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文档简介
本发明提供一种半导体器件同步结温测试的在不同温度下的初步温度系数和初步温度补试系统中测试多个批次的半导体器件中的最优2S1:搭建电路,获取同批次半导体器件中每只产品S2:利用平均值法校准多批次半导体器件的平S3:在半导体测试系统中测试多个批次的半导体将半导体器件置入清油中,选择不引起半导体器件发热的电通过最小二乘法拟合曲线模型为线性模型,得到同批次半导体器件的温度区间为25℃-90℃。J1为当前温度下的半导体器件结温,TJ2为K1n为相同温度下同一批次的多个半导体器件温B1n为相同温度下同一批次的多个半导体器件温34[0004]针对现有技术中存在的问题,本发明提供一种半导体器[0012]将半导体器件置入清油中,选择不引起半导体器件发热5K1n为相同温度下同一批次的多个半导体B1n为相同温度下同一批次的多个半导体[0027]进一步,所述步骤S4中需要基于半导体测试系统中的ADD和MULT对半导体器件结批次产品温度性能;在半导体测试系统中测试多个批次的半导体器件中的最优产品参数,行测试得到初步温度系数和初步温度补偿,利用平均值法得到多个批次的最优产品参数,6员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本发明保护的范[0044]将半导体器件置入清油中,选择不引起半导体器件发热7K1n为相同温度下同一批次的多个半导体B1n为相同温度下同一批次的多个半导体[0064]优选的,所述步骤S4中需要基于半导体测试系统中的ADD和MULT对半导体器件结90℃。8温度(℃)温度系数(℃/W)初步温度补偿(℃)-505.5344.9-507.5-526.5365.3[0079]T补=(350.4+348.5+347.0+346.1+345.8+345.6+345.3+345+344.9)/9=
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