CN119403285A 量子点红外探测器及其制作方法 （苏州晶歌半导体有限公司）

在所述量子点层与所述衬底上呈张应变的情况发明通过形成与衬底呈与量子点层与衬底呈现2其中，在所述量子点层与所述衬底上呈压应变的情况下其中，在所述量子点层与所述衬底上呈压应变的情况下在所述衬底和所述第一超晶格层之间层叠的且沿从所述衬底至所述第一超晶格层顺在所述第一超晶格层和所述量子点层之间层叠的且沿从所述第一超晶格层至所述量在所述第二超晶格层的背向所述第二势垒层一侧的且沿远离所述第二超晶格层顺序在所述衬底的背向所述缓冲层一层的第一电极以及在所述接4.根据权利要求1至3任一项所述的量子点红外探测器，其特晶格包括20层AlxGa1-xInP层和20层GayIn1-yP超晶格层，所述AlxGa1-xInP层和所述GayIn1-yP晶格包括20层AlxGa1-xInP层和20层GayIn1-yP超晶格层，所述AlxGa1-xInP层和所述GayIn1-yP3在所述衬底的背向所述缓冲层的一侧制作形成第一电极以及在所述接触层上制作形其中，在所述量子点层与所述衬底上呈压应变的情况下4外延层和GaAs衬底之间出现的应变的量子点红外探测5势垒层一侧的且沿远离所述第二超晶格层顺序层叠的第二波导层、第二限制层以及接触y超晶格包括20层AlxGa1-xInP层和20层GayIn1-yP超晶格层，所述AlxGa1-xInP层和所述GayIn1-P超晶格层交替层叠设置。y[0017]图2是根据本发明的实施例的量子点红外探测器和常规的量子点红外探测器的暗[0018]图3是根据本发明的实施例的量子点红外探测器中一些元件层的禁带宽度示意6示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了关系不大的其他细格层140和第二超晶格层190均与衬底100呈张应变；在量子点层170与衬底100上呈张应变只要是具有在量子点层的面向衬底的一侧和/或背向衬底的一侧设置有超晶格层的量子点侧的超晶格层与衬底之间的应变关系需满足上述的第一超晶格层140和/或第二超晶格层7层120厚度为10_3000nm，生长速率为0.1_1nm/s，其中Al组分x为1%_95%，砷烷流量为1_[0033]第一超晶格层140为AlxGa1_xInP/GaxIn1_xP，也可以采用AlInP/AlGaInP、AlInP/[0035]量子阱层160的材料可以为InxGa1_xAs，也可以采用GaInP、AlInP、InAlAs、AlGaAs。量子阱层160的厚度为1_500埃，生长速率为0.05A_10A/s，其中In组分x占比为[0038]第二超晶格层190为AlxGa1_xInP/GaxIn1_xP，也可以采用AlInP/AlGaInP、AlInP/[0042]以下结合图1对根据本发明的实施例的量子点红外探测器的制作方法进行详细说8×1018cm-3；×1019cm-3。[0057]图2是根据本发明的实施例的量子点红外探测器和常规的量子点红外探测器的暗第二超晶格层190loop5表示第一超晶格层140和第二超晶格层190的生长周期均为5个的[0058]参照图2，根据本发明的实施例的量子点红外探测器的暗电流相对于常规的量子[0059]图3是根据本发明的实施例的量子点红外探测器中一些元件层的禁带宽度示意9[0063]综上所述，根据本发明的实施例的量子点红外探测器利用量[0066]本说明书内容的上述描述被提供来使得本领域任何普通技术人员能够实现或者