CN114968096B 一种存储器的控制方法、存储器与存储系统 （合肥康芯威存储技术有限公司）

申请至少一个动态映射单元存储数据的逻辑地的所述动态映射单元中存储的映射关系是否被下刷至存储区中，当先存储的映射关系未被下动态映射表中纵向长度最长的所述动态映射单发明提出的存储器的控制方法可提高存储器的2依据所述分组编号，判断先申请的所述动态映射单元中存储的所述4.根据权利要求1所述的存储器的控制方法，其特征在于，在申请所述动态映射单元3存储器控制器，电性连接于所述可复写式非易失性存储器模块存储器控制器，电性连接于所述可复写式非易失性存储器模块4在闪存的哪个位置是不固定的，这就需要设置一个逻辑地址和物理地址的映射表(L2P可占用多个有效映射关系表中的位置，易导致缓存映射节点和缓存映射表之间存在差异，5动态映射单元存储在动态映射表中。将较早申请的动态映射单元中存储的映射关系下刷，6[0043]需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘入/输出(input/output，I/O)装置120。计算机110包括微处理器111、随机存取存储器7[0049]请参阅图1所示，本发明一实施例中，存储器200是通过数据传输接口113与主机存储器控制器202与可复写式非易失性存储准、电气和电子工程师协会(InstituteofElectricalandElectronicEngineers，Express)标准、通用序列总线(UniversalSerialBus，USB)标准、安全数字(SecureCard，MMC)接口标准、小型快闪(CompactFlash，CF)接口标准、集成式驱动电子接口件型式实作的多个逻辑门或控制指令，并且根据主机100的指令在可复写式非易失性存储203具有物理区块。物理区块可属于同一个存储器晶粒(die)或者属于不同的存储器晶粒。8会先执行此驱动码段来将储存于可复写式非易失性存储器模块203中的控制指令加载至存[0062]请参阅图3所示，存储器接口2026是电性连接至存储器管理电路2022并且用以存取可复写式非易失性存储器模块203。也就是说，欲写入至可复写式非易失性存储器模块106的数据会经由存储器接口2206转换为可复写式非易失性存储器模块203所能接受的格理电路2021是电性连接至存储器管理电路2022并且用以控制存储器控制器202的存储器管理电路2022从主机100中接收到写入指令时，错误检查与校正电路2024会为对应此写入指令的数据产生对应的错误检查与校正码(ErrorCheckingandCorrecting9写式非易失性存储器模块203中读取数据时会同时读取此数据对应的错误检查与校正码，并且错误检查与校正电路2024会依据此错误检查与校正码对所读取的数据执行错误检查[0069]请参阅图5所示，在本发明一实施例中，存储器200中的包括缓存区210和存储区部分数据不可能会被读取。一级映射表222包含了全部逻辑地址与对应物理地址的映射关分段4例如从逻辑地址40至逻辑地址49。从图6中可以看出，逻辑地址分段0对应逻辑地址(N)对应的物理地址3211至逻辑地址(N+段内数目-1)的逻辑地址对应的物理地辑地址(N)对应的物理地址3211至逻辑地址(N+段内数目-1)的逻辑地址对应的物理地址3212也就是逻辑地址分段0对应的存储空间。所述存储空间可用于存储数据和存储映射关静态映射单元2111中还包括物理地址分段0，物理地址分段0对应一级映射表222中的逻辑或者读数据请求中的逻辑地址转化为固态硬盘中数据的实际地址。因此当输入逻辑地址储数据的逻辑地址范围和物理地址范围的映射关系。多个动态映射单元2121连接在一起，的占用。态映射单元中存储的映射关系是否被下刷至存储区的具体过程可依照步骤S31-映射单元是否充足的具体过程可依照步骤S5中的静态映射单元2111对应逻辑地址分段0，因此将二级映射表中的静态映射单元2111中有的动态映射单元存储的逻辑地址范围和物理地址范[0106]S75、下刷所述动态映射表中纵向长度最长的所述动态映射单元中存储的所述映则下属阴影标识的动态映射单元所在的纵向列表中所有动态映射单元中存储的逻辑地址的动态映射单元中存储的映射关系已被下刷，则判断闲置的所述动态映射单元是否充足，