CN115172561B 发光二极管及其制备方法 （厦门三安光电有限公司）

202110839925.52021.07.22US2014252390A1,201电极层包括形成在所述第一绝缘层上和所述第金属反射层位于所述第一半导体层和所述应力属元素在所述第一金属反射层的含量大于所述2第一电极层，包括形成在所述第一绝缘层上和所述第一其中，所述第一金属反射层和所述应力调整层含有同一种金元素在所述第一金属反射层的含量大于所述2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极层还包括金属接合第一电极层，包括形成在所述第一绝缘层上和所述第一其中，所述第一金属反射层和所述应力调整层含有同一种第一电极层，包括形成在所述第一绝缘层上和所述第一8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述第一金属反射层的厚度为34开口与所述第一半导体层电性连接，所述第一电极层包括第一金属反射层和应力调整层，5[0028]其中，所述第一电极层中的所述粘附层具有至少与所述第二开口部分重叠的通在实现良好的欧姆接触效果的同时增加第一电极层的反射率，进而增加入射光的反射效6[0034]通过参照附图详细描述示例性实施例，特征将对于本领域普通技术人员变得清透光材料形成，并且可具有不会引起整个发光结构120弯曲并且使得能够通过划线和断裂2O3[0046]所述发光结构120包括一第一半导体层121、一第二半导体层1[0047]第一半导体层121、有源层122和第二半导体层123可由Ⅲ族氮化镓系列的化合物7[0048]有源层122是第一半导体层121提供的电子和第二半导体层123提供的空穴再次结构的多层的半导体薄膜形成。有源层122会依据输出的光波长不同的而选择不同的材料组[0049]局部缺陷区1211位于部分所述第二半导体层123上，且向下延伸至所述第一半导130可以加强电流的扩散和与第二半导体层123形成欧姆接触。透明导电层130的材料可为[0051]发光二极管还可包括布置在透明导电层130上的第二金属反OP1形成于第一绝缘层161中，第一开口OP1可穿透第一绝缘层161以暴露局部缺陷区1211，此不同。例如，第一子绝缘层可由氧化硅(SiO2)层形成，并且第二子绝缘层可由氧化钛[0053]所述第一电极层151形成在第一绝缘层161上和第一开口OP1内，并通过第一开口一半导体层121接触的第一金属反射层151a、形成在第一金属反射层151a上的防止扩散层层151d以及形成在蚀刻阻挡层151d上[0055]参照图2a，在第一半导体层121上依次层叠第一金属反射层151a、防止扩散层8属反射层151a的厚度小于100nm时则反射效果不佳，如果第一金属反射层151a的厚度大于500nm时，则后续制程中防止扩散层151b对第一金属反射层151a的包覆性不佳导致第一金介于120nm-350nm之间，从而使第一电极层151的反射率达到85%以上且达到优异的欧姆接0.5nm至10nm的厚度。在一优选实施例中，金属接合层151f的厚度优选为介于1[0060]应力调整层151c可以布置在防止扩散层151b之上。由于第一电极层151需要一定9[0063]蚀刻阻挡层151d可以布置在应力调整层151c之上。蚀刻阻挡层153作为在用于后续第二绝缘层162中形成第三开口OP3的蚀刻工序中保护第一电极层151中易被腐蚀的金属优选为由Au/Ti/Pt组成。绝缘层162粘附性较差，此处必须增加一层薄的粘附层151e以增加蚀刻阻挡层151d与第二OP3的蚀刻工序中蚀刻液或蚀刻气体会腐蚀粘附层151e，因此粘附层151e具有至少与第三[0066]发光二极管还包括形成于第二开口OP2内的第二电极层152，第二电极层152与第[0067]在一实施例中，第二电极层152与第一电极层151包含相同的金属材料及/或具有[0068]发光二极管还可包括在第一电极层151上形成第二绝缘层162。第二绝缘层162包二绝缘层162具有第三开口OP3和第四开口OP4，其中第三开口OP3露出第一电极层151的部例的发光器件1以倒装芯片为例，其中第一焊盘电极171和第二焊盘电极172可以布置在发[0070]第一焊盘电极171可以被电连接到发光结构120的第一半导体层121，第二焊盘电极171通过第三开口OP3和通孔1511与蚀刻阻挡层151d接触。第二焊盘电极172通过第四开口OP4与第二电极层152接触，第二电极层152位于第二半导体层123和第二焊盘电极172之[0072]在一实施例中，在形成第二绝缘层162中的第四开口的蚀刻工序中也会遇到和上述形成第三开口OP3一样的问题，第二电极层152中的粘附层也会被蚀刻液或蚀刻气体腐和第二半导体层123可包括利用诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、氢化物气相外延材料形成，并且可具有不会引起整个发光结构120弯曲并且使得能够通过划线和断裂工艺2O3凸起的蓝宝石，包括例如采用干法蚀刻制作的没有固定斜率的凸起，又或者采用湿法蚀刻的具有一定斜率的凸起。[0077]第一半导体层121、有源层122和第二半导体层123可由Ⅲ族氮化镓系列的化合物[0078]有源层122是第一半导体层121提供的电子和第二半导体层123提供的空穴再次结构的多层的半导体薄膜形成。有源层122会依据输出的光波长不同的而选择不同的材料组[0079]参照图4，可蚀刻发光结构120的一部分以暴露出第一半导体层121的一部分以形缺陷区1211显露有第一半导体层121台面以及第一半导体层121、有源层122及第二半导体属反射层140上包覆金属保护层。作为示例，可通过诸如PVD工艺或磁控溅射工艺的沉积工艺在透明导电层130上沉积第二金属反射层140，如选用Al或Ag高反射金属作为反射镜可不设置。一绝缘层161包裹第二金属反射层140的侧壁、透明导电层130的侧壁以及覆盖于相邻的发系列第一开口OP1和第二开口OP2。第一开口OP1可穿透第一绝缘层161以暴露局部缺陷区此不同。例如，第一子绝缘层可由氧化硅(SiO2)层形成，并且第二子绝缘层可由氧化钛一电极层151通过和第一开口OP1电接触第一半导体层121。第一电极层151可包括多个层。应力调整层151c上的蚀刻阻挡层151d以及形成在蚀刻阻挡层151d上的粘[0084]第一金属反射层151a优选由与第一半导体层121良好地电接触的物质构成，并且一金属反射层151a的厚度大于500nm时，则后续制程中防止扩散层151b对第一金属反射层(Ar)或氢(H2)的等离子体处理第一半导体层表面过后，合金材料与第一半导体层121也形[0090]蚀刻阻挡层151d可以布置在应力调整层151c之上。蚀刻阻挡层153作为在用于后续第二绝缘层162中形成第三开口OP3的蚀刻工序中保护第一电极层151中各层金属易被腐绝缘层162粘附性较差，此处必须增加一层薄的粘附层151e以增加蚀刻阻挡层151d与第二粘附层151e优选为Ti,厚度优选为2-[0093]在一实施例中，第二电极层152与第一电极层151包含相同的金属材料及/或具有开口OP3和第四开口OP4的蚀刻工序中蚀刻液或蚀刻气体会腐蚀粘附层151e，因此粘附层151e具有至少与第三开口OP3和第四开口OP4阻挡层151d能够有效防止蚀刻液对应力调整层中153和第一金属反射层153中的Al的损伤。作为示例，第一电极层151构成依次层叠的Al（第一金属反射层151a）/Ti（防止扩散层情况下，由于在干蚀刻工序中，作为蚀刻气体而可使用包括F基的卤素气体(例如：CF4、盘电极171通过第三开口OP3和通孔1511与蚀刻阻挡层151d接触。第二焊盘电极172通过第四开口OP4接触第二电极层152，第二电极层152位于第二半导体层123和第二焊盘电极172之间。第一焊盘电极171可以被电连接到发光结构120的第一半导体层121，