CN115332056B 一种晶圆背面减薄方法 （上海积塔半导体有限公司）_第1页
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文档简介

东新区自由贸易试验区临港新片区云提供晶圆，在晶圆的边缘包括一与晶圆的<110>晶向垂直的平边，在晶圆的正面粘贴研磨保护膜，随后将晶圆固定在减薄机台的晶圆支撑盘通过将晶圆的平边设置在与晶圆的<110>晶向相现缺口时产生的微裂纹仅在沿平行于平边的方2提供晶圆，并于所述晶圆的正面完成器件结构的工艺制备；所述晶圆的边于所述晶圆的正面沿平行于所述平边的方向粘贴研磨保护膜将所述晶圆固定在减薄机台的晶圆支撑盘上，所述晶圆粘贴研将所述研磨头以第二磨片速度对所述晶圆的背面进行粗磨快减将所述研磨头以第一磨片速度对所述第二粗磨减薄片进行粗磨慢减薄5.根据权利要求3所述的背面减薄方法，其将所述晶圆减薄片置于腐蚀设备内，对所述减薄面进行腐蚀处理3括一与所述晶圆的<110>晶向方向相垂直4[0020]在一种可能的实时方案中，所述去除所述晶圆减薄片正面的研磨保护膜步骤之5保护膜对晶圆正面的拉应力将在与平边相垂直的微裂纹处集中，在晶圆减薄到一定厚度圆正面的拉应力也将不再具有使微裂纹得到扩展6[0049]在晶圆具有较大厚度参数时进行快速研磨，在接近预设厚度参数时降低研磨速7

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