CN119400771A 半导体装置及半导体装置的制造方法 （富士电机株式会社）

201710463571.22017.06.19能减小外部连接端子和电路板的接合面上的应力。半导体装置(100)具有U端子(161)，U端子(161)的一端侧的内部接合部(161a)与电路板连和内部接合部(161a)之间设有对内部接合部置这种缓冲部(161g)，即使半导体装置(100)的整体发生形变，或者半导体装置(100)的局部发生形变导致在内部接合部(161a)与电路板之间的接合面发生应力集中，应力也会被该缓冲部2连接端子，该连接端子的一端侧的多个内部接合部配置于所述电路板的上表面并接第一构件，该第一构件在相对于所述层叠基板的主表面垂第二构件，该第二构件在相对于所述层叠基板的主表面平行第三构件，该第三构件在相对于所述层叠基板的主表面垂直第四构件，该第四构件在相对于所述层叠基板的主表面平行所述壳体的所述内壁延伸的端部经由埋设于所述壳体的所述中间部的所述一部分与所述所述多个缓冲部的所述第一构件、所述第二构件、所述第三构件配将层叠基板以金属板被接合的方式配置于散热板的工序，所述层叠基板具有绝缘板、将所述半导体芯片和所述层叠基板收纳于壳体的工序，所述壳体设3利用接触件的按压部一边进行超声波振动一边将连接端子的多个内部接合部分别垂4[0001]本发明专利申请是申请号为2017104635种半导体装置中，连接有包括IGBT(绝缘栅双极晶体管：InsulatedGateBipolar5[0016]图4是表示实施方式中的半导体装置的连接端子处的应力和热循环预测耐量的图6[0053]壳体110通过注塑成型并使用树脂将控制端子111a、与控制端子111a电连接的控芯片包含有例如IGBT(绝缘栅双极晶体管：InsulatedGateBipolarMOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管：MetalOxideSemiconductorFieldEffect120的主表面垂直向上方向与内部接合部161a的端部相连接的第一构件161b；在相对于层叠基板120的主表面平行方向上与第一构件161b的端部相连接的第二构件161c；在相对于层叠基板120的主表面垂直向下方向与第二构件161c的端部相连接的第三构件161d；以及在相对于层叠基板120的主表面平行方向上与第三构件161d的端部相连接并且埋设于壳体壳体110伸出表面的外部接合部161f。如前所述的U端子161由第一构件161b、第二构件7[0069]半导体装置1000具有除了连接端子以外与半导体装置100一样的构成(半导体装有：在相对于层叠基板120的主表面垂直向上方向与内部接合部261a的端部相连接的第一构件261b；以及在相对于层叠基板120的主表面平行方向上与第一构件261b的端部相连接[0073]作为半导体装置1000的连接端子的另外一个例子的P端子251板120的主表面垂直向上方向与内部接合部的端部相连接的第一构件；在相对于层叠基板[0076]如前所述的半导体装置1000也在收纳部170中填充有凝胶、浇灌树脂等封装材料8性膨胀系数的差值可能会发生弯曲。U端子261的一端侧的内部接合部261a固定于电路板[0080]图4是表示实施方式中的半导体装置的连接端子处的应力和热循环预测耐量的图9散热板119以与金属板123相接合的方式配置有层叠基板120，所述壳体110对半导体芯片基板120的主表面垂直向上方向与内部接合部161a的端部相连接，第二构件161c在与层叠基板120的主表面平行方向上与第一构件161b的端部相连接，第三构件161d在与层叠基板装置100的其余连接端子也具有和U端子161一生形变，或者半导体装置100的局部发生形变导致在内部接合部161a与电路板122a的接合[0093]接着，对半导体装置100的制造方法中连接端子与电路板之间的超声波接合进行[0099]超声波振子320与超声波振动部310相连接，并使从超声波振动部310发出的超声就能使多个连接端子一起边振动边对电路板进[0105]图6(A)表示相对于超声波接合装置300的接触件330的参考例的接触件430进行的触件430可能会与U端子161(图6(A)中虚线的圆所圈出的位置)发生干涉。若接触件430与U图6(B)所示不会与U端子161发生干涉，可以一边对U端子161的内部接合部161a施加振动，