CN119387874A 高精度激光刻蚀的参数调节方法及装置 （深圳市智鼎自动化技术有限公司）

道兴东社区68区美生创谷二期慧谷2获取加工材料的基本参数和初步加工参数，所述基本参数包根据所述初步加工参数，控制设备进行制样得到所述加工材料根据所述工艺目标数据，选中所述加工样板的光刻结构表面区域，所述测量操作包括：垂直刻蚀线方向每间隔预设间距测量一条重复所述测量操作，直到完成所有断线刻蚀深度的测量，;表示为当前断线的最大刻蚀深度；;所述激光刻蚀数据的关系模型包括激光聚焦深度与所述平均刻蚀速率之间的关系模所述激光聚焦深度与所述平均刻蚀速率之间的关系模;3其中，f(h)表示为所述平均刻蚀速率与激光聚焦深度的函数关系式，h表示为激光聚使用最小二乘法来计算所述激光聚焦深度与刻蚀速率的回;;;;数据获取模块，用于所述数据包括加工材料的初步加工刻蚀深度获取模块，用于根据所述初步加工关系模型建立模块，用于根据所述平均刻蚀速率，利用线性回归工艺参数调节模块，根据所述激光功率调整方案，完成所有4为由所述处理器执行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1利要求1至7中任意一项所述的高精度激光刻蚀的参56;;所述激光刻蚀数据的关系模型包括激光聚焦深度与所述平均刻蚀速率之间的关所述激光聚焦深度与所述平均刻蚀速率之间的关系模;其中，f(h)表示为所述平均刻蚀速率与激光聚焦深度的函数关系式，h表示为激;;7;;在设备执行上述中任意一项所述的高精度激光的基本参数和初步加工参数，所述基本参数包括加工材料的基本特性数据和工艺目标数8图2是本发明实施例提供的一种激光聚焦深度与平均刻蚀速率的关系模型示意9所述电感耦合等离子体发射光谱仪用于分析加工材料的原子或离子发射的光谱;;所述激光刻蚀数据的关系模型包括激光聚焦深度与所述平均刻蚀速率之间的关所述激光聚焦深度与所述平均刻蚀速率之间的关系模;;其中，f(h)表示为所述平均刻蚀速率与激光聚焦深度的函数关系式，h表示为激表示为：n=f(h)=1010xh-3.7094；;;所述激光功率与刻蚀速率的回归系数b和截距cz：;;;能够较好地描述刻蚀速率与邀光功率和聚焦深度之间的;;[0036]为了便于对本发明的理解，下面将对本发明的一些优选实施例做更进一步的描于一台扫描电子显微镜下，在相同测量点测量两个相邻功率刻蚀样品中距离边沿的深度;[0042]进一步地，功率P1和功率P2刻蚀后的结构深度差为功率P1和功率P2结构深度之差，其中P1结构深度为x1，P2结构深度为x2，那么功率P1和功率P2刻蚀深度之差为：;测量两条激光束刻蚀后，同一点与结构距离边沿的深度差（即两次功率下的刻蚀深度差值就可计算出该点t时间段内的刻蚀深度，绘制该处光刻结构不同方向及不同时间的刻所述刻蚀速率与激光功率以及聚焦深度的关系模型具;个模块/单元可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段，该指令段用于描述所他通用处理器、数字信号处理器(DigitalSignalProcessor，DSP)、专用集成电路(ApplicationSpecificIntegratedCircuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field_ProgrammableGateArray，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器[0058]所述存储器可用于存储所述计算机程序和/或模块，所述处理器通过运行或执行[0059]其中