CN119403303A 一种led芯片及其制备方法 （江西兆驰半导体有限公司）

延层的表面沉积电流阻挡层；(2)在表面涂覆光形成预设形状的光反射层和预设形状的第一金表面涂覆光刻胶，通过黄光工艺将光刻胶图形预设形状的第二金属电极层；(5)在表面沉积钝2所述第二金属电极层包括N型层表面的金属电极层和P型层表面的金3.如权利要求1所述的LED芯片的制备5.如权利要求1所述的LED芯片的制备方法，6.如权利要求1所述的LED芯片的制备方法，7.如权利要求1所述的LED芯片的制备方法，属电极层的边缘角度小于40°。8.如权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征9.如权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述电流阻挡层的材料为所述ITO电流扩展层的厚度为15nm～34[0026]每个周期中，所述SiO2层的厚度为10nm～300nm，所述TiO2层的厚度为10nm~5表面的第一金属电极制备在ITO电流扩展层17之前，随后在ITO电流扩展层17上制备N电极6[0061]进一步地，在沉积所述电流阻挡层14前还包括对所述外延层进行MSA处理以形成[0070](21)在(1)所得LED晶圆的表面涂覆光刻胶，随后采用如图5所述的掩膜版进行曝的光反射层15中包含SiO2和TiO2。具体地，所述预设形状的光反射层15包括SiO2层和TiO2[0074]进一步地，每个周期中，所述SiO2层的厚度为10nm～300nm，示例性的为10nm、2层的厚度为10nm～200nm，清洗，形成预设形状的光反射层15(如图6所示)和预设形状的第一金属电极层16(如图7所7[0076]本发明中第一金属电极层16对应P电极中的插指部分，本发明中通过将光反射层制光反射层15和第一金属电极层16边缘角度低于40°,更佳为30～40°[0081]在(2)所得LED晶圆的表面沉积ITO材料形成ITO膜层，随[0086]在(3)所得LED晶圆的表面涂覆光刻胶，随后采用如图10所述的掩膜版进行曝光、8[0087]所述第二金属电极层18包括N型层表面的金属电极层和P[0102]其中所述外延层包括Si掺杂的N_GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、Mg掺杂的P_GaN[0103](2)在外延层的表面采用PECVD沉积SiO2形成SiO2膜层，并在SiO2膜层的表面涂覆BOE刻蚀液对SiO2膜层进行刻蚀，并去胶清洗，形成预设形状的SiO2电流阻挡层，厚度为层作为一个周期进行周期重复以形成光反射膜层；接着在电子束蒸镀机台内依次沉积Al9[0106](4)在(3)所得LED晶圆的表面使用磁控溅射沉积ITO材料形成ITO膜层，随后在其[0107](5)在(4)所得LED晶圆的表面涂覆光刻负胶，随后采用如图10所述的掩膜版进行[0108](6)在(5)所得LED晶圆的表面采用PECVD沉积SiO2形成SiO2膜层，随后在SiO2膜层[0116](2)在外延层的表面采用PECVD沉积SiO2形成SiO2膜层，并在SiO2膜层的表面涂覆[0117](3)在(2)所得LED晶圆的表面使用磁控溅射沉积ITO材料形成ITO膜层，随后在其[0119](5)在(4)所得LED晶圆的表面涂覆光刻负胶，随后采用如图10所述的掩膜版进行[0120](6)在(5)所得LED晶圆的表面采用PECVD沉积SiO2形成SiO2膜层，随后在SiO2膜层220.159.1796.3219.458.9892.7210.256.4595.2极表面的第一金属电极在ITO电流扩展层之前沉积，随后在ITO电流扩展层上制备N电极表面和P电极的金属焊盘表面的第二金属电极层，并将光反射层和第一金属电极层在同一黄