CN119403380A 显示面板、显示装置和显示面板的制备方法 （合肥维信诺科技有限公司）

在基板的正投影位于第二膜层在基板的正投影由于第一电极的周侧与隔离结构的第三膜层搭该部分第一电极与隔离结构之间的搭接阻抗降2其中，所述第一膜层靠近所述发光单元的边缘在所述基板的优选的，所述第一膜层和所述第二膜层均包括金属材料优选的，所述延伸距离为所述第三膜层沿朝向所述隔和第一电极，所述第一电极位于所述发光部背离所述基板优选的，同一所述发光单元中，所述发光部在所述基板的正3述发光单元的所述第一电极对应的所述第一搭接优选的，所述发光单元包括第一发光单元和第二发所述第一搭接宽度为第一宽度，所述第二发光单元对应的所述第一搭接宽度为第二宽度，优选的，所述发光单元还包括第三发光单元，所述第优选的，至少存在两个所述发光单元的所述第一电极与优选的，所述第一发光单元对应的所述第二搭接宽度所述第二发光单元对应的所述第二搭接宽度大于或等于所述第三发光单元对应的所所述第一发光单元对应的所述第二搭接宽度、所述第二发光单元对应一部分数量的所述发光单元的所述第一电极与其相邻的所述优选的，所述第一搭接宽度为所述交叠部分沿所述在所述基板的正投影指向所述第一膜层朝向所述隔离开口的侧壁在所述基板的正投影的优选的，所述第二搭接宽度为所述第一电极的4边缘在所述基板的正投影与所述第二膜层靠近同一所述发光单元的边缘在所述基板的正靠近所述发光单元的边缘在所述基板的正投影与所述第二膜层靠近同一所述发光单元的靠近所述发光单元的边缘在所述基板的正投影与所述第二膜层靠近同一所述发光单元的优选的，所述发光单元包括第一发光单元和第二发所述第二延伸长度为第一长度，所述第二发光单元对应的所述第二延伸长度为第二长度，优选的，所述发光单元还包括第三发光单元，所优选的，所述第一膜层在所述基板的正投影面积小于所优选的，所述第三膜层在所述基板的正投影面积小于所优选的，所述第二延伸长度为所述第二膜层沿像素定义层，位于所述基板上，所述像素定义层包括像优选的，所述发光单元包括第二电极，所述第二电极第一封装层，位于所述发光单元背离所述基板的一侧，所5其中，所述第一电极覆盖所述第三膜层的面积为搭接面积，至和/或，所述第一电极在所述基板的正投影与所述第三膜层在所述基板的正投影的交在基板上制备隔离结构，所述隔离结构围合形成多个在所述基板上制备发光器件层的至少部分膜层，所述发光器件层包括多个发光单元，所述第一膜层靠近所述发光单元的边缘在所述基板的正投影与所述第三膜层靠近同一所在所述基板上制备隔离材料层，所述隔离材料层包括沿远离在所述隔离材料层背离所述基板的一侧制备具有多个第一开通过所述第一开口对所述隔离材料层进行图案化处理，以使所述第通过所述第二开口对所述第一材料层进行图案化处理形成第一膜层，所述的正投影面积小于所述第二膜层在所述基板的优选的，通过所述第一开口对所述隔离材料层进行图案化处理形成第二膜层的步骤优选的，通过所述第一开口对所述隔离材料层进行图案化处理形成第二膜层的步骤6优选的，通过所述第二开口对所述第一材料层进行图案化处理形成第一膜层的步骤优选的，所述第三材料层对所述湿刻工艺所用的药液优选的，通过所述第一开口对所述第三材料层进行图案优选的，通过所述第一开口对所述第三材料层进行图对所述第一膜层进行图案化处理，以使所述第一膜层在所述优选的，对所述第一膜层进行图案化处理，以使所对所述第一发光材料层、所述第一电极材料层和所述第一封装材料层进行图案化处优选的，形成与所述第一隔离开口对应的第一发光单对所述第二发光材料层、所述第二电极材料层和所述第二封装材料层进行图案化处优选的，所述第一发光单元对应的所述延伸距离为第优选的，所述隔离开口还包括第三隔离开口，形成与对所述第三发光材料层、所述第三电极材料层和所述第三封装材料层进行图案化处7优选的，对所述第一发光材料层、所述第一电极材料优选的，对所述第二发光材料层、所述第二电极材料优选的，对所述第三发光材料层、所述第三电极材料优选的，所述第三发光单元对应的所述延伸距离8[0002]有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)以及基于发光二极管膜层在基板的正投影之内，第一膜层在基板的正投影位于第三膜层在基板的正投影之内；边缘在基板的正投影之间的距离为延伸距离，至少存在两个发光单元对应的延伸距离不9向隔离开口的侧壁在基板的正投影指向第一膜层朝向隔离开口的侧壁在基板的正投影的的边缘在基板的正投影与第二膜层靠近同一发光单元的边缘在基板的正投影之间的距离边缘在基板的正投影与第二膜层靠近同一发光单元的边缘在基板的正投影之间的距离为层在基板的正投影面积，第一膜层在基板的正投影面积小于第三膜层在基板的正投影面层在基板的正投影面积，第一膜层在基板的正投影面积小于第三膜层在基板的正投影面[0052]根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一膜层和第膜层在基板的正投影之内，第一膜层在基板的正投影位于第三膜层在基板的正投影之内；膜层靠近发光单元的边缘在基板的正投影与第三膜层靠近同一发光单元的边缘在基板的处理形成第二膜层的步骤中，选用干刻工艺通过第一开口对隔离材料层进行图案化处理，单元对应的隔离结构的延伸距离更大，由于第一电极的周侧与隔离结构的第三膜层搭接，[0095]通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、[0124]下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本申请的目实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请更好的理[0128]本申请实施例提供一种显示面板，该显示面板可以是有机发光二极管(Organic200包括第一膜层210、位于第一膜层210背离基板100一侧的第二膜层220和位于第一膜层100的正投影之内，第一膜层210在基板100的正投影位于第三膜层230在基板100的正投影投影与第三膜层230靠近同一发光单元310的边缘在基板100的正投影之间的距离为延伸距[0132]发光单元310对应的延伸距离D0是指，发光单元310所在隔离开口240的周侧的隔伸距离D0。延伸距离D0可为第三膜层230沿朝向隔离开口240的方向凸出于第一膜层210的层220的面积大于第一膜层210的面积，第二膜层220覆盖第一膜层210的靠近第二膜层220光器件层300中的发光材料层，发光器件层300中的发光材料层在隔离结构200边缘产生较开的发光部400，从而减少载流子在中的发光材料层内的串扰，提高显示面板10的显示效结构200的延伸距离D0更大，由于第一电极410的周侧与隔离结构200的第三膜层230搭接，对应延伸距离D0更大的发光单元310的第一电极410与隔离结构200的第三膜层230的搭接CN2024/098407、PCT/CN2024/102783、PCT/CN2024/098217、PCT/CN2024/099419、PCT/CN2024/099072、CN117979755A、CN117998900A、CN117062489A、CN117580403A、[0139]在一些可选的实施例中，发光颜色相同的多个发光单元310对应的延伸距离D0相色不同的发光单元310对应的延伸距离D0之间进[0143]第一发光单元311对应的延伸距离D0是指，第一发光单元311所在隔离开口240的元311和第二发光单元312对应第一电极410的周侧与隔离结构200的第三膜层230搭接，第二发光单元312对应的隔离结构200的延伸距离D0更大，使得位于第二发光单元312的第一[0147]第三发光单元313对应的延伸距离D0是指，第三发光单元313所在隔离开口240的元312和第三发光单元313对应第一电极410的周侧与隔离结构200的第三膜层230搭接，第三发光单元313对应的隔离结构200的延伸距离D0更大，使得位于第三发光单元313的第一[0151]可选的，第一发光单元311、第二发光单元312和第三发光单元313的发光颜色不最后刻蚀形成第三发光单元313对应的隔离开口240，并制备第三发光单元313的发光部[0156]在这些可选的实施例中，发光单元310的发光部400在基板100的正投影位于第一存在两个发光单元310的第一电极410对应的使得该部分第一电极410与隔离结构200之间的搭接阻抗降低，提高发光单元310的发光效不同的发光单元310对应的搭接面积之间进[0165]第一发光单元311对应的搭接面积是指，第一发光单元311的第一电极410与第三[0166]第二发光单元312对应的搭接面积是指，第二发光单元312的第一电极410与第三[0169]第三发光单元313对应的搭接面积是指，第三发光单元313的第一电极410与第三230在基板100的正投影交叠部分的宽度为第一搭接宽度d0，至少存在两个发光单元310的与第三膜层230之间的第一搭接宽度d0更大的第一电极410与隔离结构200的第三膜层230[0174]在一些可选的实施例中，发光颜色相同的多个发光单元310对应的第一搭接宽度[0175]发光单元310对应的第一搭接宽度d0是指，发光单元310的第一电极410与第三膜结构200的第三膜层230具有相同的第一搭接宽度d0，从而使得该部分第一电极410与第三便于颜色不同的发光单元310对应的搭接面积之间进行[0178]如图6所示，在一些可选的实施例中，发光单元包括第一发光单元和第二发光单[0179]第一发光单元311对应的第一搭接宽度d0是指，第一发光单元311的第一电极410[0180]第二发光单元312对应的第一搭接宽度d0是指，第二发光单元312的第一电极410元311和第二发光单元312对应第一电极410的周侧与隔离结构200的第三膜层230搭接，第二发光单元312对应的第一电极410与第三膜层230的第一搭接宽度d0更大，从而使得该部[0183]第三发光单元313对应的第一搭接宽度d0是指，第三发光单元313的第一电极410元312和第三发光单元313对应第一电极410的周侧与隔离结构200的第三膜层230搭接，第三发光单元313对应的第一电极410与第三膜层230的第一搭接宽度d0更大，从而使得该部第二膜层220靠近同一发光单元310的边缘在基板100的正投影之间的距离为突出长度H0，一搭接宽度d0为交叠部分沿第三膜层230朝向隔离开口240的侧壁在基板100的正投影指向第一膜层210朝向隔离开口240的侧壁在基板100的正投影310的边缘在基板100的正投影与第二膜层220靠近同一发光单元310的边缘在基板100的正落入隔离开口240内容易与隔离结构200搭接，相邻发光单元310之间发生载流子串扰的问第一发光单元311对应的第一延伸长度小于或等于第二发光单元312对应对应的第一延伸长度小于或等于第三发光单元313对应的第一延[0197]在一些可选的实施例中，第一膜层210靠近基板100的一侧靠近发光单元310的边缘在基板100的正投影与第二膜层220靠近同一发光单元310的边缘在基板100的正投影之[0198]在一些可选的实施例中，发光颜色相同的多个发光单元310对应的第二延伸长度[0199]发光单元310对应的第二延伸长度是指，第一膜层210在基板100的正投影靠近发光单元310的边缘与第二膜层220在基板100的正投影靠近该发光单元310的边缘之间的距结构200的第三膜层230具有相同的第二延伸长度，从而使得该部分第一电极410与第三膜于颜色不同的发光单元310对应的搭接面积相对第二膜层220在远离隔离开口240的方向上内凹的程度不同，第一膜层210在靠近第二一发光单元311和第二发光单元312对应第一电极410的周侧与隔离结构200的第三膜层230得该部分第一电极410与隔离结构200之间的搭接阻抗降低，提高第二发光单元312的发光相对第二膜层220在远离隔离开口240的方向上内凹的程度不同，第一膜层210在靠近第三二发光单元312和第三发光单元313对应第一电极410的周侧与隔离结构200的第三膜层230得该部分第一电极410与隔离结构200之间的搭接阻抗降低，提高第三发光单元313的发光素定义层500包括像素限定部510和由像素限定部510围合形成的像素开口520，像素开口面板10的发光区域。像素开口520与隔离开口240连通设置，减少隔离结构200对像素开口于像素开口520具有较大的高度落差。用于形成发光单元的第一电极410和发光部400的膜[0213]在一些可选的实施例中，发光单元310包括第二电极530，第二电极530位于基板光器件层300背离基板100的一侧，第一封装层700包括多个封装部，位于对应的发光单元第三封装层720分别采用无机材料、有机材料和无机材料进行封装，形成TFE(ThinFilm者Ti/Al/Ti(钛/铝/钛)或者Ti/Al/MoN(钛/铝/氮化钼)三层金属复合材料。相比于第三膜分步制备不同发光颜色的发光单元310，例如在制备第一种颜色的发光单元310的发光部出于第一膜层210的尺寸过大，制备顺序靠后的发光单元310对应的隔离开口240处第二膜[0229]如图1至图11所示，本申请第二方面实施例提供一种显示面板10，显示面板11包结构200包括第一膜层210、位于第一膜层210背离基板100一侧的第二膜层220和位于第一基板100的正投影之内，第一膜层210在基板100的正投影位于第三膜层230在基板100的正层220的面积大于第一膜层210的面积，第二膜层220覆盖第一膜层210的靠近第二膜层220与隔离结构200的第三膜层230搭接，部分发光单元310对应的第一电极410与隔离结构200的第三膜层230的搭接面积更大，从而使得该部分第一电极410与隔离结构200之间的搭接本申请第三方面实施例提供的显示装置具有上述任一实施例的显示面板10具有的有益效[0233]本申请实施例中的显示装置包括但不限于手机、个人数字助理(Personal[0234]请参阅图1至图22，图12是本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法流程示括第一膜层、位于第一膜层背离基板一侧的第二膜层和位于第一膜层朝向基板的第三膜层210、第二膜层220和第三膜层230设置形成隔离结构200，靠近基板100设置的第一膜层210在基板100的正投影位于第二膜层220在基板100的正投影之内，第二膜层220的面积大差，且第一膜层210相对于第二膜层220内凹设置，发光材料层在隔离结构200边缘难以连三膜层230的搭接面积更大，从而使得该部分第一电极410与隔离结构200之间的搭接阻抗[0241]在隔离材料层背离基板100的一侧制备具有多个第一开口610的第一阻挡层600，[0242]通过第一开口610对隔离材料层进行图案化处理，以使第二材料层形成具有第二[0243]通过第二开口221对第一材料层进行图案化处理形成第一膜层210，第一膜层210在基板100的正投影位于第二膜层220在基板10第一膜层210，靠近基板100设置的第一膜层210在基板100的正投影位于第二膜层220在基有第二开口221的第二膜层220，采用干刻的工艺能够更好地对第二材料层进行刻蚀去除，[0250]在一些可选的实施例中，通过第二开口221对第一材料层进行图案化处理形成第湿刻材料，采用干刻的工艺能够更好地对第三材料层进行刻蚀去除，从而形成第三膜层[0255]对第一膜层210进行图案化处理，以使第一膜层210在基板100的正投影位于第三膜层230在基板100的正投影之内；第一膜层210在基板100的正投影面积小于第三膜层230处理，以使得第一膜层210相对第三膜层230朝向远离隔离开口240的方向内缩，第三膜层于第三膜层230在基板100的正投影之内的步骤中，选用湿刻工艺对第一膜层210进行图案板100的正投影能够位于第三膜层230在基板100的[0263]在这些可选的实施例中，第一发光单元311的至少部分位于实现第一隔离开口241区域的发光；第一电极410作为第一发光单元311的发光部400的电部400、第一电极410和位于第一发光单元311远离基板100一侧的第一封装部的步骤之后，[0267]在这些可选的实施例中，第二发光单元312的至少部分位于开口242对应的第二发光单元312的发光部400、第一电极410和位于第二发光单元312远离[0271]在这些可选的实施例中，第三发光单元313的至少部分位于