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司一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝本发明公开了一种二次外延提高大尺寸单多个衬底正交交点处的晶体缺陷去除并形成矩用该方法拼接生长后能够得到拼接晶体多个衬底正交交点处无晶体缺陷的大尺寸单晶金刚石2将单晶金刚石衬底紧密摆放后放入微波等离子体设备的样品台中,抽真空后通入反应气2.根据权利要求1所述的一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法,其特3.根据权利要求1所述的一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法,其特4.根据权利要求1所述的一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法,其特5.根据权利要求1所述的一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法,其特6.根据权利要求1所述的一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法,其特7.根据权利要求1所述的一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法,其特8.根据权利要求1所述的一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法,其特9.根据权利要求1所述的一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法,其特相沉积法,条件为温度900-1200℃,气压100~140torr,功率4~6kW,氢气流量500-3外延方法虽然可以获得较低的缺陷密度(约104-5/cm2但受限于单晶衬底的尺寸,大尺寸单晶金刚石的制备通常是采用将多个晶体取向一致的单晶金刚石拼接生长的方法来实现,的大面积单晶金刚石接缝处出现亚晶界甚至是缝隙,造成该区域的位错缺陷和应力集中,加紧密;专利CN104878447A描述了一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方4气相沉积法,条件为温度900-1200℃,气压100~140torr,功率4~6kW,氢气流量500-5[0028]图3是4片9×9mm2单晶金刚石一次化学气相沉积生长后拼接中心点的光学显微镜[0030]图5是4片9×9mm2单晶金刚石二次化学气相沉积生长后拼接中心点的光学显微镜6温度950℃,气压110torr,功率5.5kW,氢气流量700sccm,甲烷流量30sccm,氮气流量方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为便于描述本发明和简化描述,789
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