CN115726034B 一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法 (郑州磨料磨具磨削研究所有限公司)_第1页
CN115726034B 一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法 (郑州磨料磨具磨削研究所有限公司)_第2页
CN115726034B 一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法 (郑州磨料磨具磨削研究所有限公司)_第3页
CN115726034B 一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法 (郑州磨料磨具磨削研究所有限公司)_第4页
CN115726034B 一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法 (郑州磨料磨具磨削研究所有限公司)_第5页
已阅读5页,还剩11页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

司一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝本发明公开了一种二次外延提高大尺寸单多个衬底正交交点处的晶体缺陷去除并形成矩用该方法拼接生长后能够得到拼接晶体多个衬底正交交点处无晶体缺陷的大尺寸单晶金刚石2将单晶金刚石衬底紧密摆放后放入微波等离子体设备的样品台中,抽真空后通入反应气2.根据权利要求1所述的一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法,其特3.根据权利要求1所述的一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法,其特4.根据权利要求1所述的一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法,其特5.根据权利要求1所述的一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法,其特6.根据权利要求1所述的一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法,其特7.根据权利要求1所述的一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法,其特8.根据权利要求1所述的一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法,其特9.根据权利要求1所述的一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法,其特相沉积法,条件为温度900-1200℃,气压100~140torr,功率4~6kW,氢气流量500-3外延方法虽然可以获得较低的缺陷密度(约104-5/cm2但受限于单晶衬底的尺寸,大尺寸单晶金刚石的制备通常是采用将多个晶体取向一致的单晶金刚石拼接生长的方法来实现,的大面积单晶金刚石接缝处出现亚晶界甚至是缝隙,造成该区域的位错缺陷和应力集中,加紧密;专利CN104878447A描述了一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方4气相沉积法,条件为温度900-1200℃,气压100~140torr,功率4~6kW,氢气流量500-5[0028]图3是4片9×9mm2单晶金刚石一次化学气相沉积生长后拼接中心点的光学显微镜[0030]图5是4片9×9mm2单晶金刚石二次化学气相沉积生长后拼接中心点的光学显微镜6温度950℃,气压110torr,功率5.5kW,氢气流量700sccm,甲烷流量30sccm,氮气流量方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为便于描述本发明和简化描述,789

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论