CN114927456B 微型发光二极管芯片的转移方法 （Tcl华星光电技术有限公司）_第1页
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文档简介

本申请公开一种微型发光二极管芯片的转第一连接电极位于微型发光二极管芯片远离感极或/和第二连接电极上形成有焊接材料；采用2采用感光胶层将微型发光二极管芯片粘接于透光的过渡基板上，所述微将所述过渡基板移动至所述驱动基板的上方，且将所述微型一连接电极与所述第二连接电极对位，所述第一连接电极或/和所述第二连接电极上形成采用第一激光照射所述过渡基板上的所述感光胶层，以使所述微型采用第二激光照射，以使所述焊接材料熔融，熔融的所述焊接材料在6.根据权利要求1或5所述微型发光二极管芯片的转8.根据权利要求1或7所述微型发光二极管芯片的3述第一连接电极与所述第二连接电极对位，所述第一连接电极或/和所述第二连接电极上[0013]在上述微型发光二极管芯片的转移方法中，所述第一激光的波长大于或等于340[0015]在上述微型发光二极管芯片的转移方法中，所述第一连接电极上形成有焊接材4接材料133，第一连接电极132与芯片本体131连接，焊接材料133形成于第一连接电极1325膜晶体管阵列层202设置于承载板201上，多个第二连接电极203设置于薄膜晶体管阵列层11与微型发光二极管芯片13之间的粘性力，微型发光二极管芯片13从感光胶层11上脱落，第二连接电极203和/或焊接材料133上，挥发的助焊剂12还可能扩散至感光胶层11附近的6以使得第一激光L1在过渡基板10中具有良好的穿透性。例如，第一激光L1的波长为345纳驱动基板20上第二连接电极203之间的度升高，第一连接电极132上的焊接材料133在第二激光L2的照射产生的热量的作用下熔L2照射焊接材料133熔融时对微型发光二极[0052]本实施例微型发光二极管的转移方法通过采用第一激光照射过渡基板上的感光[0053]请参阅图3，其为本申请另一实施例微型发光二极管芯片的转移方法的流程示意789

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