CN115015660B 一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置及使用方法 （中国电子技术标准化研究院）

号一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置及本发明提供了一种集成电路电磁辐射抗扰经过强场探头和场强监测仪对感应到场强进行监测受试IC的工作状态并对电磁辐射抗扰度进2全电波暗室(1)，所述全电波暗室(1)为密封盒状物，所述密封干扰信号发生单元(2)，设置于所述全电波暗室(1)的外部极化天线(3)，设置于所述全电波暗室(1)的内部，通过屏蔽电缆定受试IC(16)并与所述受试IC(16)电连接；所述受试IC(16)的非受试面与所述IC试验板激光发射器(6)，设置于所述屏蔽箱体(4)的内部且发射方向可调，场强探头(7)，设置于所述屏蔽箱体(4)的内部并位于所述开导轨滑块组合体(8)，包括导轨(9)和滑块(10)，所述导轨(9)设置于所述全电波暗室所述极化天线(3)可滑动设置于所述导轨(9)上，所述导轨滑块组合体(8)用于固定所述极化天线(3)和调节所述极化天线(3)在板(5)电连接，用于监测所述受试IC(16)的工作状态并对根据所述工作状态对电磁辐射抗控制计算机(17)，设置于所述全电波暗室(1)的外部，分别与所述干扰信号发生单元3制计算机(17)电连接，用于测量所述定向耦合器(20)输出的预定比例的前向功率和/或反4.如权利要求1至3任一项所述的一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置，其特征在过旋转所述支架上部使所述激光发射器(6)或所述场强探头(7)对准所述屏蔽箱体(4)开孔所述非导电支撑物(22)包括至少三个非导电脚垫，所述非导电脚垫用支撑所述屏蔽箱体(4)并使所述屏蔽箱体(4)与所述全9.一种使用如权利要求1至8任一项所述的集成电路电磁辐射抗扰度测试装置的使用启动所述激光发射器(6)并调整所述激光发射器(6)的位置，使所述激光发射器(6)对准所述屏蔽箱体(4)开孔的中心位置，并使激光的发射方向处于水平方向且垂直于所述开调整所述极化天线(3)的高度和极化方向，使极化方向与所将所述激光发射器(6)置换为场强探头(7)，使所述场强探头(7)的方向与所述激光发4在150kHz～80GHz的预定频率范围内，调节所述干扰信号发生监测仪(11)显示的场强达到预定场强范围时记录所述干扰信号发生单元(2所述预定频率范围内根据所述前向功率向所述极化天线(3)注入射频干扰信号，并观测所述场强监测仪(11)显示的场强达到预定5现对集成电路在频率更高、频率范围更广的电磁辐射下进行更精准和快速地抗扰度测试受试IC并与所述受试IC电连接；所述受试IC的非受试面与所述IC试验板的一面贴合连接，67述屏蔽箱体并使所述屏蔽箱体与所述全电波暗[0033]本发明的第二方面，提供了一种集成电路电磁辐射抗扰[0037]在150kHz～80GHz的预定频率范围内，调节所述干扰信号发生单元输出干扰信号仪显示的场强达到预定场强范围时记录所述干扰信号发生监测仪显示的场强大小与所述预定场强范围的差值对所述射频干扰信号的强度进行调节，[0042]图1是根据本发明实施例提供的一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置的结构示[0043]图2是根据本发明实施例提供的一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置的屏蔽箱[0044]图3是根据本发明实施例提供的一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置的屏蔽箱8[0045]图4是根据本发明实施例提供的另一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置的结构[0046]图5是根据本发明实施例提供的一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置的结构使或设备不必限于清楚的列出的那些步骤S或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这[0050]为使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合本发明实施例中的附[0053]本发明实施例提供了一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置，图1为一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置的结构示意图，图2为一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置的屏蔽箱体和激光发射器的结构示意图，图3为一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置的部和内部均覆盖有吸波材料和/或电磁屏蔽材料；所述全电波暗室1内底面采用绝缘材料。9[0059]需要说明的是，所述屏蔽电缆是使用金属网状编织层把信号线包裹起来的传输[0061]其中，所述IC试验板5可拆卸设置于所述屏蔽箱体4的开孔处并完全覆盖所述开[0063]其中，所述场强探头7设置于所述屏蔽箱体4的内部并位于所述开孔的中心位置化天线3可滑动设置于所述滑轨上，所述导轨滑块组合体8用于固定所述极化天线3和调节面的水平方向移动且所述极化天线3在所述滑轨上进行平行所述开孔平面的水平方向移动，所述滑块10也可在所述导轨9上仅进行平行于所述开孔平面的水平方向移动且所述极化天线3在所述滑轨上进行垂直所述开孔平面的水平方向移动，所述滑块10还可在所述导轨9上进行平行和垂直于所述开孔平面两个水平方向的移动且所述极化天线3在所述滑轨IC试验板5电连接，用于监测所述受试IC16的工作状态并对根据所述工作状态对电磁辐射述场强监测仪11显示的场强达到预定场强范围时记录所述干扰信号发生单元2的前向功中心处的强场探头对极化天线3产生射频干扰信号的强度进行获取，场强监测仪11将监测或通过导轨滑块组合体8调节所述极化天线3朝向所述场强探头7水平方向的位置，使极化天线3产生的强场达到预定强场范围，将与受试IC16进行连接的IC试验板5覆盖于所述开限度地接受来自干扰信号发生单元2产生的射频干扰信号，并最大限度地降低信号损耗以[0082]功率放大器19，设置于所述全电波暗室1的外部，与所述射频信号发生器18电连部与所述支架下部旋转连接，用于通过旋转所述支架上部使所述激光发射器6或所述场强[0090]本发明实施例中，通过一体设置的激光发射器支架和探头支架使使激光发射器6根据本发明实施例提供的另一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置的结构示意图，如图4述天线支架13高度可调且可移动设置于所述导轨滑块组[0099]本发明实施例中，通过若干层PCB电路板制成的IC试验板使所述受试IC16最大限装置的使用方法，图5是本发明实施例的一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置的使用方述场强监测仪11显示的场强达到预定场强范围时记录所述干扰信号发生单元2的前向功发生器18输出干扰信号的大小，在所述场强探头7处达到所述预定场强范围时记录所述功中心处的强场探头对极化天线3产生射频干扰信号的强度进行获取，场强监测仪11将监测或通过导轨滑块组合体8调节所述极化天线3朝向所述场强探头7水平方向的位置，使极化天线3产生的强场达到预定强场范围，将与受试IC16进行连接的IC试验板5覆盖于所述开限度地接受来自干扰信号发生单元2产生的射频干扰信号，并最大限度地降低信号损耗以[0110]在一个优选的实施例中，使所述场强监测仪11显示的场强达到预定场强范围包[0111]具体的，