CN116449586B 一种具有锗调制层的电吸收调制器及其成型方法 （中国科学院微电子研究所）

US2022019098A1,2022.一种具有锗调制层的电吸收调制器及其成冲层的顶部的调制层及形成于掺杂层的顶部自调制层的应变，使调制器工作波长在1540nm~2多层缓冲层中各层两组分化合物两组分比例按照正向梯度或者反向梯度变化；其中，所述两组分化合物通式满足：按照从下至上成型顺序将多层缓冲层依次掺杂浓度为1×1018cm3~5×1013的拉伸应变，锗的带隙能量会由未应变的0.80eV(1550nm)降低到拉伸应变的0.77eV出一种新的结构和工艺流程来优化工作波长，使纯锗的电吸收调制器工作波长移动到C波1-xBx4[0025](1)本发明通过增加缓冲层，减少调制层的应变，使调制器工作波长在1540nm~5[0030]图1为本发明一种实施方式中在衬底层上制备具有不同掺杂浓度的掺杂层的示意[0034]图5为本发明一种实施方式中在原始调制层形成具有不同掺杂浓度的锗空穴掺杂[0041]SOI是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上，晶体管将在称之为SOI的薄层硅上制掺杂层201、电子强掺杂层202分设于所述底部氧化介制层102顶部的两端，空穴强掺杂层619cm319cm319cm319cm319cm319cm3cm319cm319cm3cm318cm318cm318cm3cm318cm318cm3。[0066]具体的，锗空穴掺杂层和锗电子掺杂层掺杂浓度可以为：1×1018cm3、1.2×1018cm318cm318cm318cm318cm318cm371018cm318cm318cm318cm318cm318cm3cm318cm318cm3。冲层；第N缓冲层的两组分化合物通式为A(1‑x)NBxN，第N‑1缓冲层的两组分化合物通式为AN缓冲层的两组分化合物元素A的原子数。8的Ge，其具有高达0.2％的拉伸应变，由于该应变的存在，锗的带隙能量会由未应变的9[0121]具体的，步骤S301中第一次薄膜沉积生长顶部氧化介质层高度高于底部波导层[0143]具体的，步骤5中在原始调制层形成具有不同掺杂浓度的锗空穴掺杂层、锗波导18cm318cm318cm318cm318cm318cm31018cm318cm318cm318cm318cm318cm3cm318cm3。[0163]步骤5：在原始调制层通过离子注入形成具有不同掺杂浓度的锗空穴掺杂层锗电[0164]步骤6：通过UV光刻和干法蚀刻工艺在电子/空穴强掺杂层形[0175]步骤5：在原始调制层通过离子注入形成具有不同掺杂浓度的锗空穴掺杂层锗电[0176]步骤6：通过UV光刻和干法蚀刻工艺在电子/空穴强掺杂层形依次沉积Al/TiN/Ti制备Ti/TiN层，在低温500℃下沉积至300nm，在高温1000℃下沉积至1000nm，退火后经CMP处理至[0187]步骤5：在原始调制层通过离子注入形成具有不同掺杂浓度的锗空穴掺杂层锗电[0188]步骤6：通过UV光刻和干法蚀刻工艺在电子/空穴强掺杂层形依次沉积Ti/TiN/Al制备Ti/TiN[0194]本实施例公开一种具有锗调制层的电吸收调制器的成型方法，和实施例1唯一区[0196]本实施例公开一种具有锗调制层的电吸收调制器的成型方法，和实施例1唯一区唯一区别为：在实施例1同样低温400℃下沉积至200nm，在实施例1高温850℃下沉积至任何熟悉本技术领域的技术人