CN114974667B 一种银纳米线导电薄膜的制备方法 （电子科技大学中山学院）_第1页
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CN114974667B 一种银纳米线导电薄膜的制备方法 （电子科技大学中山学院）_第3页
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201910528591.22019.06.18号本发明是申请号为2019105285912的分案申薄膜在多次弯折后仍能保持良好的方阻与透光决了柔性透明导电薄膜难以实现规模化生产的池，有机发光二极管等柔性器件中的大规模应2并采用无水乙醇将所述银纳米线配置成50mg/mL的银纳2）将所述银纳米线_乙醇溶液放置于超声仪器中使所述银纳米线断裂至长度为2_3μm2.根据权利要求1所述的银纳米线导电薄膜的3.根据权利要求1所述的银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于所述银纳米线导30.3:0.002_0.008:0.0[0009]所述分散剂由含有多种颜料锚固基团的高分子嵌段聚合物和表面活性剂溶液混4的大规模应用。5新材料有限公司的涂易乐®SIF_720增稠剂（广州中万新材料有限公司的WZ_907表面后采用无水乙醇将所述银纳米线配置成50mg/mL的银纳米线剂（天津赫普菲乐新材料有限公司的涂易乐®Disper_CED流平剂（天津赫普菲乐新材料有限公司的涂易乐®SIF_720增稠剂（广州中万新材料有限公司的WZ_907表面活性剂[0045]一种银纳米线导电薄膜的制备方法与实施例1相同，所述银纳米线导电薄膜的厚剂（天津赫普菲乐新材料有限公司的涂易乐®Disper_CED流平剂（天津赫普菲乐新材料有限公司的涂易乐®SIF_720增稠剂（广州中万新材料有限公司的WZ_907表面活性剂6[0048]一种银纳米线导电薄膜的制备方法与实施例1相同，所述银纳米线导电薄膜的厚7

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