光电子能谱基础和俄歇电子能谱

SurfaceAnalysisTechniques光电子能谱基础和俄歇电子能谱材料表面分析技术的物理原理与仪器方法Contents目录从原子结构到能谱技术，系统梳理光谱分析的核心原理与应用脉络。01原子结构与电子跃迁基础02特征信号的产生机制03光电子能谱原理与技术04俄歇电子能谱原理与应用05能谱技术对比与综合应用CHAPTER01原子结构与电子跃迁基础从量子数和电子排布规则理解原子能级体系QuantumNumbers原子中电子的量子数描述原子中每个电子的状态由主量子数n、角量子数l、磁量子数m和自旋量子数ms四个参数唯一确定，这四个量子数构成了理解电子能级分布和能谱分析的数学基础。01主量子数n：决定电子层和主要能量级别，n=1,2,3...分别对应K、L、M等壳层，n越大电子离核越远、能量越高02角量子数l：决定电子亚层和轨道形状，取值0至n-1，分别对应s(球形)、p(哑铃形)、d(花瓣形)、f轨道03磁量子数m：决定轨道空间取向，取值范围-l到+l的整数，如p轨道(l=1)有m=-1,0,+1三个空间取向04自旋量子数ms：描述电子固有的自旋角动量方向，仅有+1/2和-1/2两个值，是泡利不相容原理的关键约束原子轨道s/p/d/f三维空间形状示意AtomicStructure电子排布的三大基本规则电子排布遵循能量最低原理、泡利不相容原理和洪特规则三大基本约束，这三条规则共同决定了原子中电子的填充顺序和最终分布，是理解X射线激发与俄歇过程的前提。能量最低原理电子优先填充低能轨道（1s→2s→2p→3s→…），使原子总能量最小，决定了电子层的基本填充顺序1s→2s→2p泡利不相容原理同一原子中禁止两个电子具有完全相同的四个量子数，因此每个轨道最多容纳两个自旋相反的电子≤2e⁻洪特规则简并轨道中电子优先以平行自旋分占不同轨道，如Cr(Z=24)为[Ar]3d⁵4s¹，半满d轨道更稳定3d⁵4s¹AtomicStructure电子壳层结构与结合能的元素特征性原子内层电子结合能具有元素特征性，不同元素同一壳层电子结合能不同，这一物理本质是XPS和AES能够实现元素定性与定量分析的根本依据。壳层结构与容量012n²K层(n=1)最多2个电子，L层(n=2)最多8个，M层(n=3)最多18个，容量由2n²决定02EK≫EL内层电子结合能高且与核电荷正相关，越靠近原子核结合能越大，如K层电子结合能远高于L层元素特征性01元素指纹每种元素的内层电子结合能具有唯一性，如同"指纹"，通过测量结合能可准确识别元素种类02化学位移外层价电子能级分布反映化学键合状态，不同化学环境会导致结合能发生微小的"化学位移"CHAPTER02特征信号的产生机制从外部激发到信号发射：四种核心分析信号的物理过程SurfaceAnalysis四种核心特征信号概览利用不同入射波激发核外电子使之发生跃迁，可产生特征X射线、俄歇电子、光电子和特征能量损失电子四种核心信号，它们分别构成了XRF、AES、XPS/UPS和EELS等现代表面分析技术的物理基础。光子激发特征X射线内层电子缺失后外层电子跃迁填充空位，多余能量以X射线光子形式辐射，能量等于两能级差。XRF光子激发光电子入射光子能量大于电子结合能时，电子吸收光子能量脱离原子核束缚逸出，动能由爱因斯坦方程确定。XPS/UPS电子激发俄歇电子内层空位退激时多余能量不以X射线形式释放，而是传递给另一个外层电子使其逸出，属无辐射跃迁过程。AES电子激发特征能量损失电子入射电子将部分能量传递给核外电子使其跃迁至费米能级以上空能级，能量损失值由原子种类决定。EELSRadiationTransition特征X射线的产生与辐射跃迁特征X射线是原子内层电子空位被外层电子填充时以光子形式释放多余能量的辐射跃迁过程，其光子能量精确等于两能级之差，具有元素特征性，是XRF分析技术的物理基础。01空位形成：高能光子或电子击出原子内层电子（如K层）形成空位，较高能级电子（如L层）自发向低能级跃迁填充空位02光子辐射：跃迁过程中多余能量以X射线光子形式辐射，光子能量E=hν=Ehigh−Elow，精确等于两能级之差03元素识别：不同元素的原子能级差不同，辐射的特征X射线能量具有唯一性，通过测量能量可识别元素种类04产额规律：特征X射线产额随原子序数增大而增大，轻元素（Z<11）产额很低，俄歇效应占主导X射线荧光光谱仪·实验室真实设备AUGERELECTRONEMISSION俄歇电子的三步产生机制俄歇电子产生于内层空位的无辐射退激发过程：外层电子填充空位释放的能量传递给另一个外层电子使其逸出，动能由三个能级共同决定。01EXCITATION内层电离外部激发源（电子束或X射线）将原子内层电子击出形成空位，如K层电子被电离产生K层空穴K层空穴02TRANSITION电子跃迁较高能级电子（如L₁层）跃迁至内层空位，释放能量通过库仑作用传递给第三个电子ΔE=EK−EL₁03EMISSION电子逸出接收能量的外层电子（如L₂,₃层）克服结合能后逸出原子，即为俄歇电子，属无辐射跃迁无辐射跃迁04KINETICENERGY动能特征动能由三个能级唯一确定，与激发源能量无关，具有元素特征性，可用于成分分析EKLL=EK−EL₁−EL₂,₃−φPHOTOELECTRICEFFECT光电效应与光电子的产生光电效应是光电子能谱的物理基石：当入射光子能量hν大于电子结合能EB时，电子吸收光子能量后脱离原子成为光电子，其动能与结合能满足爱因斯坦方程Ek=hν-EB-φ，通过测量动能即可反算结合能。全能量转移入射光子能量hν必须大于电子结合能EB才能发生光电效应，光子能量被电子完全吸收hν>EB爱因斯坦方程PES核心公式：已知hν、测得Ek、扣除功函数φ，即可精确求得电子结合能EBEk=hν-EB-φ光电截面发生概率随光子能量与结合能比值变化，当hν略大于EB时光电截面最大，信号最强hν≈EB表面敏感性固体样品中光电子只能从纳米级深度逃逸，PES本质上是一种表面敏感的分析技术纳米级ElectronEnergyLoss特征能量损失电子与EELS技术入射电子与核外电子非弹性散射后损失特定能量，能量损失值由原子种类和化学环境共同决定，构成电子能量损失谱(EELS)的分析基础，常与TEM联用实现纳米级空间分辨的元素分析。01入射电子将部分能量传递给核外电子，使其从初始能级跃迁至费米能级以上的空能级，入射电子因此损失特定能量非弹性散射02能量损失值由跃迁始态与终态共同决定，具有原子种类特征性，是元素定性与定量分析的核心依据特征能量03化学环境影响终态空能级分布，导致同一元素在不同化合物中的能量损失谱存在细微差异，可用于化学态分析化学态04EELS通常与透射电子显微镜(TEM)联用，空间分辨率可达亚纳米级，适合纳米材料和界面结构的精细分析亚纳米级CHAPTER03光电子能谱原理与技术从XPS到UPS：光电子能谱的分类、仪器与谱图解析SpectroscopyClassification光电子能谱的三大分类光电子能谱按激发光源能量分为XPS（软X射线，探测内层电子）、UPS（紫外光，探测价带）和EUPS（极紫外，介于两者之间）三大类，各自在元素分析和电子结构研究中扮演不可替代的角色。X射线光电子能谱XPS激发源为AlKα(1486.6eV)或MgKα(1253.6eV)软X射线，主要探测内层电子结合能，广泛用于元素定性鉴定、化学态分析和表面成分定量，探测深度约1-10nm。表面敏感·元素分析首选1486.6eV紫外光电子能谱UPS激发源为HeI(21.2eV)或HeII(40.8eV)紫外光，仅能激发价带电子和分子轨道电子，用于研究价带能级结构、分子轨道成键特性和功函数测量，1962年首次开发。价带精细·电子结构解析21.2eV极紫外光电子能谱EUPS激发能量介于XPS和UPS之间，兼顾XPS的化学信息和UPS的能量分辨率优势，射出电子速度更快，光谱信号质量更优，适用于价带结构的精细评估与界面电子态研究。优势互补·高分辨价带探测~100eVPRINCIPLEXPS物理原理与爱因斯坦方程XPS通过单色X射线激发样品内层电子产生光电子，利用爱因斯坦方程EB=hν−Ek−φ从测量的动能反算结合能，结合能的元素特征性使得XPS能够准确鉴定表面元素组成和化学状态。01·光子激发单色X射线（如AlKα,1486.6eV）照射样品，内层电子吸收光子能量后脱离原子核束缚逸出成为光电子。AlKα·1486.6eV02·动能测量电子能量分析器收集逸出的光电子并测量其动能Ek，通过EB=hν−Ek−φ精确反算电子结合能EB。EB=hν−Ek−φ03·元素定性每种元素各壳层电子结合能具有唯一性，扫描结合能范围记录光电子强度即可获得XPS全谱，实现元素定性鉴定。FullSpectrum04·表面灵敏光电子平均自由程仅1–10nm，更深层光电子因非弹性散射损失能量无法贡献有效信号，故XPS本质为表面分析技术。1–10nm核心硬件架构XPS仪器的核心组成系统XPS谱仪由X射线源、超高真空系统、半球形电子能量分析器和探测器四大核心系统构成，超高真空环境是保证光电子信号质量和表面分析灵敏度的关键前提。激发与真空系统01X射线源常用双阳极Al/Mg靶或单色化X射线枪，AlKα线能量1486.6eV、MgKα线1253.6eV，提供单色激发光02超高真空系统维持<10⁻⁹Torr工作真空度，减少光电子与残余气体碰撞散射，同时保持样品表面清洁无污染分析与探测系统01半球形分析器(CHA)通过内外半球间扫描电压筛选特定动能电子，能量分辨率可达0.1eV以下02电子倍增器或位置灵敏探测器将通过分析器的电子信号转化为计数，记录为强度-结合能谱图XPSANALYSISXPS谱图解读：全谱与高分辨窄谱XPS分析采用全谱扫描定性识别元素种类、高分辨窄谱揭示化学状态的两步策略，化学位移是判断元素氧化态和化学环境的关键依据。全谱扫描在0–1200eV范围快速获取所有元素概览，通过特征峰位（如C1s≈285eV、O1s≈531eV）对照标准表定性识别元素。0–1200eV高分辨窄谱以0.05–0.1eV步长精细扫描目标元素峰位，分辨率足以分辨化学位移（0.1–10eV），推断氧化态与配位环境。0.05eV步长分峰拟合将重叠峰分解为多个化学态组分峰，如C1s可分出C–C（284.8eV）、C–O（286.3eV）、C=O（287.8eV）等。C1s分峰荷电校正以C1s（284.8eV）或Au4f₇/₂（84.0eV）作为内标，消除绝缘样品表面积荷导致的结合能整体偏移。284.8eVChemicalShift化学位移：XPS识别化学状态的核心依据化学位移源于成键导致的价电子密度变化：电负性配体吸走价电子使有效核电荷增大、结合能升高，反之则降低。正向位移原理与电负性更强元素成键时价电子密度降低，内层电子有效核电荷增大，结合能升高+ΔeV铝氧化对照金属Al2p约72.5eV，氧化铝Al₂O₃中Al2p升至约74.5eV，偏移反映氧化状态≈2eV铁三态分辨Fe⁰(706.7)、Fe²⁺(709.5)、Fe³⁺(711.0eV)清晰区分，位移量与氧化程度正相关3态有机碳序列C-C(284.8)、C-O(286.3)、C=O(287.8)、O-C=O(289.0eV)逐级升高4级Spectroscopy·ValenceBand紫外光电子能谱(UPS)原理与应用UPS使用低能量紫外光源(HeI21.2eV/HeII40.8eV)激发价带电子，以远高于XPS的能量分辨率精细探测价带结构和分子轨道特性，是研究电子结构和功函数的不可替代工具。EXCITATIONSOURCE氦气放电灯紫外光源激发源为HeI（21.2eV）或HeII（40.8eV）紫外光，光子能量低，仅能激发价带和分子轨道电子。ENERGYRESOLUTION优于XPS一个量级分辨率达0.01–0.1eV，能分辨振动与转动能级精细结构，适合分子轨道成键特性研究。WORKFUNCTION功函数精确测量通过二次电子截止边和价带onset精确测定功函数与价带顶位置，是有机半导体表征标准方法。HISTORY从气相分子到团簇体系1962年Turner首次开发用于气相分子研究，后Smalley引入紫外激光器拓展至分子团簇体系。REFERENCEDATAXPS常见元素特征结合能参考每种元素的光电子峰具有固定的特征结合能值，这是XPS元素定性鉴定的直接依据；同一元素不同化学态间的结合能偏移（化学位移）则提供了氧化态和键合信息。常见元素XPS特征结合能（标准参考值）元素光电子峰结合能(eV)典型化学位移示例C1s284.8C-C(284.8)→C-O(286.3)→C=O(287.8)→O-C=O(289.0)O1s531.0金属氧化物(530)→氢氧化物(531.5)→吸附水(533)N1s399.0胺(399)→酰胺(400)→硝酸盐(407)Si2p99.3单质Si(99.3)→SiO₂(103.5)，偏移约4.2eVAl2p72.5金属Al(72.5)→Al₂O₃(74.5)，偏移约2.0eVFe2p₃/₂706.7Fe⁰(706.7)→Fe²⁺(709.5)→Fe³⁺(711.0)特征结合能值是XPS定性分析的基础，化学位移反映了元素在不同化学环境中的电子结构变化QUANTITATIVEANALYSISXPS定量分析方法与局限性XPS定量基于峰面积与灵敏度因子的比值计算原子百分比浓度，属于半定量分析（误差10-20%），无法检测H和He，但在表面成分分析中仍是不可或缺的工具。定量计算公式Cx=(Ix/Sx)/Σ(Ii/Si)：峰面积除以灵敏度因子后归一化，得到原子百分比浓度。该公式是XPS定量的核心基础，通过归一化处理消除仪器和实验条件差异。归一化处理灵敏度因子S综合光电截面、电子平均自由程和仪器传输函数，由厂商提供标准参考值。不同元素的灵敏度因子差异可达数个数量级，直接影响定量准确性。光电截面·平均自由程半定量误差来源误差约10-20%，源于样品表面不均匀性、基体效应、择优取向和角分布效应。表面粗糙度、污染层厚度及荷电效应也会引入额外系统误差。误差范围10–20%元素检测限制无法检测H和He：H1s结合能仅13.6eV且截面极小，He满壳层极稳定。轻元素检测需借助其他谱学手段如EELS或TOF-SIMS补充。不可检测：H·HeDEPTHPROFILINGXPS深度剖析与薄膜分析技术XPS深度剖析通过Ar⁺离子溅射与XPS测量交替进行，逐层剥离样品表面获取元素浓度的纵深分布，是薄膜和界面分析的核心手段，但需注意溅射带来的择优溅射和还原等假象。工作原理Ar⁺离子束逐层溅射样品表面（每次数纳米），随后对新暴露面进行XPS测量，循环获取深度方向成分分布逐层溅射典型应用薄膜多层结构成分分析、金属表面氧化层厚度测定、半导体器件界面扩散研究和镀层附着力失效分析四大领域速率校准溅射速率需通过标准样品校准，将溅射时间换算为实际深度SiO₂/Ta₂O₅局限性择优溅射导致表面成分失真、高能离子可能诱导氧化物还原、溅射坑边缘粗糙化影响精度TiO₂→TiOₓCHAPTER04俄歇电子能谱原理与应用从俄歇效应到微区表面分析：AES的技术特点与实际应用AUGERELECTRONSPECTROSCOPYAES工作原理与信号特征AES以聚焦高能电子束激发样品产生俄歇电子，其动能由三个能级唯一确定且与激发源能量无关，对轻元素灵敏度高，但H和He无法检测。EXCITATION电子束激发与电离聚焦高能电子束轰击样品表面，使内层电子电离；退激发过程产生俄歇电子，其动能由三个能级唯一确定。3–10keVKINETICENERGY能量独立性动能Eₐ₁₁=Eₐ−EL₁−EL₂,₃−φ，与激发源能量无关，改变电子束能量仅影响峰强度而非峰位。ΔE=0SENSITIVITY轻元素高灵敏度轻元素的俄歇电子产额远高于特征X射线产额，因此AES对C、N、O等轻元素具有极高的检测灵敏度。Z<11LIMITATIONH/He不可检测原子最少需含三个以上电子才能发生俄歇过程（涉及初态空位、填充电子和被激发电子），故H和He无法用AES检测。≥3e⁻InstrumentArchitectureAES仪器结构与扫描俄歇微探针现代AES以场发射电子枪为核心，束斑可聚焦至10nm以下，配合半球形分析器和二次电子探测器，在超高真空环境中实现纳米级空间分辨率的表面成分分析，空间分辨率远优于XPS。激发与分析系统场发射电子枪产生高亮度聚焦电子束，束斑可达10nm以下，是AES实现高空间分辨率的关键部件半球形分析器(CHA)或筒镜分析器(CMA)按动能筛选俄歇电子，CHA分辨率更优，CMA采集效率更高扫描俄歇电子能谱仪实验室设备辅助系统二次电子探测器获取样品表面形貌像（类似SEM），帮助精确定位微区分析位置Ar⁺离子溅射枪配合逐层剥离实现深度剖析，超高真空系统维持<10⁻⁹Torr保护环境清洁超高真空系统与真空泵组SpectrumAnalysisAES谱图解读与微分谱技术传统AES采用微分谱dN(E)/dE形式呈现以消除强二次电子背底、突出俄歇峰信号，现代技术也越来越多地使用直接谱结合数学背底扣除法，微分谱中负峰最低点对应俄歇电子动能。01微分处理消除背底直接谱N(E)中俄歇峰叠加在强二次电子背底上难以辨识，微分处理dN(E)/dE可消除缓变背底、显著提高信噪比，使微弱俄歇信号从背景噪声中清晰显现。02负峰定位与定性鉴定微分谱中俄歇峰呈负峰形态（向下），峰位定义为负峰最低点对应的动能值，用于元素定性鉴定，是AES分析的核心判据。03现代脉冲计数与背底扣除现代仪器多采用脉冲计数模式采集直接谱，再通过Shirley或Tougaard等数学方法扣除背底后定量分析，兼顾灵敏度与定量精度。04标准谱库比对识别对照标准俄歇手册（如JEOL或PhysicalElectronics出版的标准谱库）比对峰位和峰形，识别样品中各元素，确保定性结果准确可靠。MicroanalysisAES微区分析与元素分布成像AES凭借聚焦电子束可达10nm以下的束斑尺寸，实现了远优于XPS的空间分辨率，支持点分析、线扫描和面扫描三种微区分析模式，在半导体失效分析和材料微区成分研究中具有不可替代的地位。纳米级空间分辨率场发射电子束可聚焦至10nm以下束斑，空间分辨率比XPS（几十至几百微米）高出数个数量级，实现纳米级微区分析。<10nm点分析模式电子束固定于感兴趣微区（如夹杂物、缺陷、晶界）获取该点元素组成，适合微量相鉴定。PointAnalysis线扫描模式电子束沿设定路径逐点测量，绘制元素浓度的一维空间分布曲线，适合界面扩散和成分梯度分析。LineScan面扫描·SAM成像电子束在区域逐像素扫描记录特定俄歇峰强度，生成元素二维分布图，直观展示成分空间不均匀性。SAMMappingQUANTITATIVEANALYSIS&DEPTHPROFILINGAES定量分析与深度剖析技术AES定量基于峰强度与灵敏度因子比值的归一化计算（误差20-30%），结合Ar⁺离子溅射实现纳米级微区的深度剖析，在半导体多层膜和界面分析中具有独特优势。PRINCIPLE定量原理微分谱中取峰-峰值作为俄歇峰强度，除以相对灵敏度因子(RSF)后归一化，得到原子百分比浓度RSF归一化ACCURACY定量误差误差约20-30%，高于XPS（10-20%），主要源于基体效应、背散射校正复杂性和表面粗糙度影响20–30%DEPTHPROFILE深度剖析Ar⁺溅射与AES测量交替进行，可在特定微区（μm甚至nm尺度）获取元素纵深分布，空间选择性远优于XPSAr⁺溅射APPLICATION典型应用半导体器件金属化层间扩散研究、薄膜涂层界面反应分析、腐蚀/氧化层纵深成分表征半导体·薄膜LIMITATIONSAES分析的注意事项与局限性AES虽具有高空间分辨率优势，但电子束损伤、绝缘样品荷电效应、极高表面敏感性（平均自由程仅0.5-3nm）以及对H/He的不可检测性，是实际应用中必须正视的技术局限。01电子束损伤：高能电子束可导致有机样品分解、某些氧化物（如TiO₂、SiO₂）还原和表面晶体结构非晶化TiO₂·SiO₂02荷电效应：绝缘样品在电子束轰击下积累负电荷，导致谱峰偏移和展宽，需用低能电子中和枪或薄导电膜处理谱峰偏移03极高表面敏感性：俄歇电子能量50-2000eV，平均自由程仅0.5-3nm，对表面污染极度敏感，要求新鲜制备和超高真空0.5–3nm04检测局限与定量精度：无法检测H和He（需≥3个电子），定量精度±20-30%不如XPS的±10-20%，轻元素基体校正复杂±20–30%CHAPTER05能谱技术对比与综合应用XPS与AES的优势互补及在材料科学中的典型应用案例SurfaceAnalysis·TechniqueComparisonXPS与AES关键技术参数对比XPS与AES各有所长：XPS在化学态分析和定量精度上占优，AES在空间分辨率上领先四个数量级，两种技术在表面分析领域形成互补关系。对比维度XPS（光电子能谱）AES（俄歇电子能谱）激发源X射线（AlKα1486.6eV/MgKα1253.6eV）聚焦电子束（3-10keV）分析信号光电子（内层电子被光子直接激发逸出）俄歇电子（内层空位无辐射退激发产生）空间分辨率常规数十至数百μm，微聚焦可达~10μm场发射电子束可达<10nm，领先4个数量级能量分辨率高分辨模式可达0.05-0.1eV通常0.3-1.0eV（CMA）或更优（CHA）化学态分析强项：化学位移清晰、数据库完善、分峰拟合成熟可观测化学态差异但解析不如XPS直观方便定量精度误差约10-20%，半定量误差约20-30%，基体校正更复杂探测深度1-10nm（取决于光电子动能和出射角）0.5-3nm（俄歇电子平均自由程更短）XPS适合化学态精确分析，AES适合纳米级微区成分分析，两者互补使用可获得最全面的表面信息ApplicationsXPS在材料科学中的典型应用XPS凭借精确的化学态分析能力，在催化剂表面活性位点鉴定、高分子表面改性效果评估和半导体界面化学组成研究等领域发挥着不可替代的关键作用。催化剂纳米颗粒·电子显微镜成像半导体晶圆·硅片生产线实景CATALYSIS催化剂表面分析01通过Co2p、Fe2p等过渡金属谱区分不同氧化态（Co⁰/Co²⁺/Co³⁺），鉴定催化剂活性位点类型和价态分布02结合Ar⁺溅射深度剖析获取催化剂从表面到体相的化学态梯度变化，揭示活性组分的真实存在形式POLYMER&SEMICONDUCTOR高分子与半导体应用01等离子体/化学改性后高分子表面C1s分峰拟合，定量分析C-O、C=O、-COOH等官能团比例变化02角分辨XPS(ARXPS)无损获取半导体高k栅介质/硅界面的化学组成纵深分布，分析界面层厚度和氧化态ApplicationsAES在材料科学中的典型应用AES凭借纳米级空间分辨率在半导体失效分析、金属夹杂物/晶界偏析鉴定和薄膜微区深度剖析等领域具有独特优势，能解决XPS因空间分辨率不足而无法应对的微区分析问题。FailureAnalysis半导体失效分析在亚微米尺度定位芯片缺陷（短路/开路），鉴定金属迁移、颗粒污染或氧化层缺陷的化学成分亚微米定位Inclusions金属夹杂物鉴定精确分析钢中μm级非金属夹杂物（Al₂O₃、MnS等）的化学成分，揭示夹杂物形成机理μm级精度Segregation晶界偏析研究通过线扫描/面扫描揭示P、S等微量元素在晶界的富集程度和分布特征，关联脆性断裂机理线/面扫描DepthProfiling薄膜微区深度剖析在通孔、接触孔等微区位置进行Ar⁺溅射+AES循环，获取纳米级纵向多层膜成分分布纳米级纵向半导体芯片失效分析实验室·显微镜检测场景COMPETITIONMECHANISM俄歇效应与特征X射线的竞争关系俄歇效应与特征X射线辐射是内层空位退激发的两种竞争过程，