CN119041011B 一种可同时生长多块碳化硅单晶的液相生长装置及方法 （北京晶格领域半导体有限公司）

一种可同时生长多块碳化硅单晶的液相生本发明提供了一种可同时生长多块碳化硅在籽晶杆的下端沿径向对称分布的多个籽晶托温组件用于监测和调控晶体生长过程中碳化硅相生长装置可以为碳化硅晶体生长过程提供充有效提高晶体生长过程中的原料利用率和晶体2所述籽晶组件包括籽晶杆、设置在所述籽晶杆的下端沿径向对称分布的所述控温组件用于监测和调控晶体生长过程中碳化硅籽晶的径向温差包括设置在所述坩埚上方用于监测碳化硅籽晶径向温差的温度监测件和设置在所述坩埚碳化硅籽晶径向两端对应的位置；所述辅助加热件的加热主体部分位于所述搅拌件的内所述坩埚设置有可拆卸的坩埚盖，所述坩埚盖上设置有与所述籽晶杆位3率和生长效率低。在晶体生长过程中主要依靠籽晶的旋转加速碳元素的溶解和流动提供温度监测件和设置在所述坩埚内部用于调控碳化硅籽晶径向温差的[0011]优选地，所述温度监测件设置在所述坩埚上方与碳化硅籽晶径向两端对应的位4[0025]本发明在籽晶杆的下端沿径向对称分布有多个籽晶托可以单炉次生长多块碳化[0026]本发明基于采用多籽晶同时生长多块碳化硅单晶对碳源和熔体的流动性的更高[0027]本发明基于采用多籽晶同时生长多块碳化硅单晶过程中由于坩埚尺寸的扩大易晶的问题，在装置中引入控温组件实时监测和调控晶体生长过程中碳化硅籽晶的径向温[0028]本发明提供的碳化硅单晶的液相生长装置可以为碳化硅晶体生长过程提供充足[0030]图1是本发明实施例1提供的一种可同时生长多块碳化硅单晶的液相生长装置的[0031]图2是采用本发明实施例1提供的可同时生长多块碳化硅单晶的液相生长装置同5[0032]图3是采用本发明实施例1提供的可同时生长多块碳化硅单晶的液相生长装置同[0034]图5是采用本发明对比例1中碳化硅单晶的液相生长装置生长得到的碳化硅单晶[0036]图7是采用本发明对比例2提供的碳化硅单晶的液相生长装置同时生长得到的两[0044]所述籽晶组件2包括籽晶杆21、设置在所述籽晶杆21的下端沿径向对称分布的多个籽晶托22和与所述籽晶杆21的下端轴向连接的6[0049]本发明在籽晶杆的下端沿径向对称分布有多个籽晶托可以单炉次生长多块碳化[0050]本发明基于采用多籽晶同时生长多块碳化硅单晶对碳源和熔体的流动性的更高[0051]本发明基于采用多籽晶同时生长多块碳化硅单晶过程中由于坩埚尺寸的扩大易晶的问题，在装置中引入控温组件实时监测和调控晶体生长过程中碳化硅籽晶的径向温[0052]本发明提供的可同时生长多块碳化硅单晶的液相生长装置可以为碳化硅晶体生[0053]根据一些优选的实施方式，所述控温组件包括设置在所述坩埚1上方用于监测碳化硅籽晶径向温差的温度监测件51和设置在所述坩埚1内部用于调控碳化硅籽晶径向温差[0054]本发明基于多籽晶同时生长多块碳化硅单晶过程中由于坩埚尺寸的扩大易导致[0055]根据一些优选的实施方式，所述温度监测件51设置在所述坩埚1上方与碳化硅籽7有与所述籽晶杆21位置对应的第一通孔和与碳化硅籽晶径向两端端对应位置设置第二通孔，便于采用温度监测件实时监测坩埚内部碳化硅籽晶的径向温8[0077]籽晶组件2包括籽晶杆21、设置在籽晶杆21的下端沿径向对称分布的两个籽晶托[0078]加热组件包括位于保温组件4外侧的感应加热件31和位于保温组件4与坩埚之间[0080]控温组件包括设置在坩埚上方与第二通孔位置对应的温度监测件51和加热主体[0082]一种可同时生长多块碳化硅单晶的液相生长方法，通过实施例1的装置实现，包10_4Pa后向炉腔内充入高纯氩气作为保护气体，将生长原料置于坩埚中，并对坩埚进行加9以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；