CN119400742A 一种快速热处理机台的温度确定方法 （粤芯半导体技术股份有限公司）

本申请提供了一种快速热处理机台的温度热处理机台的机台温度与氮化硅层的蚀刻速率照预设热处理条件对初始检测衬底进行快速热测衬底的第二检测厚度值；依据第一检测厚度2获取通过在硅衬底上生成氮化硅层而得到的初确定用于描述快速热处理机台的机台温度与所述氮化硅层的蚀刻速率之间的关系表将所述初始检测衬底运送至显示温度为预设机台温度的待测对所述第一检测衬底进行预设时间段的氢氟酸蚀刻，并测量蚀刻依据所述第一检测厚度值、所述第二检测厚度值和所述预设依据所述实际蚀刻速率和所述关系表达式，确定出所述实际蚀通过进行多次标定处理来得到每次标定处理对应的机台温度和蚀刻速该次标定处理对应的机台温度下进行所述快速热处理和所述氢氟酸蚀刻来得到该次标定针对预设硅衬底执行如下标定处理：通过在所述预设硅衬底上将所述初始处理衬底运送至显示温度为本次标定处理对应的机台温度的标准快速热标准快速热处理机台所显示的机台温度与实际温度的差值符合执行镍硅化物生成过程的对所述第一标定衬底进行预设时间段的氢氟酸蚀刻，并测量蚀刻依据所述第一标定厚度值、所述第二标定厚度值和所述预设时对所述第二标定衬底上的剩余氮化硅层进行氢氟酸蚀刻而得到预设6.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于快速热处理机台的机台温度与执行所述氢氟酸蚀刻得到的蚀刻速率之间存在转3其中，所述预设热处理条件包括退火时间和快速热处理机台的第一通入气体及流量，将所述实际机台温度与所述预设机台温度的差值作为所述待测快速热处理机台的补其中，所述预设生成条件用于生成氮化硅层并限制所述所述预设生成条件包括温度参数、压力参数、炉管的多个第二通入硅烷。计算所述第一检测厚度值与所述第二检测厚度值的第一通过以下方式确定出每次标定处理对应的所述机台温度计算所述第一标定厚度值和所述第二标定厚度值的第二述预设时间段的比值作为每次标定处理对应的所述机台温度4晶圆上生成的晶体管的接触孔Contact与栅极Gate上的多晶硅Poly间的接触电阻。镍硅化按照关系表达式确定出蚀刻速率对应的机台温度，以此得到快速热处理机台的机台温度，解决了现有技术中快速热处理机台在使用时间逐步增加可能会导致显示温度与实际温度温度的待测快速热处理机台，按照预设热处理条件对所述初始检测衬底进行快速热处理，5与所述氮化硅层产生反应以提高所述机台温度与所述蚀刻速率之间存在转换关系的可能所述待测快速热处理机台的补偿温度，以对所述待测快速热处理机台的显示温度进行补[0013]可选地，通过以下方式确定出针对所述初始检测衬底的氮化硅层的实际蚀刻速6[0018]图2示出了本申请实施例所提供的一种快速热处理机台的温度确定方法的流程[0019]图3示出了本申请实施例所提供的用于描述机台温度和蚀刻速率的关系表达式所此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因7[0024]请参阅图1，图1为本申请实施例所提供的薄层电阻与温度的关系曲线的示意度的镍的硅衬底运送至通过预先标定的温度准确的快速热处理机台并且设置快速热处理机台的温度，在机台内执行预设处理时间的快速热处理后将硅衬底取出并检测薄层电阻，热处理条件进行快速热处理，再将执行快速热处理所得到的第一检测衬底进行氢氟酸蚀现有技术中快速热处理机台在使用时间逐步增加可能会导致显示温度与实际温度不相同8工艺所生成的氮化硅层的厚度至少大于在预设时间段内进行氢氟酸蚀刻所消耗的氮化硅层的厚度，以防止在预设时间段内未能充分进行氢氟酸蚀刻而影响蚀刻速率计算的准确通过现有技术中的薄层电阻与温度的关系曲线进行温度标定后的快速热应的机台温度，以此将覆盖氮化硅层的预设硅衬底移动至快速热处理机台进行快速热处9照预设热处理条件执行快速热处理并且进行氢氟酸蚀刻的氢氟酸浓度和预设时间段均相准快速热处理机台，并且调节标准快速热处理机台在每次标定处理时对应不同的机台温[0044]示例性的，实际进行镍硅化物生成过程中进行快速热处理的温度范围为290℃至310℃,即，进行每次标定处理均需要将标准快速热处理机台的机台温度控制在290℃至310℃之间。定的快速热处理机台，预设机台温度可以理解为待测快速热处理机台显示出的机台温度。的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡