CN114968093B 电子装置及利用其存储空间的方法 （三星电子株式会社）

202010493211.92020.06.03US2018129416A1,2018.US2015099543A1,2015.0各种实施例公开了一种电子装置及利用其括非易失性存储器、存储装置控制器和存储接口，该非易失性存储器包括缓冲空间和存储空储设备的非易失性存储器的缓冲空间的高速数易失性存储器的缓冲空间中缓冲的数据写入非基于存储接口在第二状态下操作的预定时间段2使用所述存储的非易失性存储器的缓冲空间来确定所述存储是否支持高速数据存储如果所述存储支持高速数据存储模式，则向所述存储发送储设备控制器在所述存储接口处于第一状态时自动执行将所述缓冲空间中的数据刷新到每当在所述存储接口处于第一状态时新的数据写入请求被其中，所述第二状态是允许所述存储从所述处理器接收所述数在所述存储接口处于第一状态时，从所述处理器接收所述第响应于所述存储接口转变到第一状态，基于第一响应于刷新所述缓冲空间中的所述数据时生成写其中，所述存储设备控制器还被配置为当所述存储接口转3使用所述存储的非易失性存储器的缓冲空间确定所述存储是否支持高速数据存储模如果所述存储支持高速数据存储模式，则向所述存存储设备控制器在存储接口处于第一状态时自动执行将所述缓冲空间中的数据刷新到非每当在存储接口处于第一状态时新的数据写入请求被生成时，向其中，所述第二状态是允许所述存储从所述处理器接收所述数9.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读介质，其中，所述指令还使得所述处理在所述存储接口处于第一状态时，从所述处理器接收所述第响应于所述存储接口转变到第一状态，基于第一响应于在刷新所述缓冲空间中的数据时生成的写4速数据存储模式将数据写入其存储设备(storage)中的电子装置及利用其存储空间的方数据传送技术的最新进展促进了用于快速存储传送的数据空间的一部分分配为缓冲空间，使得数据在低密度数据存储模式下在缓冲空间中被缓冲，[0006]在以特定大小的缓冲空间执行在高密度数据存储模式下将在缓冲空间中缓冲的[0007]如果响应于新的数据写入输入/输出请求在存储数据的中途执行在高密度数据存存储发送第一控制命令以激活所述存储设备控制器在所述存储接口处于第一状态时自动于所述存储接口从第一状态到第二状态的转变的指令；向所述存储发送所述数据写入请求，使得所述存储设备控制器执行将所述数据写入所述非易失性存储器的缓冲空间的功5[0009]本公开的实施例提供了一种存储可由电子设备的处理器执行的指令的非暂时性处理器能够设置在高密度数据存储模式下将在缓冲空间中缓冲的数据写入存储空间中的在睡眠模式下操作时或在处理电子装置进入省电模式的过程的中途能够执行在高密度数[0012]本公开的实施例还提供一种电子装置，该电子设备装置能够按下述方式防止和/或减少将数据写入存储空间中的操作使处理新的数据写入输入/输出请求的性能劣化，该方式使得在存储接口在睡眠模式下操作时或在处理电子装置进入省电模式的过程的中途能够执行在高密度数据存储模式下将在缓冲空间中缓冲的数据写态下操作将在非易失性存储器的缓冲空间中缓冲的数据写入非易失性存储器的存储空间6省电操作之中的针对存储设备的省电操作的启动来确定存储设备是否支持高速数据存储在非易失性存储器的缓冲空间中缓冲的数据写入非易失性存储器的存储空间中的时间段；以及在该时间段期间将在存储设备的非易失性存储器的缓冲空间中缓冲的数据写入存储[0020]图3是示出根据各种实施例的用于电子装置以高密度数据存储模式存储数据的示[0021]图4是示出根据各种实施例的以逐步方式使用低密度数据存储方案和高密度数据存储方案以高速数据存储模式操作的电子装置的示例[0023]图6是示出根据各种实施例的在电子装置中的应用处理器与存储设备之间的示例[0026]图9是示出根据各种实施例的在省电(powersaving)模式进入过程中针对电子装[0027]图10是示出根据各种实施例的在电子装置中的应用处理器与存储设备之间的示7络环境100中的电子装置101可经由第一网络198(例如，短距离无线通信网络)与电子装置或通信模块190)相关的功能或状态中的至少一些，或者在主处理器121处于激活状态(例[0034]可将程序140作为软件存储在存储器130中，并且程序140可包括例如操作系统[0035]输入装置150可从电子装置101的外部(例如，用户)接收将由电子装置101的其它[0036]声音输出装置155可将声音信号输出到电子装置101的外部。声音输出装置155可8[0039]传感器模块176可检测电子装置101的操作状态(例如，功率或温度)或电子装置101外部的环境状态(例如，用户的状态)，然后产生与检测到的状态相应的电信号或数据[0040]接口177可支持将用来使电子装置101与外部电子装置(例如，电子装置102)直接[0042]触觉模块179可将电信号转换为可被用户经由他的触觉或动觉识别的机械刺激星系统(GNSS)通信模块)或有线通信模块194(例如，局域网(LAN)通信模块或电力线通信在用户识别模块196中的用户信息(例如，国际移动用户识别码(IMSI))识别并验证通信网络(诸如第一网络198或第二网络199)中的电9适合于在通信网络(诸如第一网络198或第二网络199)中使用的通信方案的至少一个天线。随后可经由所选择的至少一个天线在通信模块190和外部电子装置之间发送或接收信号或[0048]上述部件中的至少一些可经由外设间通信方案(例如，总线、通用输入输出[0049]根据实施例，可经由与第二网络199连接的服务器108在电子装置101和外部电子装置104之间发送或接收命令或数据。电子装置102和电子装置104中的每一个可以是与电来自用户或另一装置的请求执行功能或服务，则电子装置101可请求所述一个或更多个外置101除了运行所述功能或服务以外，还可请求所述一个或更多个外部电子装置执行所述功能或服务中的所请求的所述至少部分，或者执行与所述请求相关的另外功能或另外服情况下或者在不对所述结果进行进一步处理的情况下将所述结果提供作为对所述请求的根据各种公开的实施例，可以通过省略或替换图2中描绘的一些组件来配置电子装置101。关操作或数据处理，并且它可以包括图1的处理器120的配置和/或功能的至少一部分。例[0053]根据各种实施例，经由应用处理器200控制存储设备300的组件可以被称为主[0056]根据各种实施例，控制器230可以经由应用处理器200的存储接口240将各种控制接口240可以包括例如但不限于MIPIM-PHY接口、由移动行业处理器接口(mobile200可以经由MIPIM-PHY接口或MIPIunipro接口执行与存储设备300的[0057]根据各种实施例，存储设备300可以存储由电子装置101的组件中的至少一个(例中的非易失性存储器134)。例如，闪速存储器310可以包括符合通用闪速存储(universal据写入请求(数据写入I/O)、数据读取请求(数据读取I/O)或数据删除请求(数据删除I/O)[0060]图3是示出根据各种实施例的用于电子装置以高密度数据存储模式存储数据的示[0061]参照图3，存储设备300的闪速存储器310可以以根据可存储在单元中的数据位的据的单层单元(singlelevelcell，SLC)模式、用于在单元中存储2位数据的多层单元(multi-levelcell，MLC)模式、用于在单元中存储3位数据的三层单元(triple-level据被相对缓慢地写入的TLC模式操作的闪速存储器310可以临时将存储模式切换到SLC模式使得在SLC模式下将要存储在闪速存储器310中的数据缓冲在闪速存储器310的缓冲空间313中并在TLC模式下进行将数据写入闪速存储器310的存储空间315中。闪速存储器310可数据写入从闪速存储器310的空白空间借用的、具有预定大小的高速可写缓冲空间313中，重写数据的操作是对应用处理器200透明的存储器内(intra-memory)操作，所以用户的感(UFS)3.1Turbo写入模式。写入缓冲在闪速存储器310的缓冲空间313中的数据的操作可以[0064]根据各种实施例，应用处理器200可以经由控制器230的存储主机控制器231将用器320可以在SLC模式下将数据写入闪速存储器310的缓冲空间为将在闪速存储器310的缓冲空间313中缓冲的数据重写到闪速存储器310的存储空间315冲空间313中缓冲的数据的至少一部分写入闪速存储器310的存储空间315中，并且从缓冲[0069]图4是示出根据各种实施例的以逐步方式使用低密度数据存储方案和高密度数据存储方案以高速数据存储模式操作的电子装置的示例例，应用处理器200的存储接口240和存储设备300的存储接口330可以在应用处理器200的储接口330可以例如在由MIPI联盟定义的各种unipro状[0072]根据各种实施例，如果在预定时间段(例如10ms)期间未向存储设备300生成数据冲空间313中的数据的至少一部分写入存储空间315中，并从缓冲空间313删除写入存储空300可以在从进入第一状态直到从第一状态唤醒的时间段期间执行闪速存储器310的刷新接收到该控制命令时，存储设备300可以停止刷新操作并且控制存储接口从第一状态到第[0079]根据各种实施例，应用处理器200可以在SLC模式下确定是否分配闪速存储器310的存储空间315的一部分作为用于缓冲数据的缓冲空间313，以验证存储设备300是否支持[0080]根据各种实施例，应用处理器200可以在检测到电子装置的通电时初始化存储设应用处理器200可以在检测到电子装置1退出电子装置101的省电模式)转变时初始化存储设备300的设置中的至少一部分，并在检致可用于闪速存储器310的缓冲空间313[0082]根据各种实施例，当电子装置101在进入省电模式的过程期间对存储设备执行省装置101的省电模式的过程可以包括用于以预定顺序为电子装置101的各个组件(例如，触摸屏和通信电路)执行省电任务以便电子装置101进入[0084]根据各种实施例，电子装置101进入省电模式的过程可以包括针对与应用处理器信电路)的省电操作的省电模式进入过程中，在检测到针对存储设备300的省电操作启动器200的存储驱动器220来执行针对存储设[0086]根据各种实施例，如果确定存储设备300支持高速数据存储模式，则应用处理器间313的可用容量来确定是否终止针对存储设备30储设备300已在第一时间段期间执行闪速存储器310的刷新操作之后停止针对存储设备的省电操作(未完成)并且恢复电子装置101的值并且等于或小于第二阈值(例如，大于缓冲空间313的总容量的30％并且等于或低于用处理器200可以执行尚未执行的针对电子装置101的其他理器200可以控制电力管理模块从电池向闪在电子装置101中生成的新任务时，应用处理器200可以控制存储设备300停止闪速存储器屏和通信电路)的省电操作之中的针对存储设备300的省电操作的过程中在预定时间段期间完成闪速存储器310的刷新操作之后确定需要附加的刷新操作，则可以恢复待机模式进入过程而不完成省电操作，这使得存储设备300可以重复执行闪速存储器313的刷新操作。根据各种实施例，应用处理器200能够控制存储设备300以在电子装置101进入待机模式之前重复执行闪速存储器310的刷新操作，这导致闪速存储器310的缓冲空间313的可用容量[0096]参照图5，电子装置101可以还包括电力管理模块(电力管理集成电路(power[0101]根据各种实施例，在存储接口330处于第一状态时存储设备300执行闪速存储器[0102]图6是示出根据各种实施例的在电子装置中的应用处理器与存储设备之间的示例[0103]参照图6的信号流程图600，应用处理器200可以在操作601确认存储设备300是否唤醒或退出省电模式)时，应用处理器200可以确定存储设备300是否支持高速数据存储模备300是否支持高速数据存储模式以供闪速存储器的缓冲空间313的存储空间315中的一些分配为用于高速数据存储模式的缓冲空间313，则存储设备300可以向应用处理器200发送包括指示其支持高速数据存储[0106]根据各种实施例，应用处理器200可以在操作605基于在存储设备300中支持高速在TLC模式下将已经在SLC模式下在闪速存储器310的缓冲空间313中缓冲的数据的至少一可以向存储设备300发送用于存储设备300执行闪速存储器310的刷新该响应信号包括指示在存储接口330在第一状态下操作时激活执行闪速存储器310的刷新该控制命令提供用于在存储设备300的存储接口330在第二状态下操作时在预定时间段期满时将存储接口330转变到第一状态的指令，在该预定时间段期间没有发生要发送给存储确定在存储接口330在第一状态下操作的持续时间内是否激活执行闪速存储器310的刷新[0115]根据各种实施例，在存储接口330处于第一状态的持续时间内激活执行闪速存储[0116]图7是示出根据各种实施例的电子装置101的应用处理器200的示例操作的流程[0117]参照图7的流程图700，应用处理器200可以在操作710确定存储设备300是否支持执行刷新操作，该方式使得在TLC模式下将已经在SLC模式下在闪速存储器310的缓冲空间备300的存储接口330在第二状态下操作时存储接口330在没有发生要发送给存储设备300[0120]图8是示出根据各种实施例的电子装置的应用处理器的示例操作的流程图。在此可能不再重复与参照图6和图7进行的详细则过程进行到操作807，在该操作中，应用处理器200控制存储设备300以激活在存储接口[0126]根据各种实施例，应用处理器200可以在操作811确定在存储接口330在第二状态下操作的时段期间是否发生要发送给存储设[0128]根据各种实施例，如果在操作811确定在预定时段期间没有发生要发送给存储设[0129]图9是示出根据各种实施例的在省电模式进入过程中针对电子装置的组件的示例模式进入过程可以是电子装置101以按照预定顺序执行针对电子装置101的组件的省电操[0133]根据各种实施例，电子装置101进入省电模式的过程可以包括针对与应用处理器200可操作地连接的各个组件的省电操作。针对这些组件的省电操作的示例可以包括关闭对应组件的电源和时钟的操作以及其他从属操作。在完成针对与应用处理器200可操作地连接的所有组件的省电操作之后，应用处理器200还可以执行其自身的省电操作以完成电子装置101的省电模式进入过程。在省电模式进入过程的至少一项省电操作未完成的情况[0134]例如，在电子装置101的省电模式进入过程被配置为顺序地执行针对存储设备[0135]根据各种实施例，在其中顺序地执行针对电子装置101的各个组件的省电操作的[0136]图10是示出根据各种实施例的在电子装置中的应用处理器与存储设备之间的示理器200可操作地连接的电子装置101的各个组件的各个组件的省电操作的省电模式进入过程的过程中启动针对存储设备300的省电操作。针对组件的省电操作的示例可以包括关闭到存储设备300的存储空间315中的一些分配为用于高速数据存储模式的缓冲空间313，则存储设备300可以向应用处理器200发送包括指示其支持高速数据存储速存储器310的缓冲空间313的可用容量的信息的响应缓冲的数据的至少一部分写入闪速存储器310的存储空间315中，并从存储设备300中的闪速存储器310的缓冲空间313删除写入存储空间315中的[0145]根据各种实施例，在操作1017，存储设备300可以在预设时间段期间执行刷新操[0147]参照图11的流程图1100，应用处理器200可以在操作1110以预定顺序执行针对电检测到针对存储设备300的省电操作的启动时确定存储设备300是否支持高速数据存储模理器200可以在操作1130检查闪速存储器310中的用于高速数据存储模式的缓冲空间313的可用容量。例如，闪速存储器310可以是非易失性存储器(例如，图1中的非易失性存储器来设置用于存储设备300执行闪速存储器310的刷新操可能不再重复与参照图9和图10进行的详细置101的各个组件的省电操作的省电模式进入过程的过程中针对存储设备300执行省电操理器200可以在操作1207检查闪速存储器310中的用于高速数据存储模式的缓冲空间313的可用容量等于或小于第一阈值，则这可以确定存储设备300在第一时间段期间执行闪速存间存储设备300完成闪速存储器310的刷新操作之后，在操作1217停止针对存储设备300的第二时间段期间存储设备300完成针对闪速存储器310的刷新操作之后执行针对存储设备300的省电操作，并且在操作1215进行执行并完成针对其他剩余组件的省电操作以使电子器200可以控制以立即完成针对存储设备300的省电操作，而无需存储设备300的闪速存储一状态下操作将在非易失性存储器的缓冲空间中缓冲的数据写入非易失性存储器的存储作将在非易失性存储器的缓冲空间中缓冲的数据写入非易失性存储器的存储速数据存储模式来向存储设备发送指示存储设备激活功能的控接口接收到写入请求而在高速数据存储模式下执行数据写[0170]根据各种示例实施例的电子装置的存储控制方法还可以包括基于存储设备的存储接口在第一状态下操作来控制电力管理模块以将电力从电池提供给是否是基于存储设备将在非易失性存储器的缓冲空间中缓冲的数据写入存储空间中而生存储空间中而生成，停止将在非易失性存储器的缓冲空间中缓冲的数据写入存储空间中；执行针对电子装置的组件的省电操作以使电子装置进入省电模式，所述组件包括触摸屏、通信电路和存储设备300；基于针对电子装置的组件的省电操作之中的针对存储设备的省于缓冲空间的可用容量等于或小于第一阈值在第一时间段期间执行将在非易失性存储器储设备的省电操作并恢复针对电子装置的组件的省电操作以使电子装置于缓冲空间的可用容