标准解读

《GB/T 47917-2026 300 mm硅外延片》是一项国家标准,旨在规范300毫米直径的硅外延片的技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输和贮存等方面。该标准适用于制造集成电路和其他半导体器件所用的单晶硅衬底上生长的外延层。

根据标准内容,对于300 mm硅外延片的基本参数如厚度、电阻率、表面平整度等提出了具体数值范围或限制条件。同时,也定义了不同类型的缺陷(如颗粒、划痕)允许的最大尺寸及数量,并且规定了检测这些特性的方法与工具,确保产品符合高质量要求。此外,还涵盖了从生产到交付过程中对材料处理的具体指导原则,比如如何进行适当的清洁以避免污染,以及在运输时需要采取哪些措施来防止物理损伤。


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  • 即将实施
  • 暂未开始实施
  • 2026-07-02 颁布
  • 2027-02-01 实施
©正版授权
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文档简介

ICS29045

CCSH.82

中华人民共和国国家标准

GB/T47917—2026

300mm硅外延片

300mmsiliconepitaxialwafers

2026-07-02发布2027-02-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T47917—2026

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司金瑞泓微电子衢州有限公司西安奕

:、()、

斯伟材料科技股份有限公司山东有研艾斯半导体材料有限公司上海晶盟硅材料有限公司南京国盛

、、、

电子有限公司上海超硅半导体股份有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司杭州中欣晶圆

、、、

半导体股份有限公司

本文件主要起草人徐新华陈海婷高鹏飞兰洵张友海朱晓彤齐旭东施海南贺东江顾广安

:、、、、、、、、、、

邓雪华陈猛李素青

、、。

GB/T47917—2026

300mm硅外延片

1范围

本文件规定了直径硅外延片的产品分类技术要求试验方法检验规则标志包装运

300mm、、、、、、

输贮存随行文件和订货单内容

、、。

本文件适用于在直径硅抛光片衬底上生长的硅外延片产品用于制作线宽及以上

300mm。14nm

集成电路和分立器件

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

非本征半导体材料导电类型测试方法

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GB/T1555

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GB/T1557

硅中代位碳含量的红外吸收测试方法

GB/T1558

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样

GB/T2828.1—20121:(AQL)

计划

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GB/T6617

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硅外延层扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法

GB/T14141、

硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法

GB/T14142

硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

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重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试红外反射法

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洁净室及相关受控环境第部分按粒子浓度划分空气洁净度等级

GB/T25915.1—20211:

硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法

GB/T26068

硅单晶抛光片

GB/T29506300mm

硅材料中氧含量的测试

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