CN119400692A 屏蔽栅极沟槽式mosfet及其源极多晶硅制作方法 （新唐科技股份有限公司）

屏蔽栅极沟槽式MOSFET及其源极多晶硅制本发明关于一种屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其源极多晶硅制作方2进行一第一湿刻蚀工艺，将所述氧化层的高度降低，并保留所述漏极进行一第二湿刻蚀工艺，以去除所述漏极基底上的所述氧化层，并2.根据权利要求1所述的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管的源极多晶3.根据权利要求1所述的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管的源极多晶化层包括一阶梯结构。其中，在所述栅极多晶硅降低两侧的所述氧化层包括两段湿刻蚀所构成的一阶梯结5.根据权利要求4所述的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在6.根据权利要求5所述的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在7.根据权利要求5所述的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在8.根据权利要求4所述的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在3进行一第一湿刻蚀工艺，将所述氧化层降低，并保留所述漏极基底进行一第二湿刻蚀工艺，以去除所述漏极基底上的所述氧化层，并4导体场效应晶体管(MOSFET)的源极多晶硅制作方法以及其所制作的屏蔽栅极沟槽式金属[0002]功率金属氧化物半导体场效应晶体管(PowerMetalOxideSemiconductor非常大，因此输入端的功率散逸相当小。再者，与功率双载子晶体管(PowerBipolar[0003]屏蔽栅极沟槽式(SGT)工艺的金属氧化物半导体场效应晶体管和普通沟槽工艺的[0004]实际的SGT工艺常常发生缺陷导致组件毁损，造成金属氧化物半导体在工艺上的[0005]本申请提供一种屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管的源极多晶硅[0006]本申请的实施例提供了一种屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管的5[0007]依照本申请较佳实施例所述的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管[0008]本申请的实施例另外提供了一种屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体[0009]依照本申请较佳实施例所述的屏蔽栅极沟槽式金属氧化[0010]依照本申请较佳实施例所述的屏蔽栅极沟槽式金属氧化[0013]提供的附图用以使本申请所属技术领域具有通常知识者[0014]图1绘示为本申请一实施例的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管[0015]图2A绘示为本申请一较佳实施例的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(SGTMOSFET)的源极多晶硅制作方法的步骤[0016]图2B绘示为本申请一较佳实施例的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶6体管(SGTMOSFET)的源极多晶硅制作方法的步骤[0017]图2C绘示为本申请一较佳实施例的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(SGTMOSFET)的源极多晶硅制作方法的步骤[0018]图2D绘示为本申请一较佳实施例的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(SGTMOSFET)的源极多晶硅制作方法的步骤[0019]图2E绘示为本申请一较佳实施例的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(SGTMOSFET)的源极多晶硅制作方法的步骤[0020]图2F绘示为本申请一较佳实施例的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(SGTMOSFET)的源极多晶硅制作方法的步骤[0021]图3绘示为本申请一实施例的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管[0022]图4A绘示为本申请一较佳实施例的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(SGTMOSFET)的源极多晶硅制作方法的步骤[0023]图4B绘示为本申请一较佳实施例的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(SGTMOSFET)的源极多晶硅制作方法的步骤[0024]图4C绘示为本申请一较佳实施例的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(SGTMOSFET)的源极多晶硅制作方法的步骤[0025]图4D绘示为本申请一较佳实施例的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(SGTMOSFET)的源极多晶硅制作方法的步骤[0026]图4E绘示为本申请一较佳实施例的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(SGTMOSFET)的源极多晶硅制作方法的步骤[0027]图4F绘示为本申请一较佳实施例的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(SGTMOSFET)的源极多晶硅制作方法的步骤[0028]图4G绘示为本申请一较佳实施例的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(SGTMOSFET)的源极多晶硅制作方法的步骤[0029]图4H绘示为本申请一较佳实施例的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(SGTMOSFET)的源极多晶硅制作方法的步骤[0030]图4I绘示为本申请一较佳实施例的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(SGTMOSFET)的源极多晶硅制作方法的步骤[0031]图5绘示为本申请一较佳实施例的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体[0033]图1绘示为本申请一实施例的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管7式金属氧化物半导体场效应晶体管的源极多晶硅制作体场效应晶体管的栅极制作方法。图3绘示为本申请一较佳实施例的屏蔽栅极沟槽式金属上述屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管的源极多晶硅制作方法包括下列步会将表面的第一多晶硅303a去除并降低沟槽301内的第一多晶硅303a，步骤S305造成沟槽301内的第一多晶硅303a降低的程度不如[0048]所属技术领域具有通常知识者可以看到，由于沟槽301内的第一多晶硅303a在步对露出的第一多晶硅303a进行刻蚀，并且避免边缘效应造成的尖角(polysilicon8留氧化层302的原因在于，进行后续步骤S307的第二干刻蚀工艺时，便不需要利用屏蔽(Mask)，借由残余的氧化层302可以保护漏极基底的外延层不受到伤害。另外由于屏蔽申请生产出来的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管的切面图会对应上述图[0055]图5绘示为本申请一较佳实施例的屏蔽栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体沟槽301两侧具有P本体掺杂区501。P本体掺杂区501内包括紧邻沟槽301两侧的N+掺杂区以看出，埋在沟槽301内的源极多晶硅303b借由分两段的湿刻蚀和分两段的干刻蚀的工艺本的工艺。