CN119403195A 利用导电材料沉积在半导体上以产生相变和欧姆接触所形成的半导体器件及其制造方法 （香港科技大学）

利用导电材料沉积在半导体上以产生相变本发明提供了一种在衬底上沉积光子诱导2发射由光源提供的光束，并将其聚焦到保持在所述第一衬所述第一衬底具有暴露于周围气体或空气环境的第钼(MoSe2移动所述光源的所述焦点以使所述机械刚性导电沉积物在所述第一衬底上形成导电沿移动路径将所述光源的所述焦点从所述第一衬底移7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一溶液包括氯化金(III)盐酸盐硝酸银(AgNO3)或其组合。械刚性导电沉积导致在所述第一衬底的所述第一区域的所述半导体的表面局部产生相变，且未改变所述第一衬底的所述第二区域中的所述半导体的至少在形成所述机械刚性导电沉积物之后，将所述第一溶液和所述第一将所述光源提供的所述光束聚焦到保持在所述第一衬底的第三区域上的所述第二试3将所述第一溶液和所述第一悬浮液混合，以在所述机械刚性导电将所述光源提供的所述光束聚焦到保持在所述机械刚性导电沉积物上的所述第二试在形成所述机械刚性导电沉积物之后，在所述第一衬将所述光源提供的所述光束聚焦到保持在所述第一衬底的第三区域上的所述第二试第二衬底，附接于所述第一衬底，其中所述机械刚性导电沉4体结构/器件及其制造方法为一种利用导电材料沉积在半导小于约100微米的导电特征。对于较低分辨率的应用，最常用的方法包括：熔融沉积成型DIW)、立体光刻(stereolithography；SLA)/数字光处理(digitallightprocessing；5[0007]在M_S界面实现欧姆接触的常用方法是在半导体上形成相变，其实现方式包括采[0009]本发明的目的在于提供半导体结构及其方法，以解决现有技术中存在的上述问用于欧姆接触的组合物可以有效率地在低温下就沉积在各种半导体上，并且允许在单层、第一区域上的第一试剂上，以在光源的焦点处形成与第一衬底接触的机械刚性导电沉积[0012]根据本发明的一个方面，提供了一种使用光子诱导导电材料沉积的半导体器区域相邻的第二区域，其中第一衬底包括二硫化钼(MoS2)、二硒化钼(MoSe2)、二碲化钼(MoTe2[0013]在本公开内容中，提供了一种用于制造具有特殊电性能功能图案的导电材料沉6[0021]图3A、图3B、图3C和图3D为根据本发明的一些实施例说明了不同贵金属在不同7[0038]在一个实施例中，第一衬底110包括半导体过渡金属二硫属化物(transition(MoTe2材料是用于在第一衬底110内形成场效应晶体管(FET)通道的二维材料。第一衬底110设置[0039]机械刚性导电沉积物130形成为设置在第一衬底110的第一区域上方的导电图案[0041]此配置可通过使用直接写入激光技术在低转换温度下进8酸(H2PtCl6第一衬底110。光束162聚焦至保持在第一衬底110的第一区域R1上的第一试剂(参见图2B)损伤。相应地，能在不改变第一衬底110的第二区域R2中的半导体的至少一个性质的情况中所示的相变层的局部结构112的尺寸/轮廓/形状是说明性的，其非用以限制本发明的特9金属和空穴清除剂溶剂的共存下，沉积金属下方的第一衬底110的半导体的局部结构可转衬底110上形成为导电图案，其中导电图案的分布面积取决于光源120的焦点的移动区域导电沉积物130，使得机械刚性导电沉积物130的导电图案从第一衬底110延伸到第二衬底积物(例如机械刚性导电沉积物130)；或者可以通材料下方的二硫化钼(MoS2)的晶格有转变为金属相，而二硫化钼(MoS2)的其他区域则仍保FET器件的电学测量图。用于FET器件[0059]如图4A和图4B所示，通过对同一样品上的不同对铂电极施加漏极_源极偏置电压直接证明了金属_半导体界面的欧姆接触，这是因为施加的漏源偏压电压和测量的漏源电了本发明的潜力和进一步应用的可能性。在不同背栅电压下测量了相同漏源电压(Vds)下[0063]图5为根据本发明某些实施例的半导体器件100B的垂直横截面图。半导体器件聚焦到第一衬底110内的部分区域上所保持的试剂上(其与第一区域R1上为相异的)，以形[0065]图6是根据本发明的一些实施例的半导体器件100C的垂直横截面图。半导体器件[0066]图7是根据本发明的一些实施例的半导体器件100D的垂直横截面图。半导体器件积物130C和机械刚性导电沉积物130D具有不同的金属元素。例如，机械刚性导电沉积物[0068]图8是根据本公开的一些实施例的半导体器件100E的垂直横截面图。半导体器件[0069]图9是根据本发明的某些实施例的半导体器件100F的垂直横截面图。半导体器件130E和机械刚性导电沉积物130F具有相物130E上的第二试剂上，能形成与机械刚性导电沉积物130E接触的附加导电沉积物130F。