CN119403314A 一种红光led外延片及其制备方法 （南昌凯迅光电股份有限公司）

本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种红明将常规DBR反射层材料调整为抗氧化DBR反射决常规红光LED在高温高湿环境或大电流情况下2所述抗氧化DBR反射层为AlAs/Alx1Ga1_x1As交替生长的周期性循环2.根据权利要求1所述的一种红光LED外延片，其特杂浓度为1x1018cm_3～2x1018cm_3。材料为Al0.5In0.5P，循环掺杂方式为先有机掺杂后金属掺杂，形成由Al0.5In0.5P:C/4.根据权利要求3所述的一种红光LED外延片，其特征在于，每5.根据权利要求1所述的一种红光LED外延片，7.根据权利要求1_6任一项所述的一种红光LED外延所述抗氧化DBR反射层生长时，先生长Si/Te共掺杂的AlAs材料，然后生长Si掺杂的和DETe作为掺杂剂，生长厚度为45nm～50nm的AlA层和P面微应变层的生长步骤相同为：设定反应室温度为700±20℃,在N型限制层或P侧空33掺杂限制层生长步骤为：设定反应室温度为730±20℃,在P面微应变层PH3长Al0.5In0.5P:C/Al0.5In4[0003]目前，常规红光LED外延结构示意图如图1所示，自下而上依次包括GaAs衬底1，期性循环结构中AlAs采用Si/Te共同掺杂，Alx1Ga1-x1As采用Si掺杂，其中x1的取值范围为[0006]Te元素具有良好的耐腐性和抗氧化性，作为N型掺杂剂的同时起到氧化抑制剂的5以张应变的形式补偿量子阱在高温大电流工作条件下的压应变，也可阻隔P面Mg元素在高温高压的封装过程中的扩散问题，以此解决常规红光LED芯片在封装过程中经历高温烘烤烷掺杂浓度为2×1018cm_3～3×[0009]进一步的，每对周期性循环掺杂结构中，Al0.5In0.5P:C使用的有机掺杂[0011]进一步的，所述N面微应变层的厚度为40nm～60nm，所述P面微应变层的厚度为6其中SiH4的设定流量为80sccm～110sccm，DETe的设定流量为20sccm～40sccm，然后关闭1.本发明将常规DBR反射层材料调整为抗氧化DBR反射层结构，DBR光LED芯片在封装过程中经历高温烘烤及回流焊后的亮[0018]3.本发明得到的红光LED外延片不仅有效解决了常规红光LED在高温高湿环境或7发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数～300nm。浓度为2×1018cm_3～3×1018cm_3；Te的掺杂剂为DETe，掺杂浓度为0.5×1018cm_3～1×1018cm_3[0029]在一些实施例中，N型限制层材料为Al0.5In0.5P，掺杂浓度为1×1018cm_3～2×[0030]在一些实施例中，N面微应变层和P面微应变层的材料均为AlGaInP，且均为非掺8总含量但保持Al/Ga的摩尔比不变的方式，将张应变层的应变状态调整为张应力用于补偿[0031]在一些实施例中，多量子阱有源层有20对～30对的量子阱/垒结构，其中量子阱[0035]在一些实施例中，P型窗口层的材料为GaP，厚度为4000nm～5000nm，掺杂剂为80sccm～110sccm，掺杂浓度为2×1018cm_3～3×1018cm_3。DETe的流量设定为20sccm~9单层量子阱的厚度为6nm～8nm，x2取值范围为0.06～0.07，单层量子垒的厚度为8nm~3;（13）取片：生长结束后将MOCVD反应室温度降低至110℃,然后压力调整至底通过机械手中转仓传递到反应室中，然后快速升温至750℃,并在750℃下恒温维持共掺杂AlAs和Al0.4Ga0.6As生长组合形成第一对抗氧化DB3长Al0.5In0.5P材料作为P型循环掺杂限制层。先有机掺杂后金属掺杂，由Al0.5In0.5P:C/[0058]（12）生长P型窗口层：将反应室设定温度为680℃,通入TMGa、PH3，生长厚度为（13）取片：生长结束后将MOCVD反应室温度降低至110℃,然后压力调整至1、将对比例1所得红光LED和实施例1所得红光LED在高温（8芯片内部切割观察外延结构层能明显看出在DBR反射层结构中出现了晶格缺陷，导致芯片果如表1所示。从表1的结果可以看出，常规红光LED在点亮168h后，亮度衰减幅度达到了可有效防止红光LED的DBR反射层在潮湿环境中受潮氧化，保证在高温高湿环境中的导电区中扩散，解决了LED芯片在高温高湿和大电流密度条件下以及在封装过程中经历高温