CN119403312A 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 （江西兆驰半导体有限公司）

管本发明公开了一种发光二极管外延片及其量子阱层和量子垒层，末垒层依次包括AlInGaN含硼氮化物层；超晶格层包括交替层叠的AlGaN层和Mg掺GaN层；第一含硼氮化物层与第二含硼氮化物层为BGaN层和/或BInGaN层，两者均掺杂有Mg，且其Mg掺杂浓度大于Mg掺GaN层的掺杂浓2其中，所述多量子阱层包括依次层叠于所述N型GaN层上的第一所述超晶格层包括交替层叠的AlGaN层和Mg掺所述第一含硼氮化物层与所述第二含硼氮化物层为BGaN层和/或BInGaN层，所述第一所述AlGaN层与所述Mg掺GaN层的厚度之比为1:1~17.如权利要求1~6任一项所述的发光二极管外延片，其所述超晶格层的周期数为4~10，其厚度为10nm~50nm，所述AlGaN层中Al组分占比为8.一种发光二极管外延片的制备方法，用于制备如权利要求1~7任一项所述的发光二其中，所述多量子阱层包括依次层叠于所述N型GaN层上的第一3所述超晶格层包括交替层叠的AlGaN层和Mg掺所述第一含硼氮化物层与所述第二含硼氮化物层均为BGaN层和/或BInGaN层，所述第9.如权利要求8所述的发光二极管外延片的制备方法，其所述超晶格层的生长温度为800℃~1000℃,生长压力所述AlN层的生长温度为650℃~800℃,生长压力所述第一含硼氮化物层的生长温度为1000℃~1100℃,生长压力所述第二含硼氮化物层的生长温度为900℃~1050℃,生长压力4[0001]本发明涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方所述超晶格层包括交替层叠的AlGaN层和Mg掺所述第一含硼氮化物层与所述第二含硼氮化物层为BGaN层和/或BInGaN层，所述所述AlGaN层与所述Mg掺GaN层的厚度之比为1:1~15所述超晶格层包括交替层叠的AlGaN层和Mg掺所述第一含硼氮化物层与所述第二含硼氮化物层均为BGaN层和/或BInGaN层，所所述超晶格层的生长温度为800℃~1000℃,生长压力所述AlN层的生长温度为650℃~800℃,生长压力所述第一含硼氮化物层的生长温度为1000℃~1100℃,生长压力为50torr~所述第二含硼氮化物层的生长温度为900℃~1050℃,生长压力为50torr~6这些实施方式或实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解和量子垒层512交替层叠组成的周期性结构。末垒层530包括依次层叠于末阱层520上的7[0021]具体地，在一些实施方式之中，AlInGaN层531的厚度为0.5nm~5nm，示例性的为[0026]具体地，在一些实施方式之中，Mg掺GaN层5322中Mg掺杂浓度为1×1018cm_3~5×8[0040]具体地，在一些实施方式之中，P型GaN层700中Mg掺杂浓度为1×1019cm_3~1×[0041]需要说明的是，本发明中的发光二极管外延片还可包括本领域常见的应力释放层534中B组分占比大于第二含硼氮化物层535中B组分占比，即可实现第一含硼氮化物层的禁带宽度大于第二含硼氮化物层535的层520和末垒层530；第一多量子阱层510为量子阱层511和量子垒层512交替层叠组成的周95321和Mg掺GaN层5322；第一含硼氮化物层534、第二含硼氮化物层535均为BGaN层和/或子垒层，直至得到多量子阱层。其中，量子阱层的生长温度为740℃~820℃,生长压力为[0057]更具体地，AlInGaN层的生长温度为800超晶格层的生长温度为800℃~1000℃,生长压力为50torr~500torr；AlN层的生长温度为650℃~800℃,生长压力为50torr~500torr；第一含硼氮化物层的生长温度为1000℃~1100[0061]优选地，在一些实施方式之中，通过MOCVD生长P型GaN层，其生一含硼氮化物层534与第二含硼氮化物层535为BGaN层和/或BInGaN层，第一含硼氮化物层534、第二含硼氮化物层535中均掺杂有Mg，且掺杂浓度均大于Mg掺GaN层5322的Mg掺杂浓化物层的生长温度为1020℃,生长压力为200torr；第二含硼氮化物层的生长温度为1020