CN119400706A 一种封装载板表面导电化处理方法 （深圳市赛姆烯金科技有限公司）

道北环路新桥综合大楼鸿安商业中心于30~60℃的温度条件下进行除油及电荷调整处~40℃的温度条件下进行五级逆流DI水洗处理；将水洗处理后的封装载板置于20~40℃的温度条件下，利用零维材料处理剂进行导电化沉积处化沉积处理后的封装载板置于80~100℃的温度艺流程的改进和优化，提升了品质和降低了成2将封装载板置于30~60℃的温度条件下进行除油及电荷将除油及电荷调整处理后的封装载板置于10~40℃的温度条件下进行五级逆流DI水洗将水洗处理后的封装载板置于20~40℃的温度条件下，利用零维材料处理剂进行导电将导电化沉积处理后的封装载板置于80~100℃的温度条件下进行通过等离子或者超声波去除封装载板表面上不需要电路图形的多对去除多余导电层的封装载板进行五级逆流DI水洗处理以及4.根据权利要求1所述的封装载板表面导电化处理方法，其特征在于，所述稳定剂为积处理后的封装载板置于80~100℃的温度条件下进行烘干处理中，风刀压力为300~对去除多余导电层的封装载板置于10~40℃的温度条件下进行五级逆流DI水洗处理，3多的副产物生成，且垂直沉铜方式的流程时长为60_90min，水平沉铜的流程时长为30_将封装载板置于30~60℃的温度条件下进行除油及电荷将除油及电荷调整处理后的封装载板置于10~40℃的温度条件下进行五级逆流DI将水洗处理后的封装载板置于20~40℃的温度条件下，利用零维材料处理剂进行将导电化沉积处理后的封装载板置于80~100℃的温度条件下进行通过等离子或者超声波去除封装载板表面上不需要电路图形的多4对去除多余导电层的封装载板进行五级逆流DI水洗处理以及对去除多余导电层的封装载板置于10~40℃的温度条件下进行五级逆流DI水洗处控溅射铜或化学铜工艺，通过零维导电材料的导电特性使得选择性电镀变得更加容易实路电镀铜的化学方法的方式就能有效去除多余的0维导电材料导电层，从而进一步简化了[0017]本申请实施例提供了一种封装载板表面导电化处理方法，其在NPL制程中替代的5等离子及超声波技术对原来沉积的0维导电材料导电层进行去除处理，让原来的线路和线将封装载板置于30~60℃的温度条件下进行除油及电荷将除油及电荷调整处理后的封装载板置于10~40℃的温度条件下进行五级逆流DI将水洗处理后的封装载板置于20~40℃的温度条件下，利用零维材料处理剂进行将导电化沉积处理后的封装载板置于80~100℃的温度条件下进行通过等离子或者超声波去除封装载板表面上不需要电路图形的多对去除多余导电层的封装载板进行五级逆流DI水洗处理以及调整剂可以为购自赛姆烯金的TGM_NPL_001型号[0021]其中，将除油及电荷调整处理后的封装载板置于10~40℃的温度条件下进行五级进行导电化沉积处理，水刀压力为5~30Kg，线速为2~4M/min（工件的作业时间大概在6_8min该工序是最关键的0维导电材料沉积形成导电层的核心工序，替代了传统工艺中的6[0025]其中，将导电化沉积处理后的封装载板置于80~100℃的温度条件下进行烘干处对去除多余导电层的封装载板置于10~40℃的温度条件下进行五级逆流DI水洗处对封装载板置于80~100℃的温度条件下进行烘干处理，风刀压力为300~1000pa，[0028]以下以具体实施例对本申请有机封装基板非金属表面导电化处理方法进行详细7[0036]工序4：将导电化沉积处理后的封装载板置于80℃的温度条件下进行一次烘干处[0037]工序5：利用等离子体去除上述处理得到的封装载板表面上不需要图形的多余导[0044]工序4：将导电化沉积处理后的封装载板置于90℃的温度条件下进行一次烘干处[0045]工序5：利用等离子体去除上述处理得到的封装载板表面上不需要图形的多余导8[0053]工序4：将导电化沉积处理后的封装载板置于95℃的温度条件下进行一次烘干处[0054]工序5：利用等离子体去除上述处理得到的封装载板表面上不需要图形的多余导[0061]工序4：将导电化沉积处理后的封装载板置于96℃的温度条件下进行一次烘干处[0062]工序5：利用超声波去除上述处理得到的封装载板表面上不需要图形的多余导电9[0070]工序5：利用超声波去除上述处理得到的封装载板表面上不需要图形的多余导电