CN119404138A 用于向光刻系统供应气体的设备和方法 （Asml荷兰有限公司）

2024.12.19PCT/EP2023/0690962023.07.11WO2024/022796EN2024.02.01通过将少量的第一气体引入到包含光学元件的真空腔室中来减少在用于产生EUV辐射的系统中的一个或更多个反射型光学元件的反射率的劣化，其中第一气体与诸如CDA或XCDA之类的2入口，所述入口适于连接到初始气体源，所述初始气体包括第一更换条件感测模块，所述更换条件感测模块被布置成感测更换条控制器，所述控制器以能够作出响应的方式连接到所述更换基于感测到所述更换条件而切换成引导所述初始气体通过所所述更换条件感测模块包括第一气体浓度传感器，所述第一气体浓度传感测所述分离气体中的所述第一气体的浓度并且产生指示所述分离气体中的第一气体的所述系统还包括控制器，所述控制器以能够作出响应的方式连接到所述传感器，并且所述控制器适于最初在第一时间段内引导所述初始气体通过所述第一分子3体连通以将所述分离气体注入到所述氢气输流体连通的方式与所述氢气输送管线连接以将所述分离气体注入到所述氢气输送管线中23.根据权利要求17所述的光刻设备，其中更换条件感测模块，所述更换条件感测模块被布置成感测更换条控制器，所述控制器以能够作出响应的方式连接到所述更换基于感测到所述更换条件而切换成引导所述初始气体通过所所述更换条件感测模块包括第一气体浓度传感器，所述第一气体浓度传感测所述分离气体中的所述第一气体的浓度并且产生指示所述分离气体中的第一气体的所述系统还包括控制器，所述控制器以能够作出响应的方式连接到所述4传感器，并且所述控制器适于最初在第一时间段内引导所述初始气体通过所述第一分子从所述初始气体中至少部分地分离所述第一气体成分以产生具有浓缩的第一气体成33.根据权利要求28所述的方法，其中，供应所述初始气体包括供应清洁干燥空气34.根据权利要求28所述的方法，其中，供应所述初始气体包括供应超清洁干燥空气膜过滤系统进行至少部分地分离所述第一气体成分以产生38.根据权利要求28所述的方法，其中，所述初感测更换条件，在所述更换条件中所述系统从使用所述第一滤筒切最初在第一时间段内引导所述初始气体通过所述第一分子筛，感测所述更换条件包括感测所述分离气体中的第一气体的第一气体浓度并产生指示5最初在第一时间段内引导所述初始气体通过所述第一分子筛，述分离气体中的第一气体的浓度切换成引导所述初始气体通过所述将含氢气体输送到氢气输送管线中，所述氢气输送管线被布置成将浓缩的第一气体成分注入到所述氢气输送管线中，以将所述浓膜过滤系统进行至少部分地分离所述第一气体成分以产生48.根据权利要求44所述的方法，其中，所述初始气体具有按感测所述分离气体中的第一气体的浓度并产生指示所述分离气体中的第一气体的浓停止引导所述初始气体通过所述第一分子筛，并且至初始气体输入装置，所述初始气体输入装置被布置成接气体分离器，所述气体分离器与所述初始气体输入装置流体连通并氧气传感器，所述氧气传感器与所述氧气传递管线流体连通并控制器，所述控制器能够在第一操作模式与第二操作模式之间切换所述气体分离器，6在所述第一操作模式中所述气体分离器使用所述第一筛网过滤器构件而不使用所述第二分离器使用所述第二筛网过滤器构件而不使用所述第一筛网过滤器构件来将所述分离气气体控制面板，所述气体控制面板能够调整来自所述氧气传递管线的53.根据权利要求51所述的设备，还包括在所述氧气传递管线上的在所述气体分离器54.根据权利要求51所述的设备，还包括在所述气体分离器下游定位在所述氧气传递55.根据权利要求51所述的设备，还包括适于从所述气体分离器传递氮气的氮气传递7[0002]本申请要求于2022年7月26日递交的欧洲申请63/392,208的优先权，通过引用将辐照具有所需的线发射元素的目标材料来产[0006]在更多的理论术语中，LPP源通过将激光能量沉积到具有至少一种EUV发射元素温度的高度电离的等离子体。一种LPP技术涉及产生目标材料液滴流并且用激光辐射脉冲辐照至少一些液滴。[0007]在这些离子的去激发和重组期间产生的能量辐射在所有方向上从等离子体发以从中间部位被转送到一组扫描器光学器件并且最终MLM通常由在基底或基板上的交替材料层8[0011]在一些系统中，在真空腔室中使用处于在约0.5m[0013]以下给出了一个或更多个实施例的简要概括，以便提供对那些实施例的基本理[0016]气体分馏器可以包括至少一个膜过滤器。气体分馏器可[0017]初始气体可以具有按体积计大于75%的第二气体浓度，并且所述分离气体可以具9统还可以包括控制器，所述控制器以能够作出响应的方式连接到所述第一气体浓度传感及至少部分地基于所述分离气体中的第一气体的浓度切换成引导所述初始气体通过所述收所述初始气体并且适于至少部分地将所述第一气体成分与所述初始气体分离以产生具被布置成接收所述分离气体并且以流体连通的方式与所述氢气输送管线连接以将所述分积计大于75%的第二气体浓度，并且所述分离气体可以具有按体积计小于5%的第二气体浓初始气体通过所述第二分子筛。更换条件可以是所述分离气体中的所述第一气体的浓度、被布置成感测所述分离气体中的所述第一气体的浓度并且产生指示所述分离气体中的第及将所述分离气体供应到所述光刻设备的所述[0028]使用至少一个膜过滤器进行至少部分地分离所述第一气体成分以产生所述分离[0030]初始气体可以具有按体积计大于75%的第二气体浓度，并且所述分离气体可以具[0031]使用包括第一分子筛和第二分子筛的双滤筒分子筛进行至少部分地分离所述第一气体成分以产生所述分离气体。在正在使用所述第一分子筛时不使用所述第二分子筛，少部分地基于所述分离气体中的第一气体的浓度切换成引导所述初始气体通过所述第二[0033]将所述分离气体供应到所述光刻设备的所述部分可以包括将所述分离气体注入[0035]使用至少一个膜过滤器进行至少部分地分离所述第一气体成分以产生所述分离[0036]初始气体可以具有按体积计大于75%的第二气体浓度，并且所述浓缩的第一气体[0037]使用包括第一分子筛和第二分子筛的双滤筒分子筛进行至少部分地分离所述第分离气体中的第一气体的浓度来引导所述初始气体通过所感器与所述氧气传递管线流体连通并且被布置成感测所述分离气体中的氧气浓度；控制一操作模式中所述气体分离器使用所述第一筛网过滤器构件而不使用所述第二筛网过滤用所述第二筛网过滤器构件而不使用所述第一筛网过滤器构件来将所述分离气体与所述分子筛过滤器。所述设备还可以包括在氧气传递管线上在过滤器的下游的回火阻止器一起进一步用于解释这些实施例的原理并使相关领域的技术人员能够完成并使用这些实[0044]图2A是用于EUV光刻系统的光学元件和气流系统的部分透视的未按比例绘制的视[0046]图3是根据实施例的方面的用于将第一气体添加到EUV光刻系统中的腔室的系统[0047]图4是根据实施例的方面的用于将第一气体添加到EUV光刻系统中的腔室的另一[0048]图5是根据实施例的方面的用于将第一气体添加到EUV光刻系统中的腔室的另一[0049]图6是根据实施例的方面的用于将第一气体添加到EUV光刻系统中的腔室的系统[0050]图7是根据实施例的方面的用于将第一气体添加到EUV光刻系统中的腔室的系统[0051]图8是根据实施例的方面的将第一气体添加到EUV光刻系统中的腔室的方法的流[0052]图9是根据实施例的方面的操作用于将第一气体添加到EUV光刻系统中的腔室的[0053]图10是根据实施例的方面的操作用于将第一气体添加到EUV光刻系统中的腔室的[0054]在下文中参考随附附图详细地描述本发明的另外的特征和优点以及本发明的各[0055]现在参考附图描述各种实施例，其中始终使用相同的附图标记来指代相同的元计细节的情况下实践以下描述的任何实施例。在其它实例中，以框图形式示出了公知的结构和装置，以便于描述一个或更多个实施例。在下面的描述和权利要求中，可以采用术语脉冲或连续激光源122可以例如是产生10.6μm或1μm的辐射束112的脉冲气体放电CO2激[0057]EUV辐射源100还包括用于传递呈液滴或连续液流形式的目标材料的目标传递系目标液滴例如相对于辐照区128的绝对或相对位置的输出，并且将该输出提供给目标位置发生器192释放目标液滴114的点来实现该调整。可以例如通过倾斜液滴发生器192或通过孔135以允许激光辐射112穿过并到达辐照区128。收集器130具有在辐照区128处的第一焦从EUV辐射源100输出并输入到例如集成电路光刻扫描器[0063]集成电路光刻扫描器150包括投影系统（例如，折射型或反射型投影透镜系统）在腔室126中使用锡或等离子体的情况下，腔室126和投影系统156中的环境旨在尽可能清[0067]将氧气加入真空腔室的一种方法是将氧气排放到进入真空腔室的氢气流中。例空腔室中的气体混合物的有益效果还扩展到位于系统的其它部分中的反射型EUV光学器[0070]在所述源中，对于至少一些应用来说，期望建立氢气/氧气体混合物的流以流过圆锥形元件220围绕管状本体210并且与管状本体210间隔开以在它们之间限定间隙所述管状体210的截头圆锥形元件220之间的间隙230和出口250一起被布置在周向流动环[0073]氢气的锥流的速率可以在约50SLM至约165SLM的范围内。氢气混合物的伞状锥流的速率可以在约40SLM至约90SLM的范围内。氢气混合物的周边流的速率可以在约602摩尔数/XCDA摩尔数其参与表面化学反应和等离子体相互作用。因此，降低XCDA气体混合物中的氮的量将被证明[0077]根据实施例的方面，通过使用XCDA或CDA供应气体作为氧气源并分离出大部分氮气从设备的上游的气体混合物中的78体积%降低到下游的小于5体积%是可能的，降低16倍[0078]所述设备可以使富氧/贫氮气体流入到具有降低至不大于5体积%的氮气浓度的容[0079]图3是根据实施例的方面的用于向EUV光刻系统中的腔室添加氧气的系统300的总或XCDA的源。气源360将标记为第一气体G1和第二气体G2的氧气和氮气作为CDA或XCDA的主[0081]在图3中的示例中，氧气成分然后穿过混合节点320以加入通过氢气输送管线340气作为G1被引导到腔室126并且氧气作为G2被排出。可以提供控制器327以控制混合到氢气中。系统300还包括分别通过混合节点398和399可控地连接到氧气管线380和排放管线390气源310被布置成通过混合节点420向扫描器光学器件410提[0084]图5是根据实施例的方面的用于向EUV光刻系统中的腔室添加气体混合物的系统[0085]图6是根据实施例的方面的用于将氧气添加到EUV光刻系统中的腔室的系统的气过感测气体的分离的成分中的气体浓度来检测更换条件时的情况。当使用气体分馏器时，当前使用的单元离线并且然后使替代单元在线来停止使用当够在EUV源或扫描器中产生足够的所添加的气体以达到预期的所添加的气体剂量水平的双滤筒分子筛过滤器可能具有非常小的占地面积——最大尺寸在几英寸以下并且重量在1千克左右——并且仅需要足够的电力以从CDA或XCDA或其它空气源分离氮气和氧气。预期单个单元将足以在仅对现有气体基础设施进行最小改变的情况下将氧气供应到多个源和扫[0089]图7是根据实施例的方面的用于将气体添加到EUV光刻系统中的腔室中的混合物示例中，将分离的第一气体成分注入到向这些腔室中的任一个供应氢气的氢气输送管线[0093]图9是根据实施例的方面的操作用于将第一气体添加到EUV光刻系统中的腔室的骤S200中，使用第一滤筒从包括第一气体成分和第二气体的供应气体中分离第一气体成[0098]图10是根据实施例的方面的操作用于将氧气添加到EUV光刻系统中的腔室的系统中的气体分馏器以便能够进行连续操作的方法的流程图。图10中示出的方法类似于图9中骤S210和S250，即第一气体浓度感测步骤，并且也由控制系统基本上连续地执行在步骤S220和S260中确定第一气体浓度是否下降到预定阈值目的而描述部件或方法论的每个可想到的组合，但是本领域普通技术人员可以认识到，各种实施例的许多另外的组合和排列是可能的。因此，所描述的实施例旨在涵盖落入随附权外，除非另有说明，否则任何方面和/或实施例的全部或一部分可以与任何其它方面和/或实施例的全部或一部分一起使用。分地基于感测到所述更换条件而切换成引导所述初始气体通过所述第置成感测所述分离气体中的所述第一气体的浓度并且产生指示所述分离气体中的第一气体连通以将所述分离气体注入到所述氢气输且以流体连通的方式与所述氢气输送管线连接以将所述分离气体注入到所述氢气输送管分地基于感测到所述更换条件而切换成引导所述初始气体通过所述第置成感测所述分离气体中的所述第一气体的浓度并且产生指示所述分离气体中的第一气[0149]从所述初始气体中至少部分地分离所述第一气体成分以产生具有浓缩的第一气[0155]33.根据方面28所述的方法，其中，供应所述初始气体包括供应清洁干燥空气[0156]34.根据方面28所述的方法膜过滤系统进行至少部分地分离所述第一气体成分以产生