GbDDPFBGA(132Ball)UNN1TTE1B1HEA1256GB512GbQDPFBGA(132Ball)UNN2TTE1B1JEA1512GB512GbODPFBGA(132Ball)UNN0TTE1B4QEA1128GB256GbQDPFBGA(252Ball)UNN1TTE1B4LEA1256GB256GbODPFBGA(252Ball)RawNAND颗粒：入门企业级颗粒型号容量密度叠片封装类型UNN9GTE1B1DEB164GB256GbDDPFBGA(132Ball)UNN0TTE1B1HEB1128GB256GbQDPFBGA(132Ball)UNN1TTE1B1JEB1256GB256GbODPFBGA(132Ball)UNN9GTE1B1AEB164GB512GbSDPFBGA(132Ball)UNN0TTE1B1DEB1128GB512GbDDPFBGA(132Ball)UNN1TTE1B1HEB1256GB512GbQDPFBGA(132Ball)UNN2TTE1B1JEB1512GB512GbODPFBGA(132Ball)UNN0TTE1B4QEB1128GB256GbQDPFBGA(252Ball)UNN1TTE1B4LEB1256GB256GbODPFBGA(252Ball)RawNAND颗粒：企业级颗粒型号容量密度叠片封装类型UNN8GTE1B1AEC132GB256GbSDPFBGA(132Ball)UNN9GTE1B1DEC164GB256GbDDPFBGA(132Ball)UNN0TTE1B1HEC1128GB256GbQDPFBGA(132Ball)UNN1TTE1B1JEC1256GB256GbODPFBGA(132Ball)UNN9GTE1B1AEC164GB512GbSDPFBGA(132Ball)UNN0TTE1B1DEC1128GB512GbDDPFBGA(132Ball)UNN1TTE1B1HEC1256GB512GbQDPFBGA(132Ball)UNN2TTE1B1JEC1512GB512GbODPFBGA(132Ball)UNN0TTE1B4QEC1128GB256GbQDPFBGA(252Ball)UNN1TTE1B4LEC1256GB256GbODPFBGA(252Ball)嵌入式存储：eMCP主要特点：（1）高度集成

长宽11.5毫米x13毫米尺寸空间内集成了eMMC控制器、NANDFlash颗粒和DRAM颗粒（2）先进的硬件纠错引擎LDPCECC具有高效的数据纠错能力，确保系统安全可靠的运行（3）内部电压侦测系统

当电压偏低时，系统会采用解决方案，对数据进行保护，确保数据的安全稳定（4）内嵌32位CPU系统

内部嵌入了CPU系统（32位），达到保护NAND内部的数据安全稳定(5)高速LPDDR3接口高速LPDDR3符合JEDECLPDDR3协议规范，为系统CPU实现高效存储提供了必要的接口通道。嵌入式存储：eMCP型号密度内存信息PKG型号PKG

尺寸（mm）eMMC

(VCC/VCCQ)LP3

(VDD/VDDQ)NandLP

DRAMUNPVN6GACACA4CS64GB+24Gb3D

TLC

256GbLP3

1866Mbps221FBGA11.5

x

13

x

1.2VCC:

2.7~3.6V

VCCQ:

1.70~1.95V

或

2.7~3.6VVDD:

1.7~1.95V

VDDQ:

1.14~1.30VUNPVN6G5CACA4CS64GB+32Gb3D

TLC

256GbLP3

1866Mbps221FBGA11.5

x

13

x

1.2UNPVN5GACACA4BS32GB+24Gb3D

TLC

256GbLP3

1866Mbps221FBGA11.5

x

13

x

1.0UNPVN5G4CACA4BS32GB+16Gb3D

TLC

256GbLP3

1866Mbps221FBGA11.5

x

13

x

1.0嵌入式存储：UFS主要特点：（1）性能卓越

兼容JEDECUFS2.1标准，最高至HS-Gear3/UniPro1.6的MIPIM-PHY3.0（2）低功耗

速度的提升缩短任务处理时间，使功耗减低（3）小封装，高密度153-BallBGA封装,使用64层3DNAND（4）先进的硬件纠错引擎LDPCECC具有高效的数据纠错能力，确保系统安全可靠的运行嵌入式存储：UFS型号容量Nand

信息PKG类型PKG

尺寸（mm）VCCVCCQUNMFE06GC2D31AS64GB3D

TLC

256GbBGA15311.5

x

13

x

0.82.7~3.6V1.70~1.95VUNMFE07GC4D31BS128GB3D

TLC

256GbBGA15311.5

x

13

x

1.02.7~3.6V1.70~1.95VUNMFE08GC8D31CS256GB3D

TLC

256GbBGA15311.5

x

13

x

1.22.7~3.6V1.70~1.95V嵌入式存储：eMMC主要特点：（1）移动装置智能算法

针对移动装置，专门设计控制模块中硬件和软件（2）动态电源管理技术

电源管理方案灵活机动，芯片的功耗低（3）先进的硬件纠错引擎LDPCECC具有高效的数据纠错能力，确保系统安全可靠的运行（4）内部电压侦测系统

当电压偏低时，系统会采用解决方案，对数据进行保护，确保数据的安全稳定（5）内嵌32位CPU系统

内部嵌入了CPU系统（32位），达到保护NAND内部的数据安全稳定嵌入式存储：eMMC型号容量Nand信息PKG类型PKG

尺寸（mm）VCCVCCQUNMEN05GC1C31AS32GB3D

TLC

256GbBGA

15311.5

x

13

x

0.8

2.7~3.6V1.70~1.95V

or

2.7~3.6VUNMEN06GC2C31AS64GB3D

TLC

256GbBGA

15311.5

x

13

x

0.8

2.7~3.6V1.70~1.95V

or

2.7~3.6VUNMEN07GC4C31BS128GB3D

TLC

256GbBGA

15311.5

x

13

x

1.0

2.7~3.6V1.70~1.95V

or

2.7~3.6VSSD：P8160E主要特点：（1）软硬件的协同设计

通过高效调度FTL管理软件实现了较高的可靠保证、较高性能的数据存储功能（2）数据可靠性

高强度ECC硬件编解码单元由控制器芯片集成，检测并且纠正NAND介质访问的数据错误（3）平稳的性能

管理算法充分预计了高压力下的极端情况和工作负载的多变性，对前端I/O请求和后台行为进行了精细调度和控制SSD：S6110主要特点：（1）降低运营成本的同时保留基础设施投资

标准的SATA3.0接口,6Gb/s，与现有SATA存储基础设施兼容，并提供各种容量（2）支持两种封装

为了灵活的适配存储系统，可供选择的有2.5英寸和M.2两种外形（3）断电保护功能

自动断电保护功能，保证系统平稳运行（4）支持MPECC

数据容错算法强，数据安全得以保证SSD：S5170主要特点：（1）性能高，性价比高

采用3DNANDFlash，提供多种容量规格（2）稳定性、可靠性RAID数据保护技术、LDPC数据保护技术，动态/静态磨损均衡算法等保证了稳定性和可靠性（3）兼容性强大

兼容SATARevision3.1，支持ATA-8命令设定（4）管理智能

支持坏块管理、垃圾回收、WriteBooster技术、TRIM、S.M.A.R.T自检SSD：P5160主要特点：（1）PCIeGen3×4接口，符合NVMe1.3

传输速率上限3,500MB/s（2）3DNANDFlash

高容量、高效率、使用时间更长（3）M.22280-S2-M外形

兼容性更强，适配采用主流平台的笔记本和台式机SSD：P400主要特点：（1）PCIeGen4×4接口，符合NVMe1.3

传输速率上限4,500MB/s（2）3DNANDFlash

高容量、高效率、更耐久（3）M.22280外形

小巧轻薄，节省空间紫晶存储03ZL系列光存储系统主要特点：（1）产品线完整

能够满足绝大部分需求，具有小规模到PB级的海量存储（2）安全可靠

RRC数据的校验技术，单盘可读，拥有着超过50年的保存年限，且不可被篡改（3）磁光电一体化存储

能够实现超长时间的数据存储（4）无缝集成

集成多种方案，实现数据归档、备份、分层、容灾ZL系列光存储系统产品型号ZL600ZL1800ZL2520ZL6120ZL12240容量60TB180TB504TB1224TB2448TB光盘装载量60018002520612012240最大光驱数66122448网络接口1Gb/10GbEthernet平均抓取时间14s14s60s60s60s最大传输速率162MB/s162MB/s324MB/s648MB/s1296MB/s电源电压100-240VAC/47-63Hz尺寸标准19英寸24U机柜标准19英寸37U机柜19英寸25U机架标准19英寸42U机柜000x800x2090mm满载重量150kg240kg