CN114914355B 一种三维封装超导量子比特器件、其制备方法和设备 （中国科学院物理研究所）_第1页
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号本发明提供了一种三维封装超导量子比特点串联测试得到超导临界电流达到100mA，远大2所述铌基超导材料和所述铟柱子的连接处反应生成超导材料Nb3In，所述铌基超导材料和所述第一超导薄膜和所述第二超导薄膜的材料选自以下一种或多种：铌基超导材料、所述第一超导薄膜和所述第二超导薄膜的材料选自以下一种或多种：铌基超导薄膜、所述第一超导薄膜和所述第二超导薄膜的材料为铌基所述约瑟夫森结的材料为Al基超导材料或Nb基超8.制备根据权利要求1至7中任一项所述的三维3所述生长金属铌薄膜的方法为磁控溅射或电4所述光刻胶为AZP4620光刻胶或SPR221至7中任一项所述的三维封装超导量子比特器件或按照权利要求8至27中任一项所述的方56[0016]本发明的第二方面提供了制备第一方面所述的三维封装超导量子比特器件的方或7~250纳米，最优选为200纳米:和/或所述PMMA光刻胶的厚度优包含第一方面的三维封装超导量子比特器件或按照第二方面的方法制备的三维封装超导8[0060]图1示出了实施例1中本发明的三维封装超导量子比特器件的上层和下层衬底的1(b)示出了本发明的三维封装超导量子比特器件[0062]图3示出了实施例1制备的三维封装超导量子比特器件倒装压焊后上下片间距侧[0080]图1示出了实施例1中本发明的三维封装超导量子比特器件的上层和下层衬底的9速(基片上丙酣液体在此过程中应全覆盖基片)放入分析纯异丙醇液体中，后以功率90W的[0084]步骤3:在步骤2后，使用洁净慑子在异丙醇液体中夹取出以高纯氮气不间断吹淋3分钟以去除表面异丙醇液体与可能落于标准2英寸蓝宝石基片之[0085](2)高质量纯净的金属铌薄膜生长，该步骤为后续三维超导量子比特超导电路制[0088]步骤6:在步骤5后，停止在主真空室中通入高纯氩气并打开主真空室与分子泵之[0091]步骤8:在步骤7后，将生长好金属铌薄膜的蓝宝石基片置于旋转涂胶机上，涂上[0098]步骤13:将上层芯片经过步骤12之后的样品置于旋转[0100]此后将基片冷却三分钟后置于旋转涂胶机上旋转涂胶机上，均匀滴上SXAR-PC[0108]图3示出了实施例1制备的三维封装超导量子比特器件倒装压焊后上下片间距侧[0112]初步测试比特样品T1时间平均10us-20us，基本满足多比特超导量子器件应用要

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