CN119403435A 深沟槽电阻器结构及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）

本公开涉及深沟槽电阻器结构及其形成方25.根据权利要求1所述的深沟槽电阻器结构，还包括形成在所述第一电介质材料中的34[0002]集成无源器件(IPD)是集成在半导体衬底上的一个或多个无源器件的集合。无源[0007]图1A图11A是根据一些实施例的制造深沟槽电阻器结构的各个阶段的截面侧视5[0011]图12B是根据一些实施例的示出图12A的深沟槽电阻器的温度和电阻之间的关系[0012]图13A图20A是根据替代实施例的制造深沟槽电阻器结构的各个阶段的截面侧视[0015]图21B是根据一些实施例的示出图21A的深沟槽电阻器的温度和电阻之间的关系[0017]图23A和图23B是根据一些实施例的包括深沟槽电阻器结构的半导体器件结构的[0018]以下公开内容提供了用于实施所提供的主题的不同特征的许多不同的实施例或定所讨论的各种实施例和/或配置之间的关多个)特征的关系。这些空间相关术语旨在涵盖器件在使用或操作中除了图中描绘的取向[0020]集成无源器件(IPD)可以包括衬底和设置在衬底之上的深沟槽电阻器(DTR)。DTR有正的电阻温度系数(TCR)的第一层和具有负的TCR的第二层。此外，为了实现DTR的伪[0021]图1A图11A是根据一些实施例的制造深沟槽电阻器(DTR)结构100的各个阶段的些实施例中，电介质材料104是金属间电介质(IMD)层，并且电介质材料104和蚀刻停止层6工艺沉积，例如化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或原子层沉积2层108和第二层110(或者是第一层108或第二层110)未填充沟向的尺寸，并且开口114的沿着Y方向的尺寸可以基本上与沟槽106的沿着Y方向的尺寸相工艺将抗蚀剂的图案转移到电介质材料112以形成开口114。蚀刻工艺可以是干法蚀刻工7二层110的暴露在开口114中的部分的厚度可以显著小于第二层110的由电介质材料112覆电介质材料112之上和开口114中的第一层118上沉积第二层120。第二层120可以是电介质2xTaOx2位于电介质材料112之上和开口114中的第二层120上沉积第三层122。第三层122可以是含RuO22层120和第三层122的部分可以通过平下的一个或多个沟槽106中的第一区段109、和设置在不在可调器件116之下的一个或多个[0029]即使第一层108和第二层110是正TCR和负TCR(反之亦然)，DTR的电阻仍可能基于8的增加而增加。可调器件116可以被导通以减小与其并联连接的DTR的区段(例如第一区段[0030]图12A是DTR和可调器件116的电路图，并且图12B是示出DTR的温度和电阻之间的第一层108、第二层110和电介质材料112的部分，并且可调器件116设置在电介质材料112108和可调器件116的沿着Y方向的凹陷通过具有多个蚀刻工艺的单个光刻工艺来执行。换9[0034]图13A图20A是根据替代实施例的制造DTR结构100的各个阶段的截面侧视图，并且图13B图20B是根据替代实施例的制造图13A图20A的DTR结构100的各个阶段的对应俯后提供附加的操作，并且可以替换或删除下面描述的一些操作。操作/过程的顺序不受限X方向的尺寸可以与部分104a的沿着X方向的尺寸相同或显著大于部分104a的沿着X方向的气地分隔成第一区段132和第二区段134。第一区段132可以在可调器件116的上游阻随着温度的增加而增加。可调器件116可以被导通以减小可调器件的第一层118的电阻，以在温度升高时而保持DTR的电阻基本恒定。可调器件116如何在不同温度下调整DTR的电温度从t1增加到t2时，DTR的第一区段132和可调器件116的组合电阻保持基本恒定(例如，沿着Y方向的凹陷通过具有多个蚀刻工艺的单[0041]图23A和图23B是根据一些实施例的包括DTR结构100的半导体器件结构160的截面[0042]互连结构166包括多个金属间电介质(IMD)层168和形成在IMD层168中的多个导电[0043]图23B是根据替代实施例的包括DTR结构100的半导体器件结构160的截面侧视底162(其随后被去除)的正面的互连结构166、和形成在衬底162的背面的背面互连结构结构100可以形成在背面互连结构167中的竖直相邻的IMD层168之间。导电特征172延伸穿中，并且所述第一沟槽和所述第二沟槽通过所述第一电介质材料的第一部分而被分隔开；[0048]前面已经概述了若干实施例的特征以便本领域的技术人员可以更好地理解后面他工艺和结构以执行与本文介绍的实施例相同的目的和/或实现与本文介绍的实施例相同[0053]示例5.根据示例1所述的深沟槽电阻[0060]示例12.根据示例11所述的深沟槽电阻[0061]示例13.根据示例12所述的深沟槽电[0063]示例15.根据示例14所述的深沟槽电[0064]示例16.根据示例15所述的深沟槽电[0065]示例17.根据示例16所述的深沟槽