CN119395439A 一种阵列电容的失效位置确定方法 （粤芯半导体技术股份有限公司）

本申请提供了一种阵列电容的失效位置确方向的每排上极板区块的第一目标端提供第一方向的每排上极板区块与下极板之间的第一导板上位于第二方向的每排上极板区块进行依次二目标端提供第一电平以及对下极板提供第二2仅针对所述阵列上极板上位于第一方向的每排上极板区块进行一方向的每排上极板区块的第一目标端提供第一电平以及对所述下极板检测位于第一方向的每排上极板区块与所述下极板之间的在确定所述阵列电容存在失效位置时，去除位于第一方向的于第二方向的每排上极板区块的第二目标端提供第一电平以及对所述下极板提供第二电检测位于第二方向的每排上极板区块与所述下极板之间的第二导所述第一导通情况和所述第二导通情况确定出所述阵列电容上极板区块为所述阵列上极板中的每行上极板区块和每列上极板区块中的4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述第一目所述第二目标端为位于第二方向的每排上极板区块进行依次连接后的一端或在检测到位于第一方向的任一排上极板区块与所述下极板之间导通，则在检测到位于第一方向的每排上极板区块均与所述下依据所述第一导通情况，在位于第一方向的每排上极板区块中确定导通的第一目标依据所述第二导通情况，在位于第二方向的每排上极板区块中确定导通的第二目标依据所述第一目标排与所述第二目标排的交叉位置，确定出所述阵列电容的失效位37.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所将所述交叉位置对应的至少一个目标上极板区块分别对应的位置确对所述下极板提供第一电平并对所述交叉位置对应的多个目标上极板区块提供第二将与所述下极板之间导通的目标上极板区块所对应的位置确定为所述阵列电容的失通过检测每排上极板区块与所述下极板之间的电流值，确定每排上极对每排上极板区块设置二极管，通过检测每排上极板区块对应的二极管是否被点亮，将位于第一方向的每排上极板区块的一端连接至第一二极管的一端将位于第二方向的每排上极板区块的一端连接至第二二极管的一端4时，但是金属层会阻挡电子束。或者，通过OBRICH（OpticalBeamInducedResistance的每排上极板区块与下极板的导通情况，并去除第一方向的每排上极板区块的连接关系，对位于第二方向的每排上极板区块的第二目标端提供第一电平以及对所述下极板提供第结合所述第一导通情况和所述第二导通情况确定出所述阵列电容5排上极板区块与所述下极板之间的第一导通情况，确定所述阵列电容是否存在失效位置；6此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因7104之间均不接触，即各个上极板区块均放置在介质层之上并且彼此之间不存在电连接线[0027]示例性的，将阵列上极板中的每行上极板区块作为按照x轴方向排列的上极板区[0029]请参阅图2，图2为本申请实施例所提供的一种阵列电容的失效位置确定的流程S101：仅针对所述阵列上极板上位于第一方向的每排上极板区块进行依次连接，并对位于第一方向的每排上极板区块的第一目标端提供第一电平以及对所述下极板提供[0031]通过以下方式对每行上极板区块进行依次连接：按照该8[0033]进而，仅针对阵列上极板上位于第一方向的每排上进行依次连接后的一端或另一端作为该排上极板区块的第一板区块102的一端接地GND；通过实线表示将上极板区块103和上极板区块104在x轴方向进上极板区块103的一端接地GND；通过虚线表示将上极板区块102和上极板区块104在y轴方9电流区间指的是预先设置的在介质层存在失效位置并导通阵列电容的上下极板时所对应块101和上极板区块102所在的一行上极板区块的第一行电流值，以及检测上极板区块103区块104中的至少一个所对应的位置为失效位置；在第一行电流值和第二行电流值均属于预设导通电流区间时，则上极板区块101和上极板区块102中的至少一个以及上极板区块103和上极板区块104中的至少一个分别对应的位置101和上极板区块103所在的一列上极板区块的第一列电流值，以及检测上极板区块102和块104中的至少一个所对应的位置为失效位置；在第一列电流值和第二列电流值均属于预设导通电流区间时，则上极板区块101和上极板区块103中的至少一个以及上极板区块103和上极板区块104中的至少一个分别对应的位置至第一二极管的一端，并将第一二极管的另一端连接第一电平以及将下极板连接第二电和上极板区块102中的至少一个以及上极板区块103和上极板区块104中的至少一个分别对个以及上极板区块102和上极板区块104中的至少一个分别对应的位置上极板区块的第二目标端提供第一电平以及对所述下极板提供第对位于第二方向的每排上极板区块的第二目标端提供第一电平以及对所述下极板提供第排上极板区块为每列上极板区块时，则位于第二方向的每排上极板区块为每行上极板区针对每行上极板区块，将该行上极板区块按照行方向依次和相邻的上极板区块进行电连进行依次连接后的一端或另一端作为该排上极板区块的第二于第二方向的每排上极板区块的一端或另一上极板区块101和上极板区块102所在的一行上极板区块的第一行电流值以及检测上极板区块103和上极板区块104所在的一行上极板区块的第二行电流值，以确定出第一导通情若阵列上极板中的第一方向为x轴所在的方向，阵列上极板中的第二方向为y轴所在的方[0068]示例性的，第二二极管可以与第一二极管还可以设置在不同平面上的不同方极板区块101和上极板区块102所在的一行上极板区块的一端对应连接的第一二极管D1的块101通过其对应的导电通孔连接顶层极板301，上极板区块102通过其对应的导电通孔连通过其对应的导电通孔连接顶层极板304，将位于第二方向的每列顶层极板进行依次连接上极板区块101和上极板区块103所在的一列上极板区块以及上极板区块102和上极板区块102、上极板区块103和上极板区块104中的失效位置不在同一排，可能的情况包括以下一失效位置，上极板区块101、上极板区块102和上极板区块103均为失效位置，上极板区块实现高分辨率微观缺陷定位的仪器，能够在大范围内迅速准确地进行器件失效缺陷定位，因而在器件失效分析中得到广泛使用。在存在着热载流子效应、击穿、漏电的半导体器件将发光像和表面光学反射像叠加，就能在失效点和缺陷进行定位光学反射像叠加，就能在失效点和缺陷进行定位。耦合或直接耦合或