CN118675574B 数据处理装置、电子装置和数据处理装置的制备方法 （清华大学）

置的制备方法。该数据处理装置包括逻辑处理辑处理层被配置为进行逻辑运算和/或控制处储单元每个包括晶体管以及与晶体管电连接的2所述逻辑处理层被配置为进行逻辑运算和/或控所述存内计算层被配置为对接收的数据进行神经网络运算，所述存储所述存储阵列层包括存储阵列，所述存储阵列包括排列为多行多列的多个存储单元，所述多个存储单元每个包括晶体管以及与所述晶体管电连接的磁随机存其中，所述逻辑处理层设置在硅衬底上，所述存内计5.根据权利要求1_3任一所述的数据处理装置，其中，所述晶体管包括碳纳米管晶体采用半导体制备工艺制备存内计算层和制备与所述存内计算层至少部分层叠设置的其中，所述存内计算层被配置为对接收的数据进行神经网络所述存储阵列层包括存储阵列，所述存储阵列包括排列为多行多列的多个存储单元，所述多个存储单元每个包括晶体管以及与所述晶体管电连接的磁随机存制备掩模以定义出所述磁随机存储器件的图形区域34述逻辑处理层被配置为进行逻辑运算和/或控制处理；所述存内计算层被配置为对接收的存储单元每个包括晶体管以及与所述晶体管电连接的磁随机转移力矩磁随机存储器件或自旋轨道矩磁随机备工艺制备存内计算层和制备与所述存内计算层至少部分层叠设置的存储阵列层，其中，用于所述存内计算层的数据；所述存储阵列层被配置为存储用于所述存内计算层的数据，5多个存储单元每个包括晶体管以及与所述晶体管[0023]图7示出了本公开至少一个实施例提供的一种磁随机存储器件的制备方法示意[0024]图8示出了本公开至少一个实施例提供的一种磁阻随机存取的制备方法的流程示6的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其可能相应地改变。TransistorOneMagneticTunnelJunction)结构的MRAM磁随机(MagneticRandom[0032]图2示出了一种SOT_MRAM存储单元的结构示意图。如图2所示，在基于SOT_MRAM(Spin_OrbitTorqueMagneticRandomAccessMemory，自旋轨道矩磁随机存储器件)的线和MRAM存储器件的钉扎层(PL)之间的晶体和MRAM存储器件的重金属层(HM)之间的晶体7上的电压变化来确定自由层的磁化方向。如果自由层的磁化方向与钉扎层的磁化方向相内计算阵列)包括呈行列布置的忆阻器单元，忆阻器单元包括忆阻器(例如阻变存储器件乘的运算过程。可以将待权重矩阵数据映射为各个忆阻器的阻值并写入存算一体阵列中，输入向量被映射为存算一体阵列各行的输入信号(电压信号)，各列的输出信号(电流信8[0045]本公开至少一个实施例提供了一种数据处理装置以及提供一种该数据处理装置存内计算层和存储阵列层至少部分层叠；逻辑处理层被配置为进行逻辑运算和/或控制处被配置为进行逻辑运算和/或控制处理，存内计算层被配置为对接收的数据进行神经网络9[0054]例如，忆阻器至少之一的材料结构可以包括：TiN/HfAlOx/TaOx/TiN或TiN/HfO2/TaOx/TiN或TiN/HfO2/TiN或TiN/HfZrOx/TaOx/TiN或TiN/HfAlZrOx/TaOx/TiN或TiN/SiO2/本公开的实施例中，上述的X不一定是整数，金属氧化物可以具有不同的氧含量或含氧比个存储单元，多个存储单元每个可以包括晶体管以及与晶体管电连接的磁随机存储器件管或低温多晶硅晶体管(LTPS，Low_TemperaturePolycrystallineSilicon)中的至少一磁随机存储器件和自旋轨道矩磁随机存储器件的相关描述例如可以参照前述实施例中对[0064]在本公开的一些实施例中，磁随机存储器件可以包括依次层叠设置的第一电极[0066]例如，自由层可以包括依次层叠的反铁磁层和铁磁层(即反铁磁/铁磁交换耦合[0073]由于交换偏置磁场在自由层内部产生，打破了自旋轨道扭矩(SOT)磁化翻转的对[0077]例如，势垒层的材料可以为绝缘层，例如包括MgO，势垒层的膜层厚度可以为1_[0085]在本公开的一些实施例中，磁随机存储器件包括磁性隧道结(MTJ，Magnetic可以被配置为对接收的数据进行神经网络运算，存储阵列层103可以被配置为存储用于存多个存储单元，多个存储单元每个可以包括晶体管以及与晶体管电连接的磁随机存储器[0100]本公开的实施例通过逻辑处理层101与存内计算层102、存储阵列层103的层叠设[0107]例如，制备逻辑处理层可以采用CMOS逻辑电路制备工艺(或硅基CMOS工艺)实现Etching)、原子层刻蚀(ALE,AtomicLayerEtching)、反应离子刻蚀(RIE,ReactiveIon垂直刻蚀方式，即离子束流与磁性隧道结表面呈90度直角(或接近90度)时，可能会导致制性能会产生负面影响。因此，可以采用变角度刻蚀方法，通过垂直角度分量刻蚀磁性隧道结，之后通过其他角度分量刻蚀磁性隧道结侧壁(即侧壁角度分量刻蚀)，以减小甚至消除[0120]图7示出了本公开至少一个实施例提供的一种磁随机存储器件的制备方法示意骤可能仍会产生一定量的毛刺。[0126]这里，在制备存内计算层时，需要进行抛光操作(例如化学机械抛光(CMP,[0143]图8示出了本公开至少一个实施例提供的一种磁阻随机存取存储单元的制备方法2[0151]势垒层的材料可以为绝缘材料，例如可以包括MgO。势垒层的膜层厚度可以为1_[0167]以下以碳纳米管晶体管的制备方法为例对制备后道晶体管的方法进行示例性描[0177]图9示出了本公开至少一个实施例提供的一种电子装置的[0180](1)本公开的附图只涉及到本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设[0181](2)在不冲突的情况下，本公开的实施