CN118330518B 磁通门传感芯片的制作方法及磁通门传感芯片 (北京智芯微电子科技有限公司)_第1页
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文档简介

磁通门传感芯片的制作方法及磁通门传感本发明提供一种磁通门传感芯片的制作方术对所述闭合的线圈结构浇铸,形成磁通门线2分别在两片硅片上刻蚀出磁芯槽、螺线管线圈槽和通孔,并至采用液态金属浇铸技术对所述闭合的线圈结构浇铸,形成磁通门所述采用液态金属浇铸技术对所述闭合的线圈结构浇铸,形成磁通门线分别从各组输入电极腔和输出电极腔的中任一电5.根据权利要求1所述的磁通门传感芯片的制作方法,其特征在于,所述磁芯为跑道所述两片硅片上刻蚀有磁芯槽、螺线管线圈槽和通孔,至少在其中所述两片硅片通过键合形成闭合的磁芯槽和线圈结构,并通3将所述磁通门电流传感芯片靠近待测导线,由所述磁通门电将所述磁通门电流传感芯片靠近待测导线,由所述磁通将所述磁通门电流传感芯片中的部分感应线圈复用为反馈线圈进行贴片直接使用所述磁通门电流传感芯片的反馈线圈进行贴片式4第电磁感应定律,同时结合软磁材料的磁化饱和特性实现对恒定变化或低频弱磁场的检5应线圈槽和多条激励线圈槽分别对应一组输入电极腔[0030]将所述磁通门电流传感芯片中的部分感应线圈复用为反馈线圈进行贴片式闭环6[0037]图1示意性示出了根据本申请实施例的一种磁通门传感芯片的制作方法流程示意[0038]图2示意性示出了根据本申请实施例的磁芯厚度对磁通门传感芯片检测灵敏度影[0044]图8示意性示出了根据本申请实施例的磁芯厚度20微米和200微米芯片输出信号7和多条激励线圈槽分别横跨所述磁芯槽,所述通孔8位于每条感应线圈槽和每条激励线圈[0054]每条感应线圈槽和每条激励线圈槽的两端均设置有通孔8,以将两片硅片上的多条感应线圈槽连通以及将多条激励线圈槽连通,上述多条感应线圈槽通过两端的通孔8互8条反馈线圈槽的两端。上述感应线圈槽和激励线圈槽分别用于放置感应线圈2和激励线圈磁调制,驱动磁芯材料进入临界饱和状态,利用磁芯1磁化饱和时磁导率的非线性变化特9螺旋管线圈缠绕磁芯的闭合结构。上述线圈结构至少包括感应线圈2结构和激励线圈3结[0075]在螺线管线圈槽9包括多条感应线圈槽和多条激励线圈槽的情况下,形成了闭合感应线圈槽和多条激励线圈槽分别横跨所述磁芯槽,所述通孔8位于每条感应线圈槽和每然图1的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示,但是这些步骤并不是必然按照箭者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流9至少包括多条感应线圈槽和多条激励线圈槽,所述多条感应线圈槽和多条激励线圈槽分别横跨所述磁芯槽,所述通孔8位于每条感应线圈槽和每条激励线圈槽的两端;所述磁芯线圈4根据实际开环或者闭环检测需求进行感应线圈也可直接用作反馈线圈,即所述由所述磁通门电流传感芯片进行贴片式闭环检

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