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的表面进行刻蚀，以去除表面形成的自然氧化膜过渡层中的锗的含量小于锗硅种子层中的锗2对所述西格玛沟槽的表面进行刻蚀，以去除在所述西格玛沟槽的表将去除自然氧化层后的衬底在保持真空的条件下移入外延腔室，在H2的环境下对所述西格玛沟槽的侧壁进行烘烤处理，以对所述西格玛沟槽的侧壁进在所述西格玛沟槽内形成锗硅种子层与锗硅主体层；其中，其中，所述锗硅薄膜过渡层的厚度小于所述锗硅种子层的渡层的厚度小于30A;所述锗硅薄膜过渡层中锗的原子百分比小于％～43器件需求，为了提升PMOS的沟道迁移率(channelmobility)，从而引入了SiGe外延工艺，4％～[0026]图4是本发明一实施例提供的根据一种半导体器件的制备方法的制备的半导体器[0027]图5是本发明一实施例提供的根据一种半导体器件的制备方法制备的不同工艺阶[0028]图6是本发明一实施例提供的根据一种半导体器件的制备方法制备的不同工艺阶[0029]图7是本发明一实施例提供的根据一种半导体器件的制备方法制备的不同工艺阶[0030]图8是本发明一实施例提供的根据一种半导体器件的制备方法制备的不同工艺阶[0031]图9是本发明一实施例提供的根据一种半导体器件的制备方法制备的不同工艺阶5[0032]图10是本发明一实施例提供的根据一种半导体器件的制备方法制备的不同工艺[0033]图11是本发明一实施例提供的根据一种半导体器件的制备方法制备的不同工艺备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过6[0061]其中，栅极结构例如具体可以包括：沿远离衬底101的方向依次堆叠的栅氧化层种子层102形成于暴露出来的西格玛沟槽中的衬底101的表面，所述锗硅主体层103形成于7[0084]去除在所述西格玛沟槽212的表面形成的自然氧化层211之后的器件结构如图9所锗硅薄膜过渡层203之后的器件结构如图10[0090]一种实施例中，所述锗硅薄膜过渡层203的厚度小于30A;所述锗硅薄膜过渡层830A的锗硅薄膜过渡层203，使得在西格玛沟槽212尺寸一定硅种子层204形成于所述锗硅薄膜过渡层203的表面，所述锗硅主体层205形成于所述锗硅硅薄膜过渡层203中的锗的含量小于所述锗硅种子层204中的锗％～利于在锗硅薄膜过渡层203表面生长出高质量的锗硅212的侧壁进行损伤修复的同时在所述西格玛沟槽212的侧壁上形成锗硅薄膜过渡层203；9所述西格玛沟槽212的侧壁上形成锗硅薄膜过渡层时，一种具体工艺为：先在H2的流量为锗硅薄膜过渡层203表面生长出高质量的锗硅种子层204的技量为10～500sccm的GeH4气体的同时，还需要同时通入流量为0～200sccm的所述二氯二氢前述实施例的任一项所述的半导体器件的制

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