CN116288196B 一种CoFeB靶材及其制备方法 （有研亿金新材料有限公司）_第1页
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JP2006161082A,2006种CoFeB靶材及其制备方法，制备方法包括如下进行熔体浇铸直接得到组织均匀、性能良好的的制备方法还可有效解决B含量升高带来的塑性2料坯料的熔点≤1200℃;3储器(DRAM)成为主流存储器。MRAM的基本存储单元是磁隧道结(MagneticTunnel[0004]另一种防止CoFeB合金开裂的方法是采用粉末冶金烧结法，该方法可以在保证组粉冶法制备的靶材在溅射过程中容易产生颗粒所述原材料坯料的熔点≤1200℃;[0008](2)二次加料：在T℃下，将含硼的二次加料粉4Fe)2B先析出相区。常规熔炼法制备硼想是将高硼的铸锭成分拆分为低硼的母相成分(即原材料坯料)和二次加料粉末成分两部B先析出相区(如图1虚线框所示)。将母相成分调控至该区点为1625℃)。[0015]在一种可能的设计中，所述步骤(1)中，所述原材料坯料中硼的含量为18at％_可以有效地保证原材料坯料的熔点≤1200℃。[0018]二次加料粉体包含铁硼化合物或者钴硼化合物，可根据合金最终成分进行选5和机加工的方式得到CoFeB靶坯，随后根据需要判断是否需要焊接背板；如果需要焊接背[0028]本发明的第二方面，本发明还提供一种CoFeB靶材，采用上述的制备方法制备而焊接等工序制备得到CoFeB靶材，得到的CoFeB靶材具有密度高、组织均匀、氧含量低(≤元件(MRAM)等领域。本发明的制备方法还可有效解决B含量升高带来的塑性差、易开裂问6[0036]以下实施例和对比例中，靶材的杂质含量的测试方法中金属[0038]本实施例以制备合金成分为Co35Fe35B30的高硼合金靶材为目标，制备方法流程图[0039]步骤(1)原材料坯料熔融：将铁片、钴片进行酸洗，超声清洗吹干，称取钴片前提下，通过二次加料系统将制得的二次加料粉体加入到步骤(1)的熔液中，随后进行入交变电流进行电磁搅拌至二次加料粉体均匀分布于[0046]本实施例以制备合金成分为Co25Fe40B35的高硼合金靶材为目标，制备方法包括如[0047]步骤(1)原材料坯料熔融：将铁片、钴片进行酸洗，超声清洗吹干，称取钴片[0050]步骤4)熔体浇铸：将经过步骤(3)处理后的合金熔体浇入模具型腔内得到组织均7[0054]本实施例以制备合金成分为Co20Fe60B20的合金靶材为目标，制备方法包括如下步[0055]步骤(1)原材料坯料熔融：将铁片、钴片进行酸洗，超声清洗吹干，称取钴片89

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