【答案】《模拟电子电路》(杭州电子科技大学)章节期末中国大学慕课答案

第1次模拟电子电路导论及二极管第1次测验1.单选题：限幅电路如图所示，其设定的幅度上下限为（）。

选项：

A、3V,6V

B、3.7V，6.7V

C、-3V,6V

D、-3.7V,6.7V

答案：【-3V,6V】2.单选题：判断如图所示电路中各二极管的工作状态。

选项：

A、D1导通，D2截止

B、D1导通，D2导通

C、D1截止，D2导通

D、D1截止，D2截止

答案：【D1截止，D2导通】3.单选题：限幅电路如图所示，稳压对管参数为VD(on)=0.7V，VZ=7.3V，rZ=0Ω，则其设定的输出信号上下限为（）。提示：这里的DZ叫稳压对管，里面包含两个一模一样、相对连接的齐纳二极管。

选项：

A、-7.3V,7.3V

B、-7.3V，8V

C、-8V,7.3V

D、-8V,8V

答案：【-8V,8V】4.单选题：如果一个中间抽头全波整流器中有一个二极管开路，则输出信号表现为（）

选项：

A、0V

B、半波整流后的波形

C、幅度减小的波形

D、不受影响的波形

答案：【半波整流后的波形】5.单选题：齐纳二极管广泛应用于（）。

选项：

A、限流器

B、配电器

C、稳压器

D、可变电阻

答案：【稳压器】6.单选题：在____中，空穴浓度大于电子浓度；在____中，空穴浓度等于电子浓度；在____中，空穴浓度小于电子浓度。

选项：

A、本征半导体，P型半导体，N型半导体

B、P型半导体，本征半导体，N型半导体

C、P型半导体，N型半导体，本征半导体

D、N型半导体，P型半导体，本征半导体

E、N型半导体，本征半导体，P型半导体

答案：【P型半导体，本征半导体，N型半导体】7.单选题：在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。

选项：

A、杂质浓度，温度

B、温度，掺杂工艺

C、掺杂工艺，杂质浓度

D、温度，杂质浓度

E、杂质浓度，掺杂工艺

答案：【杂质浓度，温度】8.单选题：当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层；当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。

选项：

A、大于，变窄，小于，变宽

B、大于，变宽，小于，变窄

C、小于，变宽，等于，变窄

D、等于，变宽，小于，不变

E、小于，变宽，大于，不变

答案：【大于，变窄，小于，变宽】9.单选题：在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。

选项：

A、增大，减小

B、增大，增大

C、减小，减小

D、减小，增大

E、增大，不变

F、不变，减小

G、不变，不变

答案：【增大，减小】10.单选题：在描述二极管单向导电性的几种模型中，一般工程上，常用来进行快速分析电路参数的模型是（）。

选项：

A、理想二极管

B、恒压降模型

C、折线模型

D、数学模型

答案：【恒压降模型】11.单选题：为形成N型半导体，需要向本征半导体掺入（）价杂质，从而使得半导体内（）浓度大大增加。

选项：

A、+5，自由电子

B、+5，空穴

C、+3，自由电子

D、+3，空穴

答案：【+5，自由电子】12.单选题：为形成P型半导体，需要向本征半导体掺入（）价杂质，从而使得半导体内（）浓度大大增加。

选项：

A、+5，自由电子

B、+5，空穴

C、+3，自由电子

D、+3，空穴

答案：【+3，空穴】13.单选题：在本征半导体中，空穴浓度____电子浓度；在N型半导体中，空穴浓度____电子浓度；在P型半导体中，空穴浓度____电子浓度。

选项：

A、等于，小于，大于

B、等于，大于，小于

C、大于，等于，小于

D、小于，等于，大于

答案：【等于，小于，大于】14.单选题：在描述二极管单向导电性的几种模型中，一般工程上，常用来快速判断二极管工作状态的是（）

选项：

A、数学模型

B、恒压降模型

C、折线模型

D、理想二极管模型

答案：【理想二极管模型】15.单选题：PN结的形成过程可以简述如下：

选项：

A、多子扩散，少子漂移，空间电荷区出现，达到动态平衡

B、多子扩散，空间电荷区出现，少子漂移，达到动态平衡

C、少子漂移，空间电荷区出现，多子扩散，达到动态平衡

D、少子漂移，多子扩散，空间电荷区出现，达到动态平衡

答案：【多子扩散，空间电荷区出现，少子漂移，达到动态平衡】16.单选题：一个50Hz正弦波输入全波整流器后，其输出信号的频率是（）

选项：

A、25Hz

B、50Hz

C、100Hz

D、0Hz

答案：【100Hz】17.单选题：如果某个二极管外加正向电压为1.0V，那么下列哪类模型不适合用于该问题的分析？

选项：

A、数学模型

B、理想二极管模型

C、折线模型

D、恒压降模型

答案：【理想二极管模型】18.单选题：当PN结加正向电压时，空间电荷区的宽度将（）

选项：

A、变宽

B、变窄

C、不变

D、未知

答案：【变窄】19.多选题：在下述几种击穿现象中，哪些击穿是可逆的？

选项：

A、热击穿

B、齐纳击穿

C、雪崩击穿

D、以上都可以

答案：【齐纳击穿;雪崩击穿】20.多选题：下列哪些信号可以作为模拟电路的处理对象?（）

选项：

A、正弦信号

B、三角波信号

C、格雷码信号

D、数字图像信号

答案：【正弦信号;三角波信号】21.多选题：下面对PN结单向导电性描述正确的是（）

选项：

A、正向导通，反向截止

B、正偏时PN结等效为一个小电阻

C、反偏时PN结等效为一个大电阻

D、正偏时PN结内有较大电流通过，PN结内电流方向是由N区流向P区

答案：【正向导通，反向截止;正偏时PN结等效为一个小电阻;反偏时PN结等效为一个大电阻】22.单选题：整流电路中主要利用的是二极管的单向导电性。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】23.单选题：只要待处理信号足够小，且满足二极管小信号工作条件，我们就可以用二极管的小信号模型来分析该二极管对这个信号的响应。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】24.单选题：齐纳二极管只能用作稳压用途。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】第1次作业1.如图所示电路，图中的二极管为理想二极管，计算图中所标出的电压和电流值。

答案：【】2.如图所示电路，图中的二极管为理想二极管，计算图中所标出的电压和电流值。

答案：【解：(a)假设二极管截止，则VD=5V-(-5V)=10V(2分)则假设不成立，二极管导通，则I=10V/10kΩ=1mA(2分)V=-5V(2分)(b)假设二极管截止，则VD=-5V-(5V)=-10V(2分)则假设成立，二极管截止，则I=0mA(2分)V=-5V(2分)】3.如图所示电路，该电路功能是什么？设输入正弦波的有效值为120V，并假设二极管理想。选择合适的R值，使得二极管的峰值电流不超过50mA，并求二极管两端最大的反向电压。

答案：【】4.

答案：【】第2次半导体器件——场效应管1第2次测验1.单选题：某个以MOS为核心器件的电路，其输入输出传输特性如图所示，若需要该电路实现放大器功能，应使其核心器件工作在（）区域。

选项：

A、AB段

B、OA段

C、BC段

D、OA和BC

E、横坐标大于C点的区域

答案：【AB段】2.单选题：某个以MOS为核心器件的电路，其输入输出传输特性如图所示，若需要该电路实现数字逻辑电路功能，应使其核心器件工作在（）区域。

选项：

A、OA和BC段

B、AB段

C、OA段

D、BC段

E、横坐标大于C点的区域

答案：【OA和BC段】3.单选题：已知某NMOS器件的Vt=1V，，=50V，且工作点电流=0.5mA，则其小信号模型参数=（）mA/V，=()kΩ。

选项：

A、1,100

B、0.5，50

C、1,50

D、2,100

答案：【1,100】4.单选题：场效应管工作时，参与导电的载流子为（）。

选项：

A、多子

B、少子

C、电子

D、空穴

答案：【多子】5.单选题：MOSFET中的导电沟道是指其（）。

选项：

A、金属层

B、耗尽层

C、反型层

D、氧化层

E、N型区域

F、P型区域

答案：【反型层】6.单选题：NEMOSFET饱和区的工作条件为，。

选项：

A、>,<

B、>,>

C、＜,<

D、＜,>

答案：【>,>】7.单选题：某一电压放大器的幅频特性如图所示，其中频增益为____，上限截止频率为____Hz，下限截止频率为____Hz。（提示：下面的图形也称为渐近波特图，或者折线波特图，是实际波特图的近似。）

选项：

A、20dB；；100

B、20dB；10000；1000

C、100；；100

D、10；；100

E、20dB；100000；100

F、100；10000；100

G、10；；1000

答案：【20dB；；100】8.单选题：在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的____电位，PMOS的衬底应接在电路的____电位。

选项：

A、最高，最高

B、最高，最低

C、最低，最高

D、最低，最低

答案：【最低，最高】9.单选题：电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V，L=1µm，W=32µm，，忽略沟道长度调制效应，则电阻=（）kΩ，=（）kΩ。

选项：

A、5,3.25

B、4,6

C、3,7

D、3.25,5

答案：【3.25,5】10.单选题：某放大电路在负载开路时，测得输出电压为5V，在输入电压不变的情况下接入3kΩ的负载电阻，输出电压下降到3V，说明该放大电路的输出电阻为（）kΩ。

选项：

A、1

B、2

C、3

D、4

答案：【2】11.多选题：当时，能够导通的MOS管为（）。

选项：

A、NEMOSFET

B、NDMOSFET

C、PEMOSFET

D、PDMOSFET

答案：【NDMOSFET;PDMOSFET】12.多选题：若某放大器的输入信号为电压信号，输出信号为电流信号，则以下描述正确的有（）。

选项：

A、该放大器为互导放大器

B、该放大器为互阻放大器

C、理想情况下该放大器输入电阻极高

D、理想情况下该放大器输入电阻极低

E、理想情况下该放大器输出电阻极高

F、理想情况下该放大器输出电阻极低

答案：【该放大器为互导放大器;理想情况下该放大器输入电阻极高;理想情况下该放大器输出电阻极高】13.多选题：已知MOSFET构成的放大器直流通路和器件物理参数，为判断分该器件是否工作在饱和区，除漏极工作电流外，直流工作点参数还包括哪些？

选项：

A、

B、

C、

D、

E、

答案：【;】14.多选题：在MOS的交流小信号等效电路中，是（）。

选项：

A、器件互导参数

B、描述器件在饱和区正向受控作用的关键参数

C、描述器件输入输出信号主要控制关系的参数

D、描述沟道长度调制效应的关键参数

E、描述衬底效应的关键参数

F、描述输出端口电压电流关系的参数

G、描述输入端口电压电流关系的参数

答案：【器件互导参数;描述器件在饱和区正向受控作用的关键参数;描述器件输入输出信号主要控制关系的参数】15.多选题：放大器的直流偏置电路设计目的是（）。

选项：

A、设置合适的工作点位置，以保证较好的放大效果

B、设置合适的交流输入输出范围

C、设置稳定的直流工作点

D、设置较理想的输入电阻

E、设置较理想的输出电阻

F、设置较理想的带宽

答案：【设置合适的工作点位置，以保证较好的放大效果;设置合适的交流输入输出范围;设置稳定的直流工作点】16.多选题：某放大器的电压增益为40dB，因为某种原因增益扩大了10倍，则现在的增益大小为（）。

选项：

A、400dB

B、1000V/V

C、60dB

D、30dB

答案：【1000V/V;60dB】17.多选题：已知某N沟道增强型MOS场效应管的。下表给出了四种状态下和的值，试判断各状态下器件的工作状态。

选项：

A、状态1：饱和区；状态2：饱和区：

B、状态1：截止区；状态2：饱和区

C、状态3：变阻区；状态4：饱和区

D、状态3：饱和区；状态4：变阻区

答案：【状态1：截止区；状态2：饱和区;状态3：变阻区；状态4：饱和区】18.单选题：在画放大器直流通路时，所有交流信号源都应短路。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】19.单选题：在画电路的交流通路时，所有外接信号源都应置零处理。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】20.单选题：MOSFET做放大器，要想正常工作只需用电路提供合理的偏置使其工作在饱和区即可。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】21.单选题：MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】22.单选题：假设NEMOSFET已工作在饱和区，若继续增大时，沟道夹断点向漏极移动。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】23.单选题：在画放大器直流通路时，电容应短路，电感应开路。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】24.单选题：如图所示电路，参考CS放大器传输特性曲线，随着升高，MOSFET从饱和区变化到变阻区，临界条件是输入电压比输出电压低。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】第2次作业1.

答案：【】2.

答案：【】3.

答案：【】4.

答案：【】第3次半导体器件及应用——场效应管2第3次测验1.单选题：放大电路中的静态分量是指__________，动态分量是指____。

选项：

A、电压和电流中不随输入信号变化的部分，电压和电流中随输入信号变化的部分

B、直流电源所提供的电压和电流，电压和电流中随输入信号变化的部分

C、电压和电流中不随输入信号变化的部分，正弦交流输入和输出信号

D、直流电源所提供的电压和电流，正弦交流输入和输出信号

E、电压和电流中随输入信号变化的部分，电压和电流中不随输入信号变化的部分

答案：【电压和电流中不随输入信号变化的部分，电压和电流中随输入信号变化的部分】2.单选题：MOS放大器中，更适合做电压跟随器的是（），而更适合做电流跟随器的是（）。

选项：

A、CS组态，CG组态

B、CG组态，CD组态

C、CD组态，CG组态

D、CG组态，CS组态

E、CS组态，CD组态

答案：【CD组态，CG组态】3.单选题：电路如图所示，如果电容C2开路，则MOSFET的漏极直流电压将会（），漏极交流电压将会（），增益将会（）。

选项：

A、不变增大增大

B、不变减小减小

C、增大减小不变

D、增大不变减小

答案：【不变增大增大】4.单选题：I=0.5mA，=1.5V，，足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输（注意图中未画出输入和输出端外接的耦合电容），要实现增益为15倍的放大电路，则=（）kΩ。

选项：

A、10

B、15

C、12.5

D、8

答案：【15】5.单选题：=10V，I=0.5mA，=4.7MΩ，=15kΩ，=1.5V，，足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输（注意图中未画出耦合电容），若输入信号由于某种原因，变为了原来的3倍（0.2V→0.6V），则我们改变电路结构由图a变为图b，以保持输出信号大小不变，则=（）kΩ。(a)(b)

选项：

A、1

B、2

C、0.5

D、0.25

答案：【2】6.单选题：CD放大器具有较（）的输入电阻和较（）的输出电阻。

选项：

A、高，高

B、高，低

C、低，高

D、低，低

答案：【高，低】7.单选题：CG放大器具有较（）的输入电阻和较（）的输出电阻。

选项：

A、高，高

B、高，低

C、低，高

D、低，低

答案：【低，高】8.单选题：在下图中如果输入输出均有电容耦合，则将RG的阻值由10MΩ替换为1MΩ时，栅极直流电压将会（），漏极直流电流将会（），输入电阻将会（）。

选项：

A、增大不变减小

B、不变增大不变

C、不变不变减小

D、增大不变增大

答案：【不变不变减小】9.单选题：用作电压放大器时，CS放大器不合适的参数为（）。

选项：

A、不太高的电压增益

B、较高的输入电阻

C、较高的输出电阻

D、较高的带宽

答案：【较高的输出电阻】10.单选题：以下哪个MOS放大器组态结构，最适合用在电压信号处理系统的最后一级？

选项：

A、CS组态

B、源极带电阻的CS组态

C、CG组态

D、CD组态

答案：【CD组态】11.单选题：CG放大器的性能描述合理的是（）。

选项：

A、对电压信号有极好的放大作用

B、对电流信号有极好的放大作用

C、有较高的输入输出电阻

D、可用作电流跟随器

答案：【可用作电流跟随器】12.多选题：CD放大器的性能特征有（）。

选项：

A、可作电压跟随器使用

B、可用于多级电路中做缓冲器，进行阻抗变换

C、良好的参数特性使其非常适合用于单级电压放大

D、良好的参数特性使其非常适合用于单级电流放大

答案：【可作电压跟随器使用;可用于多级电路中做缓冲器，进行阻抗变换】13.多选题：CS放大器中引入源极电阻RS，其作用有（）。

选项：

A、稳定静态工作点

B、控制器件输入信号vgs的大小，避免因vi过大产生非线性失真

C、降低电压增益

D、提高输入输出电阻

答案：【稳定静态工作点;控制器件输入信号vgs的大小，避免因vi过大产生非线性失真;降低电压增益】14.单选题：CS、CG和CD三种组态中，最适合做电压放大器的还是CS放大器。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】15.单选题：CG放大器因其输入电阻过小，因此没什么用处。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】16.单选题：CD放大器因为源极输出信号几乎与栅极输入信号变化一致，因此被称为“源极跟随器”。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】17.单选题：源极上接有电阻的CS放大器以牺牲增益为代价，换取放大器线性输入范围的扩展，因此这个越大越好。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】18.单选题：CS放大器的交流输出摆幅主要由工作点位置决定，跟输入信号大小无关。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】第3次作业1.

答案：【】2.

答案：【】3.

答案：【】4.

答案：【】第4次半导体器件及应用——晶体三极管第4次测验1.单选题：试判断如图所示电路的三极管的工作状态，已知β=100,VBE(on)=0.7V。

选项：

A、饱和区

B、截止区

C、放大区

D、其他三个答案均不正确

答案：【放大区】2.单选题：集电结由于轻掺杂，因此其正向导通电压与发射结不相同，则工程上一般对NPN型的三极管取VBC(on)一般大小为（）V。（提示：注意）

选项：

A、0.7

B、0.4

C、0.3

D、-0.4

答案：【0.4】3.单选题：在放大模式下，集电极电流与基极电流之间的电流增益可表示为（）

选项：

A、α

B、β

C、α（1+α）

D、β（1-β）

答案：【β】4.单选题：设图中三极管为硅管，β=50，VBE(on)=0.7V，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区。（）

选项：

A、截止区

B、放大区

C、饱和区

D、其他三个答案均不正确

答案：【放大区】5.单选题：对于NPN型BJT组成的基本共射放大电路，若产生饱和失真，则输出电压失真；若产生截止失真，则输出电压失真。（负峰、正峰）

选项：

A、正峰、正峰；

B、正峰、负峰；

C、负峰、负峰；

D、负峰、正峰；

答案：【负峰、正峰；】6.单选题：晶体三极管工作在放大状态时，发射结加电压，集电结加电压。

选项：

A、反偏、反偏

B、正偏、反偏

C、正偏、正偏

D、反偏、正偏

答案：【正偏、反偏】7.单选题：发射结（EBJ）正偏，集电结（CBJ）反偏时，BJT工作在（）模式。

选项：

A、截止

B、饱和

C、放大

D、反向放大

答案：【放大】8.单选题：如图所示电路中，某放大电路中的器件（三极管或场效应管）三个电极A、B、C的电流用万用表直流电流档测得_=2mA，_B=0.02mA，_C=-2.02mA，则此器件的类型是（）

选项：

A、NPN

B、PNP

C、NMOS

D、PMOS

答案：【PNP】9.单选题：测得某放大器中BJT的三个电极1、2、3的对地电位分别为V1=9V，V2=6V，V3=6.7V，则此BJT器件的类型为（）

选项：

A、NPN

B、PNP

C、NPN和PNP都有可能

D、NPN和PNP都不是

答案：【NPN】10.单选题：某个以BJT为核心器件的电路，其输入输出传输特性如图所示，若需要该电路实现数字逻辑电路功能，应使其核心器件工作在（）区域。

选项：

A、OX和YZ段

B、OX段

C、YZ段

D、XY段

E、横坐标大于Z点的区域

答案：【OX和YZ段】11.单选题：测量某BJT各电极对地电压值如下，，则该晶体管工作在（）。

选项：

A、饱和区

B、放大区

C、截止区

D、击穿区

答案：【饱和区】12.单选题：某个以BJT为核心器件的电路，其输入输出传输特性如图所示，若需要该电路实现信号放大功能，应使其核心器件工作在（）区域。

选项：

A、XY段

B、OX段

C、YZ段

D、OX和YZ段

E、横坐标大于Z点的区域

答案：【XY段】13.单选题：BJT三种基本放大器结构中，能用作电压缓冲级的是（）放大器。

选项：

A、共集

B、CC

C、共射

D、CE

E、共基

F、CB

答案：【共集】14.单选题：BJT三种基本放大器结构中，能用做电流缓冲级的是（）放大器。

选项：

A、共基

B、CB

C、共射

D、CE

E、共集

F、CC

答案：【共基】15.多选题：下列对BJT小信号模型描述正确的语句有（）。

选项：

A、小信号模型使用的前提之一包括必须有合理的偏置设计使得BJT器件工作在放大模式

B、BJT器件型号确定后，小信号模型的参数也就确定了

C、电路工作点确定后，小信号模型的参数也就确定了

D、不同结构类型的BJT器件小信号模型是不一样的

答案：【小信号模型使用的前提之一包括必须有合理的偏置设计使得BJT器件工作在放大模式;电路工作点确定后，小信号模型的参数也就确定了】16.多选题：如图(a)所示的共射放大电路，加入射极反馈电阻RE后变为图(b)，电路性能出现了怎样的变化？(a)(b)

选项：

A、增益变小

B、线性输入范围变大

C、输入电阻变大

D、输出电阻变小

答案：【增益变小;线性输入范围变大;输入电阻变大】17.多选题：晶体三极管放大器直流偏置参数一般包括（）。

选项：

A、

B、

C、

D、

E、

F、

G、

答案：【;;;】18.多选题：放大器电路如图所示，如果电容失效（断开），请问对放大器输入电阻和电压增益有何影响()

选项：

A、输入电阻增大

B、输入电阻减小

C、电压增益减小

D、电压增益增大

答案：【输入电阻增大;电压增益减小】19.多选题：CB放大器性能特征有（）。

选项：

A、较高的电压增益，很适合做电压放大

B、输入电阻极低，不利于电压放大

C、输出电阻较高，不利于电压放大

D、电流增益小于1但接近于1，可作电流跟随器

E、源电压增益低，适合做电压跟随器

答案：【输入电阻极低，不利于电压放大;输出电阻较高，不利于电压放大;电流增益小于1但接近于1，可作电流跟随器】20.多选题：CC放大器性能特征有（）。

选项：

A、输入电阻高

B、输出电阻极低

C、电压增益小于1，但接近于1

D、电流增益高，适合作电流放大器

E、电压跟随器，适合作放大器的缓冲级

F、输入输出电阻性能符合电压放大器特征，适合作电压放大

答案：【输入电阻高;输出电阻极低;电压增益小于1，但接近于1;电压跟随器，适合作放大器的缓冲级】21.多选题：放大电路如图所示，则下面的说法正确的是（）

选项：

A、该电路为共集电极放大器（射极跟随器）

B、该组态放大器输入电阻较高

C、输出电阻较低

D、电压增益小于1接近于1

答案：【该电路为共集电极放大器（射极跟随器）;该组态放大器输入电阻较高;输出电阻较低;电压增益小于1接近于1】22.单选题：共集电极放大电路的特点是：输入电阻Ri较高

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】23.单选题：共集电极放大电路的特点是：输出电阻Ro较高

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】24.单选题：共集电极放大电路的电压放大倍数Av约为1V/V。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】25.单选题：NPN型的BJT和NMOS器件的载流子均只有1种

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】26.单选题：由于BJT器件在放大模式下的IB电流不够小，因此其分压式偏置电路的分析比FET要复杂得多，尤其是基极电压VB不能直接靠分压器分压求解。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】27.单选题：工程估算法在计算BJT分压式偏置电路工作点时，需要满足一定的工程条件才能使用，该工程条件实际上隐含了“偏置电阻取值使得IB电流足够小，从而可以忽略其对分压器电流的分流”这一重要前提。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】28.单选题：晶体管三种基本组态放大电路中，共基组态输入电阻最低，输出电阻最低。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】29.单选题：NPN器件工作在放大区时有，PNP器件工作在放大区时有同样的结论。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】第4次作业1.

答案：【】2.

答案：【】3.

答案：【】4.

答案：【】第5次集成运放单元电路1第5次测验1.单选题：差分放大器输入信号分别为，则其差模信号与共模信号分别为（）。

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】2.单选题：某双端输入、单端输出的差分放大器，其差模电压增益为150V/V。当两输入端并接，且时，。则该电路的共模抑制比CMRR为()dB

选项：

A、1500

B、150

C、71.48dB

D、714.8dB

答案：【71.48dB】3.单选题：实验电路如图所示。设调零电位器滑动端位于中点，试就下列问题选择正确答案填空。（1）若只因为，而其它电路参数均对称，则为了使静态时，滑动端应＿＿；（2）若只因为，而其它电路参数均对称，则为了使静态时，滑动端应＿＿。

选项：

A、右移，左移

B、左移，右移

C、右移，不移

D、左移，不移

E、不移，右移

F、不移，左移

答案：【右移，左移】4.单选题：如图所示，已知，，假设所有晶体管其他参数均匹配，且都工作在饱和区，求电路中的和的大小。

选项：

A、=10μA，=1.25μA

B、=10μA，=80μA

C、=20μA，=5μA

D、=20μA，=1.25μA

答案：【=10μA，=80μA】5.单选题：针对以MOS为核心的镜像电流源电路，描述错误的是（）。

选项：

A、所有MOS器件都必须工作在饱和区，才能保证电流源正常工作

B、只要参考支路上的MOS器件工作在饱和区，电路就能正常工作

C、MOS器件的等效电阻大小决定了输出电流的稳定性

D、电流传输比精度主要由MOS器件之间的(W/L)之比决定

答案：【只要参考支路上的MOS器件工作在饱和区，电路就能正常工作】6.单选题：在集成电路中，最常用于多级放大器连接的耦合方式为（）。

选项：

A、阻容耦合

B、直接耦合

C、变压器耦合

D、光电耦合

答案：【直接耦合】7.多选题：与偏置及电路结构均相同的MOS差分放大器相比，BJT差分放大器的性能描述合理的是（）。

选项：

A、共模抑制比更高

B、差模电压增益更高

C、差模输入电阻更小

D、共模电压增益更小

答案：【共模抑制比更高;差模电压增益更高;差模输入电阻更小】8.多选题：选用差分放大器作为多级放大器第一级的主要原因是

选项：

A、克服温漂

B、提高输入电阻

C、提高放大倍数

D、抑制噪声输入

答案：【克服温漂;抑制噪声输入】9.多选题：一般电压型集成运放内部结构主要包括（）。

选项：

A、具有抑制噪声输入功能的差分输入级

B、具有高增益的中间放大级

C、具有较大驱动能力的功率输出级

D、具有较高稳定性的恒流源偏置结构

答案：【具有抑制噪声输入功能的差分输入级;具有高增益的中间放大级;具有较大驱动能力的功率输出级;具有较高稳定性的恒流源偏置结构】10.多选题：在下列描述中哪些方法可以改变电流源电路的电流传输比：

选项：

A、改变MOS电流源中两个MOS管的沟道宽长比大小

B、改变BJT电流源中两个BJT管的发射结面积大小

C、改变BJT电流源参考支路中电阻的大小(错误答案)

D、改变电流源直流供电电源的大小

答案：【改变MOS电流源中两个MOS管的沟道宽长比大小;改变BJT电流源中两个BJT管的发射结面积大小】11.多选题：下列参数中哪些是描述差分放大器性能优劣的特有的指标

选项：

A、差模增益

B、共模增益

C、共模抑制比

D、带宽

答案：【差模增益;共模增益;共模抑制比】12.多选题：下列对差分对的描述正确的是

选项：

A、在电路结构、工作原理和分析方法等各方面，BJT差分对与MOS差分对高度相似

B、在同样偏置的条件下，与MOS差分对相比，BJT差分对的差模增益和共模抑制比更高

C、BJT差分对的线性输入范围比MOS差分对更小，需增加射极电阻，以牺牲增益为代价来换取性能的改善

D、BJT差分对的差模输入电阻很小，可通过增加射极电阻或采用组合管的方式来解决

答案：【在电路结构、工作原理和分析方法等各方面，BJT差分对与MOS差分对高度相似;在同样偏置的条件下，与MOS差分对相比，BJT差分对的差模增益和共模抑制比更高;BJT差分对的线性输入范围比MOS差分对更小，需增加射极电阻，以牺牲增益为代价来换取性能的改善;BJT差分对的差模输入电阻很小，可通过增加射极电阻或采用组合管的方式来解决】13.多选题：如图电路，假设所有BJT均参数匹配，，且β都很大，则可得（）。

选项：

A、

B、

C、

D、

E、

F、

G、

H、

答案：【;;;】14.单选题：为了实现电路设计的微型化，集成电路设计中应尽量避免使用参数很大的无源器件。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】15.单选题：不论是纯差模输入还是纯共模输入，差分放大器对信号的输入范围都是有要求的，而且要求不同。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】16.单选题：MOS基本差分放大电路单端输出和双端输出具有相同的增益大小。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】17.单选题：差分放大器的增益和输入信号交流摆幅是一对矛盾，增益的增加将导致输入信号交流摆幅的下降。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】18.单选题：用下图所示的NMOS构造一个实际电流源，假设恒定不变，则该电流源输出电阻为。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】19.单选题：实际电流源的输出电阻越大越好。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】20.单选题：输出电流和输出电阻是限制实际电流源性能的两个重要因素。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】21.单选题：如图所示的MOS电流源电路，若通过调节和比例使得晶体管VT的输出电流增大，则会使得电流源输出电阻减小，从而降低电流源性能。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】第5次作业1.电路如图题所示，两管参数相同，b=100，VBE=0.7V，输出电流Io=2mA，试设计电阻R的取值。

答案：【】2.

答案：【】3.电路参数如图3-2所示，已知：|VA|=50V，β足够大，VBE=0.6V。求：（1）求IEE；（2）求gm、ro和双端输出的差模电压增益Avd；（3）忽略基区宽度调制效应，求单端输出的共模电压增益|Avcm|和CMRR。

答案：【】4.如图所示两级CMOS运放采用统一工艺制造，导电沟道长度L=1μm，其中，，，，且所有晶体管均被设计工作在，假定电路在±2.5V电压下工作，利用，1）通过读图，指出每个元件在电路中的功能或作用(提示：电路可划分为3个模块)；（2）指定合适的导电沟道宽度W1~W8，使得每一级放大器的偏置电流源输出均为100μA。

答案：【解：(1)如图所示，电路可分为3个模块，其中：VT1~VT4构成有源负载差分放大器，其中VT1和VT2构成差分对，VT3和VT4是前者的有源负载，另外VT7为其提供直流偏置电流；(2分)VT5和VT6构成有源负载CS放大器，其中VT5为放大管，VT6为其负载管，同时为VT5提供直流偏置电流；（2分）VT6~VT8以及IREF为电流导向电路，为整个电路提供恒流偏置，其中VT8和IREF构成参考支路，VT6和VT7均为其输出管。（2分）】第6次放大器的频率响应第6次测验1.单选题：测试放大电路输出电压幅值和相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是（）

选项：

A、输入电压幅值不变，改变频率

B、输入电压频率不变，改变幅值

C、输入电压和幅值与频率同时变化

D、输入电流幅值不变，改变电压幅值

E、输入电压和电流幅值同时变化

答案：【输入电压幅值不变，改变频率】2.单选题：以下电路结构因米勒效应导致带宽较窄的是（）。

选项：

A、共射放大器

B、共基放大器

C、共集放大器

D、带射极电阻的共射放大器

答案：【共射放大器】3.单选题：在求解放大器高频特性参数的各类方法中，开路时间常数法的显著特点是（）。

选项：

A、计算复杂度太高

B、能准确定位对高频特性参数影响最大的电容，为电路频率响应优化提供线索

C、不需要任何电路转换处理

D、应用面极窄

答案：【能准确定位对高频特性参数影响最大的电容，为电路频率响应优化提供线索】4.单选题：引起分立元件放大器放大倍数在低频段的下降的原因是____的影响。

选项：

A、放大器中的耦合电容

B、放大器件的器件电容

C、放大器中的耦合电容和旁路电容

D、放大器中的耦合电容和器件电容

答案：【放大器中的耦合电容和旁路电容】5.单选题：已知三极管放大器中器件的，，，则=()。

选项：

A、4.95pF

B、5.05pF

C、6.95pF

D、8.27pF

答案：【6.95pF】6.单选题：针对信号频率在和中间的信号，设计一个放大器，则该放大器应满足（），才是比较合适的设计。

选项：

A、放大器带宽的下限频率略低于，且放大器带宽的上限频率略高于

B、放大器带宽的下限频率远低于，且放大器带宽的上限频率远高于

C、放大器带宽的下限频率略高于，且放大器带宽的上限频率略低于

D、放大器带宽的下限频率远高于，且放大器带宽的上限频率远低于

答案：【放大器带宽的下限频率略低于，且放大器带宽的上限频率略高于】7.单选题：在一个单时间常数低通网络中，已知R=100kΩ，C=10pF，则该网络的3dB角频率为（）。

选项：

A、1000000rad/s

B、100000rad/s

C、10000rad/s

D、10000000rad/s

答案：【1000000rad/s】8.多选题：为了改善阻容耦合放大电路的高频响应特性可通过下列措施实现：（）

选项：

A、改用特征频率高的晶体管；

B、增大耦合电容的容量；

C、改进布线工艺，减小线路分布电容；

D、增大负载电容的容量；

E、改用特征频率低的晶体管；

答案：【改用特征频率高的晶体管；;改进布线工艺，减小线路分布电容；】9.多选题：与阻容耦合放大器相比，直接耦合放大器的特点是（）。

选项：

A、对直流信号具有可靠的放大能力，即具有直流增益

B、没有耦合电容的影响，低频特性好

C、一个低通滤波器，而阻容耦合放大器是一个带通放大器

D、上限截止频率较低

E、增益较低

F、增益稳定性较差

答案：【对直流信号具有可靠的放大能力，即具有直流增益;没有耦合电容的影响，低频特性好;一个低通滤波器，而阻容耦合放大器是一个带通放大器】10.多选题：在分析放大器中频段频率响应时，我们对各类电容合理的处理方式是（）。

选项：

A、不考虑耦合电容和旁路电容的影响，视它们为短路。

B、不考虑耦合电容和旁路电容的影响，视它们为开路。

C、不考虑器件电容的影响，视它们为短路。

D、不考虑器件电容的影响，视它们为开路。

答案：【不考虑耦合电容和旁路电容的影响，视它们为短路。;不考虑器件电容的影响，视它们为开路。】11.多选题：放大电路的输入信号频率升高到上限截止频率时，增益系数下降到中频增益的____倍。

选项：

A、0.707

B、1.414

C、

D、

答案：【0.707;】12.多选题：求解放大器上限截止频率的常用方法有（）

选项：

A、主极点法

B、定义法

C、开路时间常数法

D、米勒定理

E、短路时间常数法

F、节点电压法

G、回路电流法

H、电路等效法

答案：【主极点法;定义法;开路时间常数法;米勒定理】13.单选题：引起分立元件放大器放大倍数在高频段的下降的原因是器件电容的影响。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】14.单选题：在CS放大器中，根据开路时间常数法，我们可以看到Cgd对fH的影响，比Cgs要大得多，是因为Cgd引入了更大的时间常数。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】15.单选题：CG放大器之所以比CS放大器的带宽要大，是因为电路中不存在产生米勒倍增效应的结构。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】16.单选题：CS放大器受到米勒效应影响，高频信号放大带宽性能受限。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】17.单选题：如果我们能够拿出一个放大器的系统函数（或传递函数），那么就可以用主极点法求解放大器的上限截止频率fH。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】18.单选题：BJT能用在高频环境，但FET不可以。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】第6次作业1.求以下两个电路的时间常数。

答案：【】2.一个MOSFET在栅极和漏极之间的中频增益为-30V/V，NEMOS晶体管有，。问MOS器件的等效输入电容为多少（依据米勒等效方法分析）？当信号源电阻在什么范围内时，超过10MHz？(忽略RG的影响）

答案：【】3.

答案：【】4.

答案：【】第7次集成运放单元电路2第7次作业1.

答案：【】2.电路如图所示，设各管的，各晶体管的β很大且参数一致，，场效应管VT1、VT2的均为20mS，VT3与VT4、VT1与VT2、VT5与VT6特性分别对称，R=23.3kΩ，试求：1）和；2）说明VT3、VT4的作用；3）差模电压增益。

答案：【】3.如图所示，已知，，，，，。对于VT1、VT2有L=0.4μm，W=4μm，对于VT3有L=0.4μm，W=8μm。求、和。

答案：【】第7次测验1.单选题：当放大电路分别有以下两种情况，应分别选择哪种耦合方式（）①输入信号变化缓慢时；②如需要将前级放大电路的零点漂移不传到后级的放大电路中。

选项：

A、直接耦合；阻容耦合

B、阻容耦合；直接耦合

C、变压器耦合；电容耦合

D、直接耦合；变压器耦合

答案：【直接耦合；阻容耦合】2.单选题：下列关于cascode电路的叙述错误的是（）

选项：

A、输出电阻小

B、常用作放大单元电路

C、带宽较高

D、MOS结构的电路输入电阻高

答案：【输出电阻小】3.单选题：在集成电路中，最常用于多级放大器连接的耦合方式为（）

选项：

A、阻容耦合

B、直接耦合

C、变压器耦合

D、光电耦合

答案：【直接耦合】4.单选题：电路如图所示，已知各晶体管，，，和都很大，则电路的总输出电阻Ro=（），电压增益Av=（）。

选项：

A、500kΩ，-2000V/V

B、250kΩ，-2000V/V

C、500kΩ，-1000V/V

D、250kΩ，-1000V/V

答案：【250kΩ，-1000V/V】5.单选题：在多级放大器中，后一级电路的输入电阻可视为前一级电路的（），而前一级电路的输出电阻可视为后一级电路的（）。

选项：

A、输入电阻，输出电阻

B、输出电阻，输入电阻

C、负载，输入电阻

D、负载，信号源内阻

答案：【负载，信号源内阻】6.单选题：在如图所示的有源负载差分放大器中，若所有晶体管的，，则要求电路差模增益为时，提供偏置电流的恒流源I=()。

选项：

A、0.4mA

B、0.3mA

C、0.2mA

D、0.1mA

答案：【0.2mA】7.多选题：BJT和MOSFET管在集成电路中除了作为放大管使用外，另外的作用包括（）

选项：

A、电流源

B、有源负载

C、隔离

D、抑制噪声

答案：【电流源;有源负载】8.多选题：CD-CS、CC-CE和CD-CE组合放大器结构的特点是：（）

选项：

A、采用电压跟随器作第一级，以提高输入电阻

B、采用高增益的放大器作第二级，以保证整体有较大的电压增益

C、电路结构复杂，不利于生产

D、电路带宽比单级CE或CS放大器要高

答案：【采用电压跟随器作第一级，以提高输入电阻;采用高增益的放大器作第二级，以保证整体有较大的电压增益;电路带宽比单级CE或CS放大器要高】9.多选题：多个独立电压放大器级联后，以下描述合理的是（）。

选项：

A、若采用直接耦合方式，要考虑放大器之间工作点的互相影响

B、总电压增益上升，但通频带比任何一个单级放大器都要窄

C、总电压增益等于单级放大器固有开路电压增益的乘积

D、其输入电阻为第一级放大器输入电阻，输出电阻为最后一级放大器的输出电阻

答案：【若采用直接耦合方式，要考虑放大器之间工作点的互相影响;总电压增益上升，但通频带比任何一个单级放大器都要窄;其输入电阻为第一级放大器输入电阻，输出电阻为最后一级放大器的输出电阻】10.多选题：与经典电阻型负载差分放大器相比，有源负载差分放大器的优势在于（）。

选项：

A、对称性更好

B、差模增益更高

C、实现双端输出到单端输出的转变，使用更方便

D、单端输出时共模抑制比更高

答案：【差模增益更高;实现双端输出到单端输出的转变，使用更方便;单端输出时共模抑制比更高】11.单选题：失调电流主要出现在以BJT构成的集成运放中

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】12.单选题：假设电路如图所示，能正常工作，电路跨导为gm，VT2和VT4的输出电阻均为ro，则该电路增益为gmro。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】13.单选题：电路如图所示，晶体管小信号参数一致，均为gm和ro，则电路的输出电阻为ro/2。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】14.单选题：放大器中出现的零点漂移，可以通过增加耦合电容的方式来消除。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】15.单选题：采用恒流源为差分放大器提供偏置的同时，可以利用恒流源的高内阻降低差分放大器共模增益，从而提高差分放大器的共模抑制比。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】16.单选题：有源负载差分放大器可以实现双端输入单端输出，但性能等同于负载型差分放大器的双端输入双端输出。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】期中考试期中考试--客观题1.单选题：分析MOS和BJT的三种基本组态结构，有明显的对应结构，其中（）和（）组态最适合用于中间级电压放大器设计。

选项：

A、CS，CE

B、CS，CC

C、CD，CE

D、CG，CB

E、CD，CC

答案：【CS，CE】2.单选题：分析MOS和BJT的三种基本组态结构，有明显的对应结构，其中（）和（）组态均为电压跟随器结构。

选项：

A、CD，CC

B、CD，CE

C、CS，CC

D、CS，CE

E、CG，CB

答案：【CD，CC】3.单选题：分析MOS和BJT的三种基本组态结构，有明显的对应结构，其中（）和（）组态均为电流跟随器结构。

选项：

A、CG，CB

B、CG，CC

C、CD，CB

D、CS，CE

E、CG，CE

F、CS，CB

答案：【CG，CB】4.单选题：在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的____电位，PMOS的衬底应接在电路的____电位。

选项：

A、最低，最高；

B、最高，最高；

C、最高，最低；

D、最低，最低；

答案：【最低，最高；】5.单选题：测得某放大器电压增益为10V/V，相当于（）dB；电流增益为100V/V，相当于（）dB；故放大器功率增益为（）dB。

选项：

A、20,40,60

B、20,40,30

C、10,20,30

D、10,20,60

答案：【20,40,30】6.单选题：分析MOS和BJT的三种基本组态结构，有明显的对应结构，其中（）和（）组态均存在米勒倍增效应，因而均为窄带放大器。

选项：

A、CS，CE

B、CS，CC

C、CD，CE

D、CG，CE

E、CS，CB

答案：【CS，CE】7.单选题：NEMOSFET饱和区的工作条件为,。

选项：

A、>,<

B、>,>

C、＜,＜

D、＜,>

答案：【>,>】8.单选题：齐纳二极管稳压时一般运行于（）状态。

选项：

A、反向击穿

B、正向偏置

C、反向偏置

D、热击穿

答案：【反向击穿】9.单选题：某运算放大器有两个输入信号和，其中，，则差模输入电压和共模输入电压分别为多少？

选项：

A、-4mV，16mV

B、4mV，8mV

C、-4mV，8mV

D、4mV，16mV

答案：【-4mV，8mV】10.单选题：以下电极名称哪一个不属于MOS器件?

选项：

A、漏极

B、源极

C、基极

D、背栅极

答案：【基极】11.单选题：在下述几种击穿现象中，哪类击穿是不可逆的？（）

选项：

A、热击穿

B、雪崩击穿

C、齐纳击穿

D、电容击穿

答案：【热击穿】12.多选题：某放大器固有参数分别为,,。现在在输入端送入电压源，参数为，，在输出端接有负载电阻，则下列选项正确的有（）。

选项：

A、该电路的输入电压为5mV

B、负载获得的输出电流为199.8mA

C、该电路的输入电压为10mV

D、负载获得的输出电流为0.1998mA

E、整个电路的源增益为19.98A/V

F、整个电路的源增益为1998V/V

G、该电路的电压增益为3996V/V

H、整个电路的源电压增益为1998V/V

答案：【该电路的输入电压为5mV;负载获得的输出电流为199.8mA;整个电路的源增益为19.98A/V;该电路的电压增益为3996V/V;整个电路的源电压增益为1998V/V】13.多选题：共源（CS）放大器交流通路中，若引入源极电阻，关于其作用说法正确的是（）

选项：

A、稳定静态工作点

B、控制的大小，避免因_过大产生非线性失真

C、降低电压增益

D、拓展放大器的带宽

E、增大输出电阻

答案：【稳定静态工作点;控制的大小，避免因_过大产生非线性失真;降低电压增益;拓展放大器的带宽】14.多选题：当环境温度升高时，PN结（）。

选项：

A、导通电压会相应升高

B、导通电压会相应降低

C、半导体中的本征激发增强

D、半导体中的本征激发减弱

E、反向饱和电流增大

答案：【导通电压会相应降低;半导体中的本征激发增强;反向饱和电流增大】15.多选题：与同类型、同偏置的电阻型负载差放放大器相比，有源负载差放放大器（）。

选项：

A、广泛用于集成电路设计中

B、差模增益大大提高

C、单端输出时共模抑制比更高

D、结构上对称性更好

E、双端输出时共模抑制比更高

F、采用单端输出方式，但具有类似前者双端输出时的效果，甚至性能更好

答案：【广泛用于集成电路设计中;差模增益大大提高;单端输出时共模抑制比更高;采用单端输出方式，但具有类似前者双端输出时的效果，甚至性能更好】16.多选题：下列说法合理的是（）。

选项：

A、集成电路设计中常采用分压式偏置方式，以获得稳定的静态工作点。

B、集成电路设计中常采用恒流源（电流源）偏置方式，以获得稳定的静态工作点。

C、为节省芯片面积，集成电路中的电流偏置采用了电流导向技术，以实现多级电流输出控制。

D、为节省芯片面积，集成电路中的电流偏置采用了每级独立镜像电流源设计，以保证每级都有稳定静态工作点。

E、为提高工作点稳定性，集成电路中普遍采用最简单的两管电流源设计。

F、为提高工作点稳定性，集成电路中普遍采用改进型电流源，以提高电流传输比和输出电阻。

答案：【集成电路设计中常采用恒流源（电流源）偏置方式，以获得稳定的静态工作点。;为节省芯片面积，集成电路中的电流偏置采用了电流导向技术，以实现多级电流输出控制。;为提高工作点稳定性，集成电路中普遍采用改进型电流源，以提高电流传输比和输出电阻。】17.多选题：下列对BJT小信号模型描述正确的语句有

选项：

A、小信号模型使用的前提之一包括必须有合理的偏置设计使得BJT器件工作在放大模式

B、电路工作点确定后，小信号模型的参数也就基本确定了

C、BJT器件型号确定后，小信号模型的参数也就确定了

D、不同结构类型的BJT器件小信号模型不能使用一样的结构

答案：【小信号模型使用的前提之一包括必须有合理的偏置设计使得BJT器件工作在放大模式;电路工作点确定后，小信号模型的参数也就基本确定了】18.多选题：以下参数为放大器基本参数的是（）。

选项：

A、增益

B、输入电阻

C、输出电阻

D、带宽

答案：【增益;输入电阻;输出电阻;带宽】19.多选题：下列关于BJT和FET的描述正确的是（）

选项：

A、BJT为双极型器件，FET为单极型器件

B、BJT为流控器件，FET为压控器件

C、BJT能用在高频环境，FET不可以

D、BJT和FET不可同时使用

答案：【BJT为双极型器件，FET为单极型器件;BJT为流控器件，FET为压控器件】20.多选题：下面对PN结单向导电性描述合理的有（）。

选项：

A、正向导通，反向截止

B、正偏时PN结等效为一个大电阻

C、反偏时PN结等效为一个大电阻

D、正偏时PN结内有较大电流通过，PN结内电流方向是由N区流向P区

E、反偏时几乎没有电流通过

答案：【正向导通，反向截止;反偏时PN结等效为一个大电阻;反偏时几乎没有电流通过】21.单选题：有源负载结构只能用于CS组态，无法用于CD和CG组态。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】22.单选题：有源负载结构既能用于CE组态，也能用于CB和CC组态。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】23.单选题：限幅电路仅能利用二极管的单向导电性实现。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】24.单选题：晶体三极管参与导电的载流子为自由电子和空穴

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】25.单选题：场效应管参与导电的载流子为自由电子和空穴

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】26.单选题：BJT和MOSFET管在集成电路中除了作为放大管使用外，还有另外两个作用分别是电流源和有源负载

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】27.单选题：在画放大器直流通路时，所有电容应短路，所有电感应开路

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】28.单选题：MOSFET做放大器，要想正常工作只需给器件提供合理的偏置使其工作在饱和区即可

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】29.单选题：N型半导体带负电，P型半导体带正电

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】期中考试--主观题1.

答案：【】2.电路如图所示，已知导通电压，判断此时二极管的工作状态，求节点A的电位以及二极管电流，同时求解在常温下，该电路二极管的交流电阻(其中n=1)。

答案：【】3.考虑图所示的射极跟随器，b=100，，，Rsig=20kW，=1kW。（1）求、和；（2）求；（3）求源电压增益和输出电阻。

答案：【】4.

答案：【】第8次输出级和功率放大器第8次测验1.单选题：B类输出级电路中，设VCC=6V，RL=4W，如果输出正弦信号的峰值是4.5V，则输出功率为（）。

选项：

A、9W

B、5.06W

C、4.5W

D、2.53W

答案：【2.53W】2.单选题：B类功率放大电路，为使之能给8W的负载电阻提供16W的平均功率，要求直流电源电压比输出电压峰值高5V，则该电路的功率转换效率h为（）。

选项：

A、56%

B、59.84%

C、78.5%

D、80.7%

答案：【59.84%】3.单选题：对于一个基于BJT器件的B类输出级电路，若可以忽略VBE和VCE(sat)的影响，已知RL=8W，且要求最大输出功率为PLmax=9W，则其供电电源VCC=()。

选项：

A、9V

B、10V

C、12V

D、15V

答案：【12V】4.单选题：功率放大器与电流放大器的区别在于（）

选项：

A、前者比后者效率高

B、在供电直流电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大

C、前者比后者电流增益数值大

D、前者比后者电源电压高

E、在供电直流电源电压相同的情况下，前者比后者最大不失真输出电流大

答案：【前者比后者效率高】5.单选题：功率放大器的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真的情况下，负载上可能获得的最大（）。

选项：

A、交流功率

B、直流功率

C、平均功率

D、总功率

答案：【交流功率】6.单选题：理论上，B类和AB类输出级的功率转换效率最高分别能达到（）和（）。

选项：

A、78.5%，78.5%

B、78.5%，略小于78.5%

C、略小于78.5%，78.5%

D、略小于78.5%，略小于78.5%

答案：【78.5%，略小于78.5%】7.单选题：以下输出级中，器件始终工作在线性区域的是（）。

选项：

A、A类输出级

B、B类输出级

C、AB类输出级

D、C类输出级

答案：【A类输出级】8.单选题：如图题所示的由两管组成的复合管，可以等效为NPN型复合管的是（）。

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】9.单选题：功率放大器的效率是提供给负载的功率和（）的比值。

选项：

A、输入信号的功率

B、最后一级的功耗

C、来自电源的功率

D、以上都不对

答案：【来自电源的功率】10.单选题：交越失真是（）固有的问题。

选项：

A、A类输出级

B、B类输出级

C、AB类输出级

D、C类输出级

答案：【B类输出级】11.单选题：一般IC功率放大器（）。

选项：

A、不需要散热器

B、稳定性高

C、比分立电路更贵

D、上述答案都对

答案：【稳定性高】12.单选题：与A类输出级相比，功率放大器采用B类输出级的目的是为了提高（）。

选项：

A、电压增益

B、输出功率

C、驱动负载的能力

D、功率转换效率

答案：【功率转换效率】13.多选题：电路中的二极管D1和D2的作用是（）。

选项：

A、为VT1和VT2提供直流偏置

B、消除饱和失真

C、消除交越失真

D、以上都对

答案：【为VT1和VT2提供直流偏置;消除交越失真】14.多选题：下面那些参数是衡量功率放大器性能的指标？

选项：

A、输出功率

B、电压增益

C、电流增益

D、功率转换效率

E、总谐波失真系数

答案：【输出功率;功率转换效率;总谐波失真系数】15.多选题：功率放大器与电压放大器的区别在于（）

选项：

A、前者比后者电源电压高

B、前者比后者电压增益数值大

C、前者比后者效率高

D、在供电直流电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电压大

E、在供电直流电源电压相同的情况下，前者比后者输出功率大

答案：【前者比后者效率高;在供电直流电源电压相同的情况下，前者比后者输出功率大】16.多选题：在选择功率电路中的晶体管时，应关注（）参数。

选项：

A、fT

B、ICM

C、VCE(sat)

D、PCM

E、V(BR)CEO

F、ICEO

答案：【ICM;PCM;V(BR)CEO】17.单选题：在AB类输出级设计中，器件选择同样需要在安全工作区内进行。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】18.单选题：AB类的提出是为了修正B类输出级中的交越失真，这里牺牲了一部分功率转换效率。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】19.单选题：功率放大器本质上是能量转换器，但小信号放大器就不一定是能量转换器。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】20.单选题：D类输出级最高效率理论上可以达到100%，它属于数字功率放大器范畴。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】21.单选题：所有功放在设计时都需要考虑散热问题，一旦器件工作超过结温上限，只要有散热器，就能安全工作。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】22.单选题：功率放大器可以采用小信号模型简化分析

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】23.单选题：AB类功率放大器最大功率转换效率为78.5%。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】24.单选题：假设在某一电路中，由于仪器空间限制，无法采用较大的散热器，同时该电路允许一定的失真存在，则此电路中的功率放大器不能采用A类功率放大器。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】第8次作业1.

答案：【】2.

答案：【】第9次负反馈技术基本概念及判断方法第9次作业1.判断如图所示电路中反馈放大器的反馈元件、反馈类型和反馈极性，并将瞬时极性直接标于电路图中。（a）(b)(c)(d)

答案：【评分标准：极性标错一个扣1分，扣完为止；反馈器件错一个扣1分，扣完为止；反馈类型（如电压、并联、正反馈）错一个扣2分，扣完为止。分数如下：(a)10分，（b）12分（c）14分（d）11分】2.判断如图所示的电路中放大器的反馈元件，反馈类型和反馈极性，并给出该反馈类型所对应放大器的类型及其增益的单位。

答案：【反馈网络：R2,R（2分）电流并联负反馈（6分）电流放大器(2分)增益单位为A/A(2分)】3.一个电压-串联负反馈放大器，在闭环工作时，输入信号为50mV，输出信号为2V。在开环工作时，输入信号为50mV，输出信号为4V，试求电路的反馈深度和反馈系数。

答案：【】第9次测验1.单选题：如图所示电路，该电路的反馈类型及反馈极性为（）。

选项：

A、电压串联正反馈

B、电压串联负反馈

C、电流串联负反馈

D、电流串联正反馈

答案：【电流串联正反馈】2.单选题：设计某放大器时，需向负载输出稳定的电流信号，那么我们需要在输出部分采用（）负反馈，将（）输出电阻。

选项：

A、电流，提高

B、电流，降低

C、电压，提高

D、电压，降低

答案：【电流，提高】3.单选题：设计某放大器时，需从一个电流源中接收待处理信号，那么我们需要在输入部分采用（）负反馈，将（）输入电阻。

选项：

A、并联，降低

B、并联，提高

C、串联，降低

D、串联，提高

答案：【并联，降低】4.单选题：电路如图所示，反馈网络由（）组成。

选项：

A、、、

B、、

C、

D、、

E、、

答案：【、、】5.单选题：如图所示电路，该电路的反馈类型为（）-（）负反馈。

选项：

A、电压，串联

B、电压，并联

C、电流，串联

D、电流，并联

答案：【电压，并联】6.单选题：判断反馈极性到底是正还是负时，我们一般是观察（）的大小变化。

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】7.单选题：如图所示电路，该电路的反馈类型及反馈极性为（）。

选项：

A、电压串联负反馈

B、电流串联负反馈

C、电压串联正反馈

D、电流并联正反馈

答案：【电流串联负反馈】8.单选题：设计某放大器时，需从一个电压源中接收待处理信号，那么我们需要在输入部分采用（）负反馈，将（）输入电阻。

选项：

A、串联，提高

B、并联，提高

C、串联，降低

D、并联，降低

答案：【串联，提高】9.单选题：设计某放大器时，需向负载输出稳定的电压信号，那么我们需要在输出部分采用（）负反馈，将（）输出电阻。

选项：

A、电压，提高

B、电流，提供

C、电压，降低

D、电流，降低

答案：【电压，降低】10.多选题：在反馈框图中，以下哪几个信号量的电量形式应该时刻保持一致（）。

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【;;】11.多选题：要判断一个电路中是否存在反馈，需要满足下列哪些条件？

选项：

A、输出部分存在信号取样环节

B、除基本放大器外，还有其他连接输出和输入通路的存在

C、输入部分存在信号混合环节

D、净输入会受到影响

答案：【输出部分存在信号取样环节;除基本放大器外，还有其他连接输出和输入通路的存在;输入部分存在信号混合环节;净输入会受到影响】12.多选题：要设计一个性能良好的电压放大器，我们常采取的措施包括（）。

选项：

A、在输入部分引入串联负反馈，以提高电路的输入电阻

B、在输出部分引入电压反馈，以降低电路的输出电阻

C、在电路中引入合适的负反馈，以提高放大器的增益

D、在电路中引入合适的负反馈，以取得适当的增益

答案：【在输入部分引入串联负反馈，以提高电路的输入电阻;在输出部分引入电压反馈，以降低电路的输出电阻;在电路中引入合适的负反馈，以取得适当的增益】13.单选题：电路中是否存在反馈，只要看输入与输出之间，除了基本放大器外，是否还存在其他通路即可。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】14.单选题：电压并联负反馈放大器的基本放大器和反馈网络都放大的均为电压信号

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】15.单选题：直流反馈应该在电路的直流通路中分析，交流反馈应该在电路的交流通路中分析。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】16.单选题：既然电流负反馈能稳定输出电流，那么必然能稳定输出电压。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】17.单选题：要提高反馈放大器的输入阻抗，降低反馈放大器的输出阻抗，应引入电压-并联负反馈。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】18.单选题：引入负反馈后，放大器的闭环增益将减小，且大小与反馈深度有关。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】第10次负反馈对放大器性能的影响及稳定性分析第10次作业1.

答案：【】2.

答案：【】3.某电压放大器的幅频响应如图所示，增益带宽积为多少？若引入负反馈使得其增益下降到20dB时，其带宽为多少？反馈深度为多少？

答案：【(4分）若增益下降为20dB，则(2分）反馈深度为(2分）】4.

答案：【】第10次测验1.单选题：某运放开环增益为100dB，单位增益频率为ft=10MHz，如果要求设计增益为40dB的负反馈放大器，则该放大器的带宽为（）。

选项：

A、250kHz

B、100kHz

C、25kHz

D、100MHz

答案：【100kHz】2.单选题：当直线与放大器开环增益幅频波特图相交于（）区域内时，反馈放大器才是稳定的。

选项：

A、下降斜率为-20dB/十倍频的线段

B、第一个极点和第二个极点之间

C、下降斜率为-40dB/十倍频的线段

D、下降斜率为-60dB/十倍频的线段

E、第二个极点和第三个极点之间

F、第一个极点和第三个极点之间

答案：【下降斜率为-20dB/十倍频的线段】3.单选题：反馈放大器如图所示，已知BJT参数gm=77mS，β=100，Av=500，RE1=51Ω，Rf=1.2kΩ，RB=10kΩ。在满足深度负反馈的条件下，则闭环增益Avf=（）。

选项：

A、25.5V/V

B、24.5V/V

C、39.2mV/V

D、30V/V

答案：【24.5V/V】4.单选题：下列情况中，哪类放大器能够稳定工作？

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】5.单选题：深度负反馈条件下，反馈放大器（）

选项：

A、净输入信号几乎为零

B、净输入电压几乎为零

C、净输入电流几乎为零

D、以上皆不对

答案：【净输入信号几乎为零】6.单选题：深度负反馈条件下，反馈放大器（）。

选项：

A、电压增益近似等于反馈系数的倒数。

B、电流增益近似等于反馈系数的倒数。

C、互导增益近似等于反馈系数的倒数。

D、互阻增益近似等于反馈系数的倒数。

E、闭环增益近似等于反馈系数的倒数

答案：【闭环增益近似等于反馈系数的倒数】7.单选题：电路如图所示，深度负反馈条件下，放大器的输入电阻将趋向（），输出电阻将趋向（）。

选项：

A、∞，0

B、0，∞

C、∞，∞

D、0，0

答案：【∞，∞】8.多选题：引入负反馈后，放大器的性能将得到改善，下面哪些说法是错误的？（）

选项：

A、放大器任何增益的稳定性都可以被改善

B、放大器带宽将得到扩展，且增益不变

C、任何噪声都会被消除

D、放大器输入输出电阻性能将得到改善

答案：【放大器任何增益的稳定性都可以被改善;放大器带宽将得到扩展，且增益不变;任何噪声都会被消除】9.多选题：某放大电路引入直流负反馈和电流并联交流负反馈，就其反馈作用包括（）。

选项：

A、稳定输出电压

B、稳定输出电流

C、增大输出电阻

D、减小输出电阻

E、输出电阻不变

F、增强带负载能力

G、增大输入电阻

H、减小输入电阻

I、增大静态工作电流

J、稳定静态工作电流

答案：【稳定输出电流;增大输出电阻;减小输入电阻;稳定静态工作电流】10.多选题：负反馈用于消除自激振荡的方法有（）。

选项：

A、滞后补偿

B、超