CN115513343B 一种led芯片的制备方法 （厦门乾照光电股份有限公司）

本申请公开了一种LED芯片制备方法，首先后采用第一光刻版对负性光刻胶进行第一次曝2提供一衬底，在所述衬底上形成外延叠层，所述外延叠层包括沿背离所采用第一光刻版对所述负性光刻胶进行第一次曝光，所述第一光采用第二光刻版对所述负性光刻胶进行第二次曝光，所述第二光去除所述负性光刻胶，在所述子外延叠层中第二型半导体在所述子外延叠层中第二型半导体层背离所述衬底的表面在所述ITO层背离所述衬底的表面形成纳米气敏吸附层，所述纳米气敏吸附层具有多2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在垂直于所述衬底所在平面的方向对显影后的负性光刻胶进行坚膜，以通过对经两次曝光后的负对坚膜后的负性光刻胶进行泛曝光，以定型负性光刻胶，并提升负性5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述负性光刻胶的敏感度为E0mJ/37.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述纳米气敏吸附层的材料包括：SnO2323O42O3232O332O4和ZnFe2O4中的至在所述台面上形成第一电极，并在所述复合透明导电层背离所述二电极通过所述第一通孔嵌入所述复合透明导电层中与所述第二型在所述外延叠层、所述复合透明导电层、所述第一电对所述反射层和所述绝缘覆盖层进行刻蚀，形成贯穿所述反射层形成第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘通过所述第二通孔与所述第一电极电连接，所述第二焊盘通过所述第三通孔与所述第二电4[0002]发光二极管(LightEmittingDiode，LED)是一种将电能转换成光能的半导体器5[0014]所述负性光刻胶的敏感度为E0mJ/cm2，采用第一光刻[0019]对显影后的负性光刻胶进行坚膜，以通过对经两次曝光后的负性光刻胶进行烘[0029]在所述ITO层背离所述衬底的表面形成纳米气敏吸附层，所述纳米气敏吸附层具O3O332O4和ZnFe2O4中的至少一种。[0032]可选的，在O2氛围中进行快速高温退火时，O2的气流量的取值范围为0.5sccm_孔，第二电极通过所述第一通孔嵌入所述复合透明导电层中与所述第二型半导体层电连6叠层背离衬底的表面旋涂负性光刻胶，然后采用第一光刻版对负性光刻胶进行第一次曝[0049]图7(c)为现有技术采用正性光刻胶作掩膜对外延叠层进行深刻蚀后的FIB测试[0050]图8(a)为本申请实施例所提供的LED芯片的制备方法中，对负性光刻胶进行曝光量为E1的第一次曝光以及曝光量为E2的第二次曝光后[0052]图8(c)为采用图8(a)所示的负性光刻胶作掩膜对外延叠层进行刻蚀后的FIB测试7[0065]而在本申请实施例所提供的LED芯片制备方法中，在外延叠层20背离衬底10的表[0066]在步骤S200中，负性光刻胶30的黏度可以大于250cP，步骤S200也被称为匀胶工8曝光区域在后续对负性光刻胶进行显影时会被显[0077]负性光刻胶30对应外延叠层20中除了需形成隔离沟道40和台面50之外的其他区[0078]为了更清楚地理解本申请，图5给出了对负性光刻胶30只进行第一次曝光后的显而本申请实施例所提供的LED芯片制备方法中，在第一次曝光后不对负性光刻胶30进行显97(a)给出了现有技术采用正性光刻胶作掩膜进行深刻蚀时正性光刻胶的形貌图，可以看作掩膜对外延叠层进行深刻蚀后的FIB测试图，从图7(b)和图7(c)中虚线框标出的部分可[0086]需要说明的是，光刻胶的敏感度是指1μm厚度光刻胶上产生一个良好的图形所需[0092]图8(a)给出了本实施例对负性光刻胶30进行曝光量为E1的第一次曝光以及曝光[0093]图8(b)给出了采用图8(a)所示的负性光刻胶作掩膜对外延叠层进行刻蚀后的形貌图，图8(c)给出了采用图8(a)所示的负性光刻胶作掩膜对外延叠层进行刻蚀后的FIB测曝光量为E1的第一次曝光以及曝光量为E2的第二次曝光后显影形成的光刻胶图形更加规例对外延叠层进行刻蚀后形成的隔离沟道尺寸更窄，从而还可以提高LED芯片的有效发光二步刻蚀时，上电极射频功率(SRFPower)为400W_800W，下电极射频功率(BRFPower)为但发明人研究发现，当第二型半导体层23为常用的P型GaN层时，由于P型GaN的功函数使得ITO层和P型GaN层在高温退火下形和ZnFe2O4中的至少一种。型半导体层23的功函数的差异，使得ITO层61和第二型半导体层23在高温快速退火后形成[0121]可选的，在O2氛围中进行快速高温退火时，O2的气流量的取值范围为0.5sccm_80组成的整体结构背离衬底10的一侧依次形成反射层可采用SiO2层。具体的，在制备DBR反射层中的Ti3O5层时，可采用如下工艺条件：通入40sccm_60sccm气流量的O2，离子源功率优选采用600W_1000W，工艺真空2.0E_Ti3O5层充分氧化并降低Ti3O5层的薄膜应力，采用氧离子轰击每层Ti3O5层表面时的O2气流[0127]在DBR反射层90之后可采用PECVD(等离子增强化学气相淀积)沉积SiO2绝缘覆盖穿反射层90和绝缘覆盖层100的第二通孔