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文档简介

明通过将IED进行分类,评估其通讯参数的稳定仅对其中虚端子配置信息发生变更的IED进行虚题或系统不兼容,提高了IED虚回路验收检测的2根据IED变电站间隔以及IED类型对SCD变更之前的IED进行分类;对于任一类IED中的响应于一类IED包括至少一个满足该IED的第一CRC码不等于第二CRC码的IED,确定该i为该目标IED集中第i个IED在SCD变更前的通讯参数与对于稳定系数小于等于阈值的目标IED集,对该目标IED集中所有IED的虚回路进行检对于稳定系数大于阈值的目标IED集,对该目标IED集中第一CRC码不2.根据权利要求1所述的用于智能变电站验收的测试将各IED对应的第一CRC码以IED命名顺序拼接后通过CRC算法计算得到第将各IED对应的第二CRC码以IED命名顺序拼接后通过CRC算法计算得到第将该IED在SCD变更前的通讯参数转换为二进制得到将该IED在SCD变更后的通讯参数转换为二进制得到对第一二进制数和第二二进制数进行异或运算并得到运算结果,以运4.根据权利要求1所述的用于智能变电站验收的测试方法,其特征将对SCD变更之前的该IED的虚端子配置信息转换为第一字符串;将对SCD变更之后的通过CRC_32算法对所述第一字符串计算以得到该IED的第一CRC码;通过CR所述第二字符串计算以得到该IED的第二C5.根据权利要求4所述的用于智能变电站验收在对SCD变更之前,将该IED的虚端子配置信息以预定的36.根据权利要求4所述的用于智能变电站验收的测在对SCD变更之后,将该IED的虚端子配置信息以预定的站间隔以及IED类型对SCD变更之前的IED进行分类包括:在SCD变更之前,获得各IED的间8.用于智能变电站验收的测试系统,包括处理4入网版本一致性校验。公开号为CN106055684A的中国专利申请文件公开了变电站SCD文件[0004]但是,现有技术通常对SCD文件可视化确定需要SCD配置针对某一电压等级进行CRC校验来减小验收测试范围。现有技术仅对虚端子配置信息发生改变的IED进行检测,但是若SCD变更导致一些IED的通讯参数发生变化但虚端子配置信息[0005]为解决上述SCD变更导致一些IED的通讯参数发生变化但虚端子配置信息未发生[0006]在第一方面中,用于智能变电站验收的测试方法包括:根据IED变电站间隔以及;xi为该目标IED集中第i个IED在SCD变更前的通讯参数与在SCD变更后的通讯参数5[0007]本发明的有益效果为:本发明将IED分类并判断包括了至少一个虚端子配置信息参数波动较大的一类IED的进行虚回路检测,避免了潜在的配置问题或系统不兼容(例如IED虚端子配置正确但通讯协议与其他IED不兼容提高了IED虚回路验收检测的准确性。CRC码以IED命名顺序拼接后通过CRC算法计算得到第一校验码;将各IED对应的第二CRC码以IED命名顺序拼接后通过CRC算法计算得到第二校验码;响应于该类IED对应的第一校验[0009]本发明中当第一校验码不等于第二校验码时,即可确定该类IED中存在至少一个所述第二字符串计算以得到该IED的第二C[0013]本发明通过将IED在SCD变更前后的虚端子配置信息转换为CRC校验码简化了配置6[0020]通过参考附图阅读下文的详细描述,本发明示例性实施方式的上述以及其他目图1是示意性示出根据本发明的实施例的用于智能变电站验收的测试方法的步骤图2是示意性示出根据本发明的实施例的用于智能变电站验收的测试系统的结构明中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,[0023]图1是示意性示出根据本发明的实施例的用于智能变电站验收的测试方法的步骤器通常使用相同的通讯协议和数据格式来交换保护数据;同一电压等级的IED工作在相似7[0030]在一个实施例中,根据任一IED的虚端子配置信息构建的第一CRC码和第二CRC码该IED的虚端子配置信息转换为第二字符串;其中,所述第一字符串和第二字符串均为32算法对所述第二字符串计算以得到该IE。[0034]xi为该目标IED集中第i个IED在SCD变更前的通讯参数与在SCD变更后的通讯参数在SCD变更后的通讯参数之间的汉明距离,以汉明距离表示IED在SCD变更前后的通讯参数[0036]表示为该目标IED集的所有IED对应的汉明距离的平均值,由于汉明距离8[0039]再者,计算一个IED在SCD变更前的通讯参数与在SCD变更后的通讯参数之间的汉SCD变更后的通讯参数转换为二进制得到第二二进制数;对第一二进制数和第二二进制数的通讯参数按照预定的顺序排列后转换为二进第一CRC码和第二CRC码的CRC算法相同,且该CRC算法可以为CRC_32算法、CRC_16算法或对目标IED集这一类IED的通讯参数的影响较大。为了避免潜在的配置问题或系统不兼容,目标IED集这一类IED的通讯参数的影响较小。此时仅检测该类IED中虚端子配置发生变化[0046]图2是示意性示出根据本发明的实施例的用于智能变电站验收的测试系统的结构行时实现根据本发明第一方面所述的用于智能变电站验收9存取存储器SRAM(StaticRandom_AccessMemory)、增强动态随机存取存储器EDRAM用程序、模块或两者访问

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