CN119403257A 背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器 （合肥晶合集成电路股份有限公司）

背照式图像传感器制备方法及背照式图像本公开涉及一种背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器，涉及集成电路技术领括沿背离第一顶面的第一方向依次层叠的隔离叠层之间依次形成层叠的包含不同五价元素的形成覆盖第二半导体层顶面及隔离叠层的裸露2提供包括第一顶面的衬底，所述第一顶面包括沿背离所述第一顶面的第于所述初始半导体层顶面形成沿平行于所述第一顶面的第二方向间隔排布的多个隔所述第一方向依次层叠且包含不同三价元素的至少于相邻所述隔离叠层之间依次形成层叠的包含不同五价元将所述第一半导体层的第一五价元素扩散至所述初始半导体层，得将所述第二半导体层的第二五价元素扩散至所述第一半导体层，得形成覆盖所述第二半导体层顶面及所述隔离叠层的裸露外表面采用第一次激光退火工艺处理所述SiP层，使得所述SiP层中P扩散至所述介质层覆盖所述格栅层的外表面以及所述第二半导体所述多个第一隔离结构位于所述多个隔离叠层的采用选择性外延沉积工艺于所述隔离层的顶面形成3所述初始半导体层的顶面包括沿平行于所述第一顶面的第二方向间隔排布的多个隔所述第一方向依次层叠且包含不同三价元素的至少相邻所述隔离叠层之间包括沿背离所述衬底的方向依次所述第二半导体层的顶面及所述隔离叠层的裸露外表面覆盖4足实际需求，因此，如何提高BSI图像传感器的感光性能成为当前急需解决的技术问题之[0007]于初始半导体层顶面形成沿平行于第一顶面的第二方向间隔排布的多个隔离叠以采用第一次离子扩散处理工艺，将第一半导体层的第一五价元素扩散至初始半导体层，5体层，本公开实施例能够有效地避免离子注入工艺中的高能离子对衬底产生不必要的损火工艺处理SiP层，使得SiP层中P垂直扩散至SiB层中，得到包含P元素的第一目标半导体顶面的第二方向间隔排布的多个隔离叠层，隔离叠层包括沿第一方向依次层叠的中间层、6[0022]本公开实施例中背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器包括如下意想实施例中采用离子扩散处理工艺，使得第一半导体层的第一五价元素扩散至初始半导体二半导体层的感光叠层后，利用介质层覆盖第二半导体层顶面及隔离叠层的裸露外表面，[0026]图2为一实施例中提供的背照式图像传感器制备方法中步骤S10中提供衬底的纵[0027]图3为一实施例中提供的背照式图像传感器制备方法中步骤S20中于衬底上形成[0028]图4为一实施例中提供的背照式图像传感器制备方法中步骤S20中于衬底上形成[0029]图5为一实施例中提供的背照式图像传感器制备方法中步骤S30中于相邻隔离叠7[0030]图6为一实施例中提供的背照式图像传感器制备方法中步骤S40中形成第一目标[0031]图7为一实施例中提供的背照式图像传感器制备方法中步骤S50中形成第二目标[0032]图8为一实施例中提供的背照式图像传感器制备方法中步骤[0033]图9为一实施例中提供的背照式图像传感器制备方法中形成滤光片后，所得半导第一掺杂类型可以为P型且第二掺杂类型可以为N型，或第一掺杂类型可以为N型且第二掺8[0041]这里参考作为本公开的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发[0045]步骤S20：于初始半导体层顶面形成沿平行于第一顶面的第二方向间隔排布的多[0046]步骤S30：于相邻隔离叠层之间依次形成层叠的包含不同五价元素的第一半导体3N49[0055]当然本实施例仅仅表示了其中一种方式，只要能保证金属互联结构合理形成即结构101背离层间介电层103一侧的衬化学机械研磨工艺等中至少一种，去除衬底10位于隔离层11背离第一隔离结构101一侧的工艺可以包括但不限于RIE及ICP等中半导体层32顶面及隔离叠层的裸露外表面的[0073]请继续参考图8，利用介质层50覆盖第二半导体层32顶面及隔离叠层的裸露外表的顶面齐平于Al层的顶面；介质层50覆盖格栅层22的外表面以及第二半导体层32的顶面。衬底10第一顶面10a的第二方向间隔排布的多个隔离叠层，隔离叠层包括沿第一方向依次PN结可以有效地提高隔离墙的隔离效果，避免被隔离墙隔开的感光叠层之间产生信号串导体层12的顶面包括沿平行于衬底10第一顶面10a的第二方向例如ox方向，间隔排布的多的顶面齐平于Al层的顶面；介质层50覆盖格栅层22的外表面以及第二半导体层32的顶面。[0086]请继续参考图9，本公开实施例中背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感隔离墙；由于包含不同三价元素的中间层21与相邻的包含五价元素的第一目标半导体层步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流