CN119395513A 一种驱动芯片抗噪声的测试电路及测试方法 （佛山市钒音科技有限公司）_第1页
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广隆工业区环镇东路4号顺智科创园6一种驱动芯片抗噪声的测试电路及测试方法管以及第二信号发生器；驱动芯片上设有VCC端2所述直流供电电源的正输出端分别连接所述第一电容的第一端和所述VCC端口，所述源的负输出端分别连接所述VS端口和所述噪声应力生产器的第一端，所述LO端口悬空设S6、采集并记录HO初态为低电位时，VS从最大值的10%_90%的电压V1和所需要的时间温度的范围为_45℃~145℃。34所述直流供电电源的正输出端分别连接所述第一电容的第一端和所述VCC端口，所述直流供电电源的负输出端分别连接所述第一电容的第二端、所述第一示波器的第一所述第一信号发生器的第二端连接并连接至所述HIN端口，所述LIN端口还连接所述接地的漏极和所述第一电感的第一端，所述第一晶体管的源极还连接所述第一晶体管的栅极，5[0011]优选的，所述第一设定温度为25℃,所述第二设定温度为_40℃,所度为125℃。6GND；第一示波器0204和第二示波器0206是示波器的两个普通探头测低压侧输出与低之间的压差；第一信号发生器0205和第二信号发生器0207是信号发生器的两个输出端口PWM1、上的电流通过第一晶体管Q1续流时会使得VS7端口和所述噪声应力生产器0209的第一端，所述LO端口悬空设置，所述噪声应力生产器同温度下HIN端输入0至15V的脉冲和15V至0的脉冲分别进行测试，以评估dVs/dt噪声对芯[0030]本实施例中，所述第一设定温度为25℃,所述第二设定温度为_40℃8定温度为125℃。HO初态为低电位时，在AV/ns的瞬态dVs/dt噪声信号条件下，HO端是否没有出现latch‑on的现象。HO初态为高电位时，在AV/ns的瞬态dVs/dt噪声信号的影响下是否出现[0035]图3是HO初态为低电位时，从图3中的放大图可以[0036]图4是HO初态为高电位时，从图3中的放大图可以[0037]这样在不同温度下HIN端输入0至15V的脉冲和15V至0的脉冲分别进行测试，以评9

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