CN115832065B 一种背接触电池及其制造方法、光伏组件 （隆基绿能科技股份有限公司）

US2018294366A1,2018.10.11本发明公开了一种背接触电池及其制造方时防止第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层一钝化层和第一掺杂半导体层依次层叠设置于第二钝化层和第二掺杂半导体层覆盖层叠设置第二掺杂半导体层和第一掺杂半导体层的导电2沿所述硅基底的厚度方向，依次层叠设置于所述硅基底具有的沿所述硅基底的厚度方向，依次层叠设置于所述背光面上的第设置于所述背光面上的绝缘层；所述绝缘层至少位于所述第二钝化层和述第二掺杂半导体层至少覆盖所述绝缘层与所述硅基底接触设置于所述硅基底具有的向光面上的钝化减反层；所述绝缘层的材所述背接触电池还包括：沿背离所述硅基底的方向，依次层叠设置5.根据权利要求1～4任一项所述的背接触电6.根据权利要求1～4任一项所述的背接触电池，其特征在于，所述绝缘层的厚度为7.根据权利要求1～4任一项所述的背接触电池沿所述硅基底的厚度方向，形成依次层叠设置于所述硅基底具在所述背光面上形成绝缘层；并在所述硅基底具有的向沿所述硅基底的厚度方向，形成依次层叠设置于所述背光面3二掺杂半导体层至少覆盖所述绝缘层与所述硅基底接依次形成覆盖在所述背光面上的钝化材料层、以及位于所述钝化对所述本征半导体材料层进行扩散处理，以使得所述本征半导体材料在所述掩膜层的掩膜作用下，依次去除所述掺杂半导体材去除位于所述硅基底的向光面和侧面上的绕镀掺杂玻璃层、绕镀掺在所述掩膜层的掩膜作用下，对所述硅基底具有的向光面依次形成覆盖在所述背光面上的钝化材料层、以及位于所述钝化采用激光刻蚀工艺，对所述掺杂半导体材料层和所述钝化材4的厚度方向，依次层叠设置于硅基底具有的背光面上的第一钝化层和第一掺杂半导体层。层叠设置的第二钝化层和第二掺杂半导体层覆盖层叠设置的第一钝化层和第一掺杂半导结构可以实现优异的界面钝化和载流子选择性收集，利于提高背接触电池的光电转换效5第二掺杂半导体层收集的载流子与导电类型相反的第一掺杂半导体层收集的载流子发生和第一掺杂半导体层的形成步骤早于层叠设置的第二钝化层和第二掺杂半导体层的形成多晶硅在高温下的化学性质相对稳定，故与层叠设置的本征非晶硅层和掺杂非晶硅层相[0010]另外，隧穿钝化层和掺杂多晶硅层均可以采用低压化学气相沉积设备沉积形用于制造第一钝化层的钝化材料层、以及用于制造第一掺杂半导体层的掺杂半导体材料[0012]采用上述技术方案的情况下，本征非晶硅层具有比隧穿钝化层更好的钝化效6致形成的非晶硅材料的钝化层各区域的厚度不一致，降低了该钝化层对向光面的钝化效化硅层具有的有益效果可以参考前文所述的层叠设置的氧化铝层和氮化硅层的有益效果化减反层时，可以通过原子层沉积设备沉积在向光面上形成氧化铝(或氧化硅)和氮化硅以通过隧穿效应依次穿过第二钝化层和绝缘层与导电类型相反的第一掺杂半导体层收集层和第一掺杂半导体层的纵向交界处的部分的横截面积较大，而背光面的表面积为定值，半导体层和第二掺杂半导体层中的至少一者的横截面积减小，进而影响其载流子收集能7半导体材料层的表面形成掺杂玻璃层，掺杂玻璃层例如可以为磷硅玻璃层(Phospho[0027]作为一种可能的实现方式，形成层叠设置的第一钝化层8为800℃至900℃。该情况下具有的有益效果与前文所述的当掺杂玻璃层的厚度为40nm至9度均较小。而第一钝化接触结构和第二钝化接触结构包括的掺杂半导体层的导电类型相离开)，然而较薄的钝化层难以实现第一钝化接触结构的掺杂半导体层中载流子和第二钝少位于第二钝化层17和第一掺杂半导体层141之间，用于将第二钝化层17和第一掺杂半导成异质接触结构的情况下，可以进一步降低硅基底与第一钝化层界面处的载流子复合速及制造第一掺杂半导体层141的掺杂半导体材料层14进行图案化处理。而与光刻结合湿法高温下容易形成多晶硅或单晶硅，而隧穿钝化材料和多晶硅在高温下的化学性质相对稳晶硅层对高温的激光热损伤敏感程度较小，在激光开膜工艺时可以减小对钝化效果的影[0064]另外，隧穿钝化层和掺杂多晶硅层均可以采用低压化学气相沉积设备沉积形用于制造第一钝化层的钝化材料层、以及用于制造第一掺杂半导体层的掺杂半导体材料第二钝化层17和第一掺杂半导体层141间隔开，还可以沿平行于背光面的方向将第二钝化18中的载流子通过隧穿效应穿过第二钝化层17进入第一掺杂半导体层141，同时也可以避免第一掺杂半导体层141中的载流子通过隧穿效应穿过第二钝化层17进入第二掺杂半导体的部分载流子可以通过隧穿效应依次穿过第二钝化层和绝缘层与导电类型相反的第一掺可以沿着平行于硅基底11背光面的方向将第二钝化层17与第一掺杂半导体层141间隔开，半导体层141和第二掺杂半导体层18沿着平行于背光面的方向分布于背光面的上方。在此确保硅基底11吸收光子后所产生的载流子及时被第一掺杂半导体层141和第二掺杂半导体化硅层具有的有益效果可以参考前文所述的层叠设置的氧化铝层和氮化硅层的有益效果电层212形成在第二掺杂半导体层18上，且第二透明导电层212和第一透明导电层211相互[0092]示例性的，上述形成层叠设置的第一钝化层和第一据第一掺杂半导体层141内掺杂元素的掺杂浓度、所要形成的掺杂玻璃层15的厚度和致密玻璃层的厚度较小使得以该掺杂玻璃层的剩余部分形成的掩膜层的保护作用较差而导致还可以通过原位退火的方式对掺杂多晶硅层进行晶化处理，以减小掺杂多晶硅层内的应导体材料层和钝化材料层进行图案化处理，形成层叠设置的第一钝化层121和第一掺杂半导体层141。该情况下具有的有益效果可以参考前文所述的第一钝化层121为隧穿钝化层，化化背和第一0掺杂半导体层141与层叠设置的第二钝化层和第二掺杂半的绝缘槽，以将透明导电材料层位于第一掺杂半导体层141上的部分与透明导电材料层位[0120]本发明还提供了以下具体实施例来进一步说明本发明所述背接触电池的制造方溶液是浓度为5.5％至6.5％的KOH溶液。抛光溶液的温度81℃至87℃。工艺时间材料层形成N型掺杂多晶硅材料层。该N型掺杂多晶硅材料层的扩散方阻为70Ω/sq至110材料层的剩余部分形成第一钝化层，N型掺杂多晶硅材料层的剩余部分形成第一掺杂半导璃层位于硅基底的侧面和向光面上的部分、以及去除绕镀钝化材料层和绕镀多晶硅材料后，进入HF槽中去除掩膜层，该HF溶液的浓度为9.5％至10.5并在常温下处理95s至[0127]第六步：在等离子体增强原子层沉积(PlasmaEnhancedAtomicLayer浓度为29％至31并在常温下处理175s至185s，清洗模式为滚轮带液方式或者水上漂方溶液是浓度为5.5％至6.5％的KOH溶液。抛光溶液的温度81℃至87℃。工艺时间第一本征非晶硅材料层的剩余部分形成第一钝化层、以及使得N型掺杂非晶硅材料层形成和掺杂硼的P型掺杂非晶硅材料层。并在向光面依次形成第四本征非晶硅材料层和第三氮10nm至25nm，第四本征非晶硅材料层的厚度为5nm至20nm，第三氮化硅层的厚度为80nm至导体层的部分区域、以及使得第二氮化硅层位于第一掺杂半导体层上的部分形成绝缘层。料层位于第二掺杂半导体层上的部分形成第二透溶液是浓度为5.5％至6.5％的KOH溶液。抛光溶液的温度81℃至87℃。工艺时间电阻和短路电流分别高于对比例1和对比例2制造的背接触电池对应的并联电阻和短路电池的转化效率高于对比例1和对比例2制造的背接触电池对别小于对比例1制造的背接触电池对应的向光面塔基宽度和向光面反射率，从而利于增强制造的背接触电池的N+区激光工艺窗口大于对比例1制造的背接触电池对应的N+区激光工例1和对比例2制造的背接触电池对应的填充因子，即实施例1制造的背接触电池的品质优了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。地结合使用。